Реферат на тему: «Интегральные схемы»

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию

Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего профессионального образования

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Институт международных отношений

Факультет:

«Управления и экономики высоких технологий»

Кафедра:

55

Институт международных отношений

Специальность:

350200

«Международные отношения»

реферат на тему:

«Интегральные схемы»

Подготовила:

Анастасия Селиверстова

У4-03

Оглавление

Введение......................................................................................................................................... 2

Интегральные схемы....................................................................................................................... 3

Технологический процесс................................................................................................................ 4

Процесс сборки Интегральных схем по технологии “перевернутого кристалла”..................... 5

Пленочные ИС................................................................................................................................ 6

Гибридные ИС.................................................................................................................................. 8

Совмещенные интегральные микросхемы..................................................................................... 9

Сверхбольшие интегральные схемы........................................................................................... 10

Методы контроля ИС................................................................................................................... 12

Визуальный контроль................................................................................................................... 13

Диагностический контроль.......................................................................................................... 15

Заключение................................................................................................................................... 17

Список литературы....................................................................................................................... 17

Введение

Изобретение микросхем началось с изучения свойств тонких оксидных плёнок, проявляющихся в эффекте плохой электропроводимости при небольших электрических напряжениях. Проблема заключалась в том, что в месте соприкосновения двух металлов не происходило электрического контакта или он имел полярные свойства. Глубокие изучения этого феномена привели к изобретению диодов, а позже транзисторов и интегральных микросхем.

В 1958 году двое учёных, живущих в совершенно разных местах, изобрели практически идентичную модель интегральной схемы. Один из них, Джек Килби, работал на TexasInstruments, другой, Роберт Нойс, был одним из основателей небольшой компании по производству полупроводниковFairchildSemiconductor. Обоих объединил вопрос: «Как в минимум места вместить максимум компонентов?». Транзисторы, резисторы, конденсаторы и другие детали в то время размещались на платах отдельно, и учёные решили попробовать их объединить на одном монолитном кристалле из полупроводникового материала. Только Килби воспользовался германием, а Нойс предпочёл кремний. В 1959 году они отдельно друг от друга получили патенты на свои изобретения — началось противостояние двух компаний, которое закончилось мирным договором и созданием совместной лицензии на производство чипов. После того как в 1961 годуFairchildSemiconductorCorporation пустила интегральные схемы в свободную продажу, их сразу стали использовать в производстве калькуляторов и компьютеров вместо отдельных транзисторов, что позволило значительно уменьшить размер и увеличить производительность.

1.  Интегральные схемы.

Интегральные схемы - твердотельное устройство, содержащее группу приборов и их соединения (связи), выполненное на единой пластине (подложке). В интегральной схеме интегрируются пассивные элементы (ёмкости, сопротивления) и активные элементы, действие которых основано на различных физических явлениях. Внутренние связи интегральной схемыпреобразуют множество приборов в функциональное устройство для целей информатики, преобразования различных видов энергии и робототехники.

Часто под интегральной схемой понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой— ИС, заключённую в корпус.

ИС подразделяются:

·  по способу объединения (интеграции) элементов - на полупроводниковые, или монолитные (основной тип), пленочные и гибридные (в т. ч. многокристальные);

·  по виду обрабатываемой информации - на цифровые и аналоговые;

·  по степени интеграции элементов - на малые, ИС со средней степенью интеграции, большие (БИС) и сверхбольшие (СБИС).

2.  Технологический процесс

При изготовлении микросхем используется метод фотолитографии (для получения рисунка используется свет определённой длины волны. Минимальный размер деталей рисунка — половина длины волны (определяется дифракционным пределом)), при этом схему формируют на подложке (обычно из кремния), полученной путём резки алмазными дисками монокристаллов кремния на тонкие пластины. Ввиду малости линейных размеров элементов микросхем, от использования видимого света, и даже ближнего ультрафиолета, при засветке давно отказались.

В качестве характеристики технологического процесса производства микросхем указывают минимальные контролируемые размеры топологии фотоповторителя (контактные окна в оксиде кремния, ширина затворов в транзисторах и т. д.) и, как следствие, размеры транзисторов (и других элементов) на кристалле. Этот параметр, однако, находится во взаимозависимости с рядом других производственных возможностей: чистотой получаемого кремния, характеристиками инжекторов, методами фотолитографии, методами вытравливания и напыления.

3.  Процесс сборки Интегральных схем по технологии “перевернутого кристалла”.

Этатехнология предусматривает предварительное создание на планарной сторонекристалла с ИМС «шариковых выводов» или «контакт­ных выступов», которыепредставляют собой бугорки из меди, покрытые припоем или оловом. Такой кристаллрасполагают на поверхности подложки или на основании корпуса так, чтобы бугор­кисоприкасались с ней в определенных участках. Таким образом, кристалл переворачиваетсяи его планарная сторона посредством бугорков контактирует с поверхностью основаниякорпуса.

При кратковременном нагреве такой композициипроисходит прочное соединение контактных выступов полупроводникового кристаллас основанием корпуса. Следует отметить, что те участки поверхности корпуса, скоторыми соприкасаются «выступы», пред­варительно тоже облуживаются. Поэтому вмомент нагрева проис­ходит соединение припоя основания корпуса с припоемконтактных вы­ступов.

http://www.referat.ru/cache/referats/6895/image004.jpgНа рис. 1, а) показан вариант присоединения кристаллаИМС, имеющего медные облуженные кон­тактные выступы, к подложке. Та­каяконструкция выводов не боится растекания припоя по подложке. Наличие высокогогрибообразного выступа обеспечивает необходимый зазор между полупроводниковымкристаллом и подложкой при расплавлении припоя. Это позволяет проводитьприсоединение кристалла к подложке с высокой степенью точ­ности.

На рис. 1, в) показан вариант сборки кристаллов, имеющих мяг­кие столбиковые выводы из припояна основе олово-свинец.

Присоединение такого кристалла к основаниюкорпуса проводят обычным нагревом без дополнитель­ного давления на кристалл. Припой контактных выступов при нагрева­нии и расплавлении не растекается поповерхности облуженных участ­ков основания корпуса за счет сил поверхностногонатяжения. Это, кроме того, обеспечивает определен­ный зазор между кристаллом ипод­ложкой.

Рассмотренный метод присоединения кристаллов ИМСк осно­ванию корпуса или к какой-либо плате позволяет в значительной степенимеханизировать и автоматизировать технологический про­цесс сборки.

4.  Пленочные ИС

Пленочные ИС имеют подложку (плату) из диэлектрика (стекло, керамика и др.). Пассивные элементы, т. е резисторы, конденсаторы, катушки и соединения между элементами, выполняются в виде различных пленок, нанесенных на подложку. Активныеэлементы (диоды, транзисторы) не делаются пленочными, так как не удалось добиться их хорошего качества. Таким образом, пленочные ИС содержат только пассивные элементы и представляют собой ДС-цепи или какие-либо другие схемы.

Принято различать ИС тонкопленочные, у которых толщина пленок не более 2 мкм, и толстопленочные, у которых толщина пленок значительно больше. Разница между этими ИС заключается не столько в толщине пленок, сколько в различной технологии их нанесения.

Подложки представляют собой диэлектрические пластинки толщиной 0.5—1,0 мм. тщательно отшлифованные и отполированные. При изготовлении пленочных резисторов на подложку наносят резистивные пленки. Если сопротивление резистора не должно быть очень большим, то пленка делается из сплава высокого сопротивления, например из нихрома. А для резисторов высокого сопротивления применяется смесь металла с керамикой. На концах резистивной пленки делаются выводы в виде металлических пленок, которые вместе с тем являются линиями, соединяющими резистор с другими элементами. Сопротивление пленочного резистора зависит от толщины и ширины пленки, ее длины и материала. Для увеличения сопротивления делают пленочные резисторы зигзагообразной формы.

Удельное сопротивление пленочных резисторов выражают в особых единицах – омах на квадрат, так как сопротивление данной пленки в форме квадрата не зависит от размеров этого квадрата. Действительно, если сделать сторону квадрата, например, в два раза больше, то длина пути тока увеличится вдвое, но и площадь поперечного сечения пленки для тока также возрастет вдвое: следовательно, сопротивление останется без изменения.

Тонкопленочные резисторы по точности и стабильности лучше толстопленочных, но производство их сложнее и дороже. У тонкопленочных резисторов удельное сопротивление может быть от 10 до 300 Ом на квадрат. Точность их изготовления зависит от подгонки. Подгонка состоит в том, что тем или иным способом резистивный слой частично удаляется и сопротивление, сделанное умышленно несколько меньшим, чем нужно, увеличивается до требуемого значения. В течение длительного времени эксплуатации сопротивление этих резисторов мало изменяется.

Толстопленочные резисторы имеют удельное сопротивление от 2 Ом до 1 МОм на квадрат. Их стабильность во времени хуже, чем у тонкопленочных резисторов.

Пленочные конденсаторычаще всегоделаются только с двумя обкладками. Одна из них наносится на подложку и продолжается в виде соединительной линии, затем на нее наносится диэлектрическая пленка, а сверху располагается вторая обкладка, также переходящая в соединительную линию. В зависимости от толщины диэлектрика конденсаторы бывают тонко - и толсто-пленочными. Диэлектриком обычно служат оксиды кремния, алюминия или титана. Удельная емкость может быть от десятков до тысяч пикофарад на квадратный миллиметр, и соответственно этому при площади конденсатора в 25 мм3 достигаются номинальные емкости от сотен до десятков тысяч пикофарад. Точность изготовления ± 15 %.

Пленочные катушки делаются в виде плоских спиралей, чаще всего прямоугольной формы. Ширина проводящих полосок и просветов между ними обычно составляет несколько десятков микрометров. Тогда получается удельная индуктивность 10—20 мГн/мм2. На площади 25 мм2 можно получить индуктивность до 0,5 мкГн. Обычно такие катушки делаются с индуктивностью не более нескольких микрогенри. Увеличить индуктивность можно нанесением на катушку ферромагнитной пленки, которая будет выполнять роль сердечника. Некоторые трудности возникают при устройстве вывода от внутреннего конца пленочной катушки. Приходится для этого наносить на соответствующее место катушки диэлектрическую пленку, а затем поверх этой пленки наносить металлическую пленку — вывод.

5.  Гибридные ИС

Широкое распространение получили гибридные ИС – интегральные схемы, в которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые компонентами ГИС. Электрические связи между элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного или проволочного монтажа. Реализация функциональных элементов в виде ГИС экономически целесообразна при выпуске малыми сериями специализированных вычислительных устройств и другой аппаратуры. Высоких требований к точности элементов в ТЗ нет. Условия эксплуатации изделия нормальные. Навесными элементами в микроэлектронике называют миниатюрные, обычно бескорпусные диоды и транзисторы, представляющие собой самостоятельные элементы. Иногда в гибридных ИС навесными могут быть и некоторые пассивные элементы, например, миниатюрные конденсаторы с такой большой емкостью, что их невозможно осуществить в виде пленок. Это могут быть и миниатюрные трансформаторы. В некоторых случаях в гибридных ИС навесными являются целые полупроводниковые ИС. Проводнички от транзистора или от других навесных элементов присоединяются к соответствующим точкам схемы чаше всего методом термокомпрессии (провод при высокой температуре прижимается под большим давлением).

Гибридные ИС изготовляются следующим образом. Сначала делается подложка. Ее тщательно шлифуют и полируют. Затем наносятся резистивные пленки, далее нижние обкладки конденсаторов, катушки и соединительные линии, после этого диэлектрические пленки, а затем снова металлические. Навешиваются («приклеиваются») активные и другие дискретные элементы, и их выводы присоединяются к соответствующим точкам схемы. Схема помещается в корпус и присоединяется к контактным штырькам корпуса. Производится испытание схемы. Далее корпус герметизируется и маркируется, т, е. на нем делаются необходимые условные обозначения.

6.  Совмещенные интегральные микросхемы

Отличительной особенностью совмещенных ИМ является применение дополнительных резистивных и диэлектрических материалов наряду с кремнием, его двуокисью и чистыми металлами для межэлементных соединений, а также независимость принципа действия тонкоплёночных элементов от кремния, так как вместо изоляции p-n переходом используют более совершенную изоляцию плёнками двуокиси кремния.

Выход годных из-за большого числа операций уменьшается. Слои осаждают способами термовакуумного осаждения или катодного распыления, рисунок фотолитографией или на основе применения свободных масок.

Наибольшие технологические трудности возникают из-за температурных нагрузок при термокомпрессии и креплении кристалла к основанию корпуса (может измениться номинал тонкоплёночных интегральных элементов.

7.  Сверхбольшие интегральные схемы

С точки зрения количества составляющих вентилей микросхемы можно разделить на четыре категории: схемы с низким уровнем интеграции (МИС), схемы среднего уровня интеграции (СИС), большие интегральные схемы (БИС) и сверхбольшие интегральные схемы (СБИС). Схемы с низким уровнем интеграции содержат от одного до 4 вентилей. В схемах среднего уровня интеграции может быть от 4 до 100 вентилей. 100 вентилей на микросхему-это порог, за которым начинаются БИС. Если, наконец, схема содержит более 20000 вентилей, ее относят к СБИС. Число вентилей в некоторых СБИС доходит до 250000.

Технология современных и-канальных МОП ИС повышенной плотности позво­ляет постоянно увеличивать число вентилей, размещаемых на одной микросхеме. Уплотнение вентилей и сокращение их размеров дает возможность надеяться на увеличение скорости переключений в микросхеме и снижение потребления энер­гии.

Внедрение технологии СБИС стало возможным благодаря умению изготови­телей ИС выполнять точное экспонирование фотошаблонов схем с высоким раз­решением на кремниевых пластинах, покрытых резистом.

Разрешение этих шабло­нов позволяет уменьшить минимальную ширину линий до 1-2 микрон. Для получения такого разрешения используется широкий спектр литографических методов: контактный, с совмещением, проекционный 1:1, с последовательным шаговым экспонированием, рентгеновский и электронно-лучевой.

По оценкам промышленных экспертов технология СБИС скоро достигнет такого уровня, что на микросхеме можно будет разместить до миллиона вентилей. Серьезной проблемой в разработке СБИС становится затрата значительных ресур­сов, которые требуются для проектирования внутренней логической структуры микросхемы. Возрастает вероятность потери рынка сбыта, потому что последний может не согласиться с базовыми идеями, заложенными в проект на различных этапах его разработки.

Чтобы избежать этих неприятностей, компании, выпускающие полупроводни­ковую продукцию, вынуждены переходить на новые методы разработки. Теперь инженеры и проектировщики уже не могут «вручную» продумывать, разрабатывать, а затем тестировать новую микросхему - это заняло бы слишком много времени. Весь комплексный проект разбивается на серию задач, каждую из которых можно запрограммировать на ЭВМ.

Сначала выполняется функциональное проектирование-синтез, верификация, моделирование и тестирование на архитектурном, системном, логическом, схемном, приборном и процессном уровнях. Затем идет физическая разработка разбиение, разработка топологии и топологический анализ. На обеих фазах параллельно с проектированием должны рассматриваться такие факторы, как функциональность, тестируемость и технологичность.

Системы автоматизированного проектирования (САПР) требуют значительных ресурсов памяти и многих часов процессорного времени для решения задач, возникающих при проектировании топологии сложной микросхемы. К тому же компьютерные программы не достигли пока такого уровня, чтобы они могли предлагать лучшие решения, чем опытные разработчики, так что на каждом шаге, перед тем как двинуться дальше, должны выполняться перекрестные про­верки и контроль. Тем не менее применение САПР ускорило разработку микросхем.

8.  Методы контроля ИС

При изготовлении интегральных схем очень важным является контроль технологических процессов. Хорошо организованный контроль обеспечивает высокий процент выхода годной продукции. Успешный контроль изготовления интегральных микросхем в основном зависит от знания процесса производства и заключается в измерении и визуальной проверке основных операций технологического процесса, а также в использовании полученной информации для корректирования технологических режимов. Методы технологического контроля, используемые в производстве ИМС, можно объединить в три группы :

o  пооперационный контроль,

o  визуальный контроль,

o  тестовые ИМС.

Методы пооперационного контроля после технологических процессов эпитаксии, диффузии и других те же, что и в производстве дискретных приборов. Сюда входят измерения толщин пленок, глубин p-n - переходов, поверхностной концентрации и др., производимые на специальных контрольных образцах, помещаемых вместе с обрабатываемыми пластинами на данную операцию.

Метод визуального контроля играет важную роль в производстве ИМС, несмотря на кажущуюся тривиальность. Он включает осмотр схем под оптическим микроскопом и использование различных средств визуализации – наблюдение термографии и др.

Наконец, один из основных методов контроля параметров ИМС на различных технологических этапах – это применение тестовых структур. Рассмотрим более подробно два последних метода.

8.1Визуальный контроль

Существенные данные о состоянии пластины можнополучить визуальной проверкой с помощью микроскопа с большим увеличением – от80х до 400х. При этом выявляются такие показатели, каксостояние поверхности, избыточное или недостаточное травление, изменениетолщины окисного слоя, правильность перехода и др.

Одним из наиболее опасных дефектов является пористостьокисного слоя, легко обнаруживаемая при визуальной проверке схемы подмикроскопом. Это – небольшие отверстия в окисном слое, вызванные либо пыльюпри нанесении фоторезиста, либо повреждением фотошаблона. Если этот дефектокажется в критической точке, то последующая диффузия примеси может вызватькороткое замыкание перехода и выход из строя всей микросхемы.

Одним из эффективных методов визуализации являетсяиспользование сканирующего электронного микроскопа, позволяющего наблюдатьтопографический и электрический рельеф интегральной микросхемы. Это наблюдениеобеспечивает неразрушающий характер контроля. Для наблюдения необходимо, чтобыповерхность микросхемы была открытой. Резкое изменение потенциала наповерхности вызывает изменение контраста изображения, формируемого вторичнымиэлектронами, и свидетельствует о разомкнутой электрической цепи или оперегретых участках. Этим методом можно легко обнаружить загрязнение перехода, частицы пыли, проколы в окисном слое и царапины на тонком слое металлизации. Нормальный градиент потенциала в резисторе можно наблюдать в виде равномерногоизменения цвета от темного на одном конце резистора до светлого на другом егоконце, при этом подложка имеет более высокое напряжение смещения, как этообычно бывает и интегральных микросхемах. Изображение резистора поэтому будетрельефным. Установив ряд таких изображений интегральных компонентов, соответствующих норме, можно судить на основании сравнения с этими эталонами оботклонениях и вызвавших их причинах. Увеличение энергии электронов в лучепозволяет проникать в поверхностный слой для обнаружения таких дефектов, кактрещины.

Для измерения термических профилей с выявлениемперегретых участков разработан инфракрасный сканирующий микроскоп. Микроскопвключает ИК - детектор с высокой разрешающей способностью, объединенный спрецизионным сканирующим и записывающим устройствами. Чувствительным элементомявляется пластина антимонида индия, поддерживаемая при температуре жидкогоазота. Такую аппаратуру используют для оценки качества конструкции данноймикросхемы в отношении рассеяния тепла и мощности. Термосканирующий приборимеет следующие достоинства: высокая разрешающая способность–порядка 1*10-3мм2 , высокая чувствительность к изменению температуры ­–порядка 2°С, широкий температурный диапазон–от 30 донескольких сотен градусов, высокая скорость срабатывания – единицы мкс, неразрушающее и бесконтактное измерение.

В планарных структурах на поверхности схемы хорошовидны горячие участки, возникающие в результате наличия проколов в окисле идиффузионных каналов в полупроводнике. Отклонения от нормы обнаруживают путемсравнения с нормально функционирующими стандартами ИМС. В последние годыширокое применение получили термографические системы, основанные наиспользовании термочувствительных красок. Пленки из термочувствительных красок, в том числе жидких кристаллов, нанесенные на поверхность интегральноймикросхемы, поставленной под нагрузку, окрашиваются в различные цвета, чтопозволяет, наблюдая ИМС под микроскопом, фиксировать изменение температуры сточностью до 0.5° С.

8.1.  2 Диагностический контроль

Наиболее эффективен при проведении испытаний гибридных интегральных микросхем, в которых в принципе возможна замена неисправных элементов, расположенных на общей подложке.

Сложность и многообразие программы функционального и диагностического контроля интегральных микросхем требуют обязательного использования ЦВМ и специальных автоматизированных систем. Автоматизированные системы, используемые для контроля интегральных микросхем, характеризуются следующими основными параметрами: производительностью, максимальным числом выводов, максимальным числом разрядов кодовой комбинации, выдаваемой одной командой за один цикл управления, числом контрольных постов в системе, с которыми возможна одновременная работа, составом и универсальностью программного обеспечения, возможностью выполнения параметрического контроля.

Принцип работы автоматизированной системы функционального контроля интегральных микросхем с применением ЦВМ состоит в следующем.

По команде от ЦВМ в счетчик адреса памяти записывается начальный адрес входных тестовых комбинаций, а в регистр адреса контролируемой тестовой комбинации – соответствующий адрес. На компаратор подается от ЦВМ ожидаемая комбинация входных сигналов. Несколько разрядов запоминающего устройства входных тестовых комбинаций выделено для хранения определенного числа циклов тактового генератора В течение периода хранения на входные выводы интегральной схемы должна подаваться одна и та же тестовая комбинация. Число циклов в обратном коде переписывается в счетчик повторений тестовых комбинаций, на счетный вход которого поступают тактовые импульсы. При его заполнении увеличивается содержимое счетчика адреса памяти и опрашивается запоминающее устройство входных тестов по новому адресу. При равенстве адреса счетчика памяти и регистра контролируемой комбинации прекращается подача тактовых импульсов, компаратор стробируется по времени, фиксируя входные импульсы последней тестовой комбинации.

Путем записи в регистр адреса контролируемой комбинации различных адресов проверяется интегральная микросхема с динамической логикой на всех тестовых комбинациях. Кроме указанных элементов система включает в себя схему сравнения, схему выдачи входных воздействий и вентиль.

Наиболее эффективными методами контроля качества соединений являются испытания на механическую прочность и металлографический анализ.

Заключение

Применение интегральных микросхем вместо схем, состоящих из дискретных элементов, дает ряд преимуществ, из которых важнейшими являются: уменьшение габаритных размеров (миниатюризация) и массы устройства, увеличение надежности, снижение стоимости изготовления устройств и уменьшение потребления материалов.

Список литературы

1.  http://ru. wikipedia. orgПоследнее изменение этой страницы: 09:59, 21 апреля 2011.

2.  http://www. profininc. ru/rus/transistor/priemysestvo-primenenia-integralinih-microshem. htm

3.  http://www. bibliofond. ru/view. aspx? id=г

4.  http://www. chipfind. ru/datasheet/asic/2011г

5.  «Технология производства интегральных микросхем» ,М.,Радио и связь 1991.

6.  «Технология производства полупроводниковыхприборов и интегральных микросхем» М., 1979.



Подпишитесь на рассылку:




Основные темы

Проекты по теме:

Основные порталы, построенные редакторами

Домашний очаг

ДомДачаСадоводствоДетиАктивность ребенкаИгрыКрасотаЖенщины(Беременность)СемьяХобби
Здоровье: • АнатомияБолезниВредные привычкиДиагностикаНародная медицинаПервая помощьПитаниеФармацевтика
История: СССРИстория РоссииРоссийская Империя
Окружающий мир: Животный мирДомашние животныеНасекомыеРастенияПриродаКатаклизмыКосмосКлиматСтихийные бедствия

Справочная информация

ДокументыЗаконыИзвещенияУтверждения документовДоговораЗапросы предложенийТехнические заданияПланы развитияДокументоведениеАналитикаМероприятияКонкурсыИтогиАдминистрации городовПриказыКонтрактыВыполнение работПротоколы рассмотрения заявокАукционыПроектыПротоколыБюджетные организации
МуниципалитетыРайоныОбразованияПрограммы
Отчеты: • по упоминаниямДокументная базаЦенные бумаги
Положения: • Финансовые документы
Постановления: • Рубрикатор по темамФинансыгорода Российской Федерациирегионыпо точным датам
Регламенты
Термины: • Научная терминологияФинансоваяЭкономическая
Время: • Даты2015 год2016 год
Документы в финансовой сферев инвестиционнойФинансовые документы - программы

Техника

АвиацияАвтоВычислительная техникаОборудование(Электрооборудование)РадиоТехнологии(Аудио-видео)(Компьютеры)

Общество

БезопасностьГражданские права и свободыИскусство(Музыка)Культура(Этика)Мировые именаПолитика(Геополитика)(Идеологические конфликты)ВластьЗаговоры и переворотыГражданская позицияМиграцияРелигии и верования(Конфессии)ХристианствоМифологияРазвлеченияМасс МедиаСпорт (Боевые искусства)ТранспортТуризм
Войны и конфликты: АрмияВоенная техникаЗвания и награды

Образование и наука

Наука: Контрольные работыНаучно-технический прогрессПедагогикаРабочие программыФакультетыМетодические рекомендацииШколаПрофессиональное образованиеМотивация учащихся
Предметы: БиологияГеографияГеологияИсторияЛитератураЛитературные жанрыЛитературные героиМатематикаМедицинаМузыкаПравоЖилищное правоЗемельное правоУголовное правоКодексыПсихология (Логика) • Русский языкСоциологияФизикаФилологияФилософияХимияЮриспруденция

Мир

Регионы: АзияАмерикаАфрикаЕвропаПрибалтикаЕвропейская политикаОкеанияГорода мира
Россия: • МоскваКавказ
Регионы РоссииПрограммы регионовЭкономика

Бизнес и финансы

Бизнес: • БанкиБогатство и благосостояниеКоррупция(Преступность)МаркетингМенеджментИнвестицииЦенные бумаги: • УправлениеОткрытые акционерные обществаПроектыДокументыЦенные бумаги - контрольЦенные бумаги - оценкиОблигацииДолгиВалютаНедвижимость(Аренда)ПрофессииРаботаТорговляУслугиФинансыСтрахованиеБюджетФинансовые услугиКредитыКомпанииГосударственные предприятияЭкономикаМакроэкономикаМикроэкономикаНалогиАудит
Промышленность: • МеталлургияНефтьСельское хозяйствоЭнергетика
СтроительствоАрхитектураИнтерьерПолы и перекрытияПроцесс строительстваСтроительные материалыТеплоизоляцияЭкстерьерОрганизация и управление производством

Каталог авторов (частные аккаунты)

Авто

АвтосервисАвтозапчастиТовары для автоАвтотехцентрыАвтоаксессуарыавтозапчасти для иномарокКузовной ремонтАвторемонт и техобслуживаниеРемонт ходовой части автомобиляАвтохимиямаслатехцентрыРемонт бензиновых двигателейремонт автоэлектрикиремонт АКППШиномонтаж

Бизнес

Автоматизация бизнес-процессовИнтернет-магазиныСтроительствоТелефонная связьОптовые компании

Досуг

ДосугРазвлеченияТворчествоОбщественное питаниеРестораныБарыКафеКофейниНочные клубыЛитература

Технологии

Автоматизация производственных процессовИнтернетИнтернет-провайдерыСвязьИнформационные технологииIT-компанииWEB-студииПродвижение web-сайтовПродажа программного обеспеченияКоммутационное оборудованиеIP-телефония

Инфраструктура

ГородВластьАдминистрации районовСудыКоммунальные услугиПодростковые клубыОбщественные организацииГородские информационные сайты

Наука

ПедагогикаОбразованиеШколыОбучениеУчителя

Товары

Торговые компанииТоргово-сервисные компанииМобильные телефоныАксессуары к мобильным телефонамНавигационное оборудование

Услуги

Бытовые услугиТелекоммуникационные компанииДоставка готовых блюдОрганизация и проведение праздниковРемонт мобильных устройствАтелье швейныеХимчистки одеждыСервисные центрыФотоуслугиПраздничные агентства

Блокирование содержания является нарушением Правил пользования сайтом. Администрация сайта оставляет за собой право отклонять в доступе к содержанию в случае выявления блокировок.