Ю. В. БАЛАКШИН, В. С. ЧЕРНЫШ, А. С. ПАТРАКЕЕВ, А. А. ШЕМУХИН
НИИ ядерной физики им. МГУ им. , Москва
МОДИФИКАЦИЯ СВОЙСТВ СТРУКТУРЫ
«КРЕМНИЙ-НА-САПФИРЕ» МЕТОДОМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
Минитюаризация элементов интегральных микросхем (ИМС) увеличивает влияние паразитных эффектов. Эпитаксиальное осаждение кремния на изолирующие подложки из сапфира – одно из перспективных направлений в технологии создания ИМС. Начальный этап осаждения кремния на поверхности сапфира характеризуется образованием структурных дефектов в слое кремния, сильно ограничивающих применимость структур «кремний-на-сапфире». Уменьшить плотность дефектов кристаллизации в приграничном слое кремния возможно с помощью ионной имплантации, и последующего высокотемпературного отжига. Данная работа направлена на изучение влияния параметров ионного облучения на процесс обратной кристаллизации.
