И. О. ИШУТИН, А. В. ТЁМА

Научный руководитель – Г. И. ЗЕБРЕВ

Московский инженерно-физический институт (государственный университет)

ПРОГРАММА ЭКСТРАКЦИИ ПАРАМЕТРОВ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ВЕЙБУЛЛА ДЛЯ АППРОКСИМАЦИИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ПО СЕЧЕНИЮ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ
ОТ ПРОТОНОВ И ТЯЖЕЛЫХ ИОНОВ

Разработан программный модуль ЭКСТРАКТ, позволяющий рассчитать параметры интерполяционной кривой Вейбулла для зависимости сечения сбоев от ЛПЭ для тяжелых ионов или от энергии для протонов.

В рамках создания испытательного центра контроля стойкости ЭКБ к воздействию одиночных частиц ионизирующего излучения космического пространства ведется создание программного обеспечения для обработки экспериментальных данных [1].

Результатом прямых испытаний (экспериментов) на ускорителе являются таблица, характеризующая сечения сбоев для разных значений линейной передачи энергии (ЛПЭ) для тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ), либо энергий для испытаний на протонах. Для параметризации используется 4-параметрическое распределение Вейбулла:

По экспериментальным данным производится идентификация подгоночных параметров Вейбулла. Для этого используется оптимизационная процедура, основанная на минимизации функционала отклонений. На случай, если помимо стандартных входных данных предоставляется дополнительная информация о степени доверия к определённым экспериментальным точкам, имеется опция задания весовых коэффициентов для каждой точки.

Рис.1. Пример интерполяции экспериментальных данных с помощью кривой Вейбулла

для двух типов схем памяти

Данные, полученные в результате работы программного модуля “Экстракт” являются входными параметрами симулятора PRIVET [2], который используется для расчёта интенсивности сбоев в заданных условиях космического пространства. Проведены испытания программы на выборках реальных экспериментальных данных как в части ТЗЧ, так и протонов. Примеры расчёта показаны на рис.1.

Список литературы

1. V. S. Anashin, V. V. Emelyanov, G. I. Zebrev, I. O. Ishutin, N. V. Kuznetsov, B. Yu. Sharkov, Yu. A. Titarenko, V. F. Batyaev, S. P. Borovlev “Accelerator Based Facility for Characterization of Single Event Upsets (SEU) and Latchups (SEL) in Digital Electronic Components”. report at International Conference on Nicro - and Nanoelectronics, October 2007, Zvenigorod, Russia

2. G. I. Zebrev, I. A. Ladanov et al. “PRIVET – A Heavy Ion Induced Single Event Upset Rate Simulator in Space Environment”, 8th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems Proceedings, 2005. RADECS 2005.