А. Н. КОЛЯДИН, А. Л. КУЗНЕЦОВ1, А. Ю. ПАВЛОВ1
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
1Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН
ОПТИМИЗАЦИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
К СТРУКТУРЕ AlGaN/GaN
Представлены результаты оптимизации омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN. Анализ полученных результатов показывает, что наиболее подходящими являются омические контакты на основе сплава Ti/Al/Pd.
В настоящее время изготовление СВЧ-приборов на основе наногетероструктур AlGaN/GaN является перспективным направлением. Формирование качественных омических контактов к гетероструктуре на основе AlGaN/GaN – одна из самых сложных задач в технологии изготовления транзисторов.
В работе исследовалась зависимость параметров (линейность, сопротивление, морфология) омических контактов от состава и толщины металлизации, а также от температуры и времени отжига. Омические контакты формировались путем напыления соответствующих металлов на пластины в установке УВН с последующим высокотемпературным отжигом в атмосфере азота. Анализ полученных результатов показывает, что применение состава Ti/Al/Pd улучшает морфологию и позволяет понизить сопротивление омических контактов по сравнению с традиционной металлизацией Ti/Al/Ni/Au, что способствует существенному улучшению конечных параметров транзисторов.
