ПРИЛОЖЕНИЕ 2
«Методы исследования материалов и структур электроники» СД.05 (Название дисциплины; индекс(ы) дисциплины в учебном(ых) плане(ах) для которых читается дисциплина. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
«Материаловедение» ЭИУ4-КФ(сокращенное название обеспечивающей кафедры) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ассистент(Должность, ученая степень, Ф. И.О. разработчиков УМК, контактные телефоны, адрес электронной почты разработчика - при ее наличии) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Виды и объем занятий по дисциплине
(Общая трудоемкость дисциплины в часах по семестрам, с перечислением всех видов занятий и соответствующего количества часов по учебному плану направления или специальности; форма отчетности по семестрам - экзамен, зачет, дифф. зачет) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Цель - планируемые результаты изучения дисциплины: Студент должен знать: § физические основы и многочисленные аспекты практического применения методов, их аппаратурное оформление; § принципы и теорию формирования дифракционных картин, контраста изображения дефектов, полученных спектральных зависимостей эмитируемых частиц; § механизмы эмиссии вторичных частиц и глубины их выхода; § принципы анализа интенсивностей и пространственного распределения рассеянного излучения; § источники и детекторы излучения, энерго - и масс-анализаторы; § принципы и способы монохроматизации излучений. Студент должен уметь: § экспериментально определять ориентацию кристаллов, их пространственную группу, сингонию, тип и параметры элементарной ячейки; § индицировать дифракционные картины, анализировать спектральные зависимости; § экспериментально определять наличие структурных дефектов, их тип и концентрацию; § определять тип и концентрацию твёрдых растворов, основные параметры текстурированных материалов; § определять состав исследуемого образца на поверхности и в объёме; § определять толщины эпитаксиальных структур и макронапряжения в них. Студент должен получить навыки: § оптимального выбора метода исследования, условий и последовательности проведения эксперимента; § анализа и правильной трактовки полученных экспериментальных данных; § составления отчёта и оформления полученных результатов. (цель преподавания дисциплины, требуемые результаты изучения дисциплины) |
Место дисциплины в образовательной программе 1. Предшествующие дисциплины (Приводится перечень дисциплин с указанием разделов (тем), усвоение которых студентами необходимо для изучения данной дисциплины.) Математика § Дифференциальное и интегральное осчисления § Векторная алгебра § Аналитическая геометрия § Матрицы § Комплексные числа Физика § Физика твёрдого тела § Теория дифракции § Принципы образования атомной структуры вещества § Кристаллофизика Химия § Кристаллография и кристаллохимия § Физико-химические свойства материалов электроники Физические основы микро - и нанотехнологии § Электронная и ионная эмиссии § Физические основы формирования изображений Вакуумная техника § Получение высокого и сверхвысокого вакуума Информатика § Алгоритмы чмсленного решения дифференциальных уравнений Иностранный язык § Перевод научно-технических текстов 2. Является основой для дисциплин: (использование дисциплины в последующем образовательном процессе) Технология получения материалов и структур электроники с заданными свойствами |
Структура и ключевые понятия дисциплины: 1. Дифракционные методы анализа кристаллической структуры (34 часа): Рентгенография, электроногрфия и нейтронография: определение симметрии, сингонии ориентировки кристаллов, степени мозаичности, изгиба и макронапряжений в эпитаксиальных композициях, прецизионное определение периодов кристаллической решётки, анализ твёрдых растворов и текстур; анализ магнитных структур; Использование синхротронного излучения для анализа кристаллической структуры. Дифракция медленных электронов: определения структуры поверхностных слоёв, адсорбции и реакций на поверхности. 2. Методы наблюдения и контроля дефектов в материалах и структурах электроники (19 часов): оптическая микроскопия, высокоразрешающая рентгеновская топография, просвечивающая электронная микроскопия; сканирующая зондовая микроскопия (сканирующая туннельная, атомно-силовая, электросиловая и магнитно-силовая микроскопии). 3. Основные методы измерения электрофизических параметров полупроводников (15 часов): удельное электросопротивление, концентрация и подвижность носителей заряда, параметры неравновесных носителей заряда, параметры глубоких уровней. 4. Измерение состава твёрдых тел и концентрационных профиле по основным и примесным компонентам (28 часов): рентгеновский фазовый анализ; растровая электронная микроскопия; электронно-зондовый микроанализ; рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия; вторично-ионная масс-спектроскопия; резерфордовское обратное рассеяние ионов. 5. Эксплуатация и сервисное обслуживание аналитических комплексов (2 часа): эксплуатация, оценка состояния и надёжности аналитического оборудования, техническая документация. (основные модули дисциплины и ее ключевые понятия в соответствии с образовательным стандартом) |
