Тема 4.5. Резонаторы на ПАВ и другие элементы акустоэлектроники
Резонаторы на ПАВ: устройство, характеристики ПАВ-резонаторов (погрешность центральной частоты, потери и др.), применение в РЭС. Функциональные (пьезоэлектрические) трансформаторы (на объёмных волнах и ПАВ), акустические разветвители, фазовращатели на ПАВ. Усиление ПАВ.
Тема 4.6. Выбор материалов и особенности технологии
устройств на ПАВ
Материалы, применяемые для изготовления звукопроводов устройств на ПАВ, и их основные характеристики. Основы технологии изготовления моно - и поликристаллических звукопроводов. Маршрутная технология фильтров на ПАВ на основе цирконат-титанат-свинец-керамики. Особенности создания электродных структур на поверхности звукопровода. Требования к корпусам устройств на ПАВ, основы технологии сборки.
Раздел 5. Коммутационные устройства и соединители
Тема 5.1. Теория и особенности работы разъемных
электрических контактов
Место и роль соединителей и устройств коммутации в РЭС. Основы теории электрических разъёмных контактов: поверхности контактных тел, переходное сопротивление (Rстяг, Rтун, Rдоп). Физические механизмы дрейфа заряда в разъёмных контактах. Нестабильность переходного сопротивления (статистическая и динамическая). Методика оценки переходного сопротивления для плоского и точечного контакта. Особенности эксплуатации контактов. Электрическая эрозия при размыкании и замыкании контактов. Схемы искрогашения. Механическая эрозия. Общий износ контактов при эксплуатации.
Тема 5.2. Основные типы конструкций
контактно-коммутационных устройств
Базовые типоконструкции контактно-коммутационных устройств, включающие неразъёмные, разъёмные, скользящие и разрывные контакты. Реле, герконы и другие электромеханические коммутационные элементы. Классификация и особенности конструктивного исполнения реле. Стандартизация типовых коммутационных устройств и соединителей. Применяемые материалы, процессы нанесения покрытий. Технологичность.
Раздел 6. Устройства на приборах с зарядовой связью (ПЗС)
Тема 6.1. Принципы построения и действия ПЗС
Принципы функционирования, основные характеристики и параметры ПЗС. Классификация ПЗС. Построение ПЗС. Методы ввода и детектирования заряда. Конструктивные варианты линеек ПЗС: однонаправленные, ПЗС с объемным каналом и др. Технологические особенности изготовления ПЗС.
Тема 6.2. ПЗС в устройствах обработки сигналов, памяти и
приемниках изображения
Линии задержки на ПЗС. Дискретные фильтры на ПЗС: структура, методы взвешивания отсчётов, характеристики. ПЗС-корреляторы. Сравнение основных параметров устройств обработки сигналов на ПЗС и на ПАВ. Принципы работы и основные параметры линейных и матричных формирователей видеосигнала на ПЗС. Построение ПЗС ЗУ, принципы их проектирования и основные параметры.
Раздел 7. Элементы устройств памяти и логики
Тема 7.1. Классификация и основные свойства устройств памяти,
применяемых в РЭС
Роль устройств памяти в РЭС в связи с растущим использованием микропроцессоров. Используемые физические принципы. Классификация элементов памяти по функциональному назначению, в зависимости от метода доступа, особенностей записи, хранения и считывания. Основные характеристики устройств памяти: объем памяти, быстродействие, энергопотребление, стоимость, габариты, масса, и др. Элементы памяти на магнитных носителях – на ферритовых сердечниках, магнитных пленках. Основные методы создания магнитных пленок с необходимыми свойствами и контроля их параметров. Конструктивно-технологические пути повышения надежности и эффективности производства. Устойчивость элементов памяти различных типов к внешним воздействиям.
Тема 7.2. Элементы памяти на цилиндрических
магнитных доменах (ЦМД)
Образование и физическая сущность ЦМД. Методы возбуждения, продвижения и считывания ЦМД в устройствах памяти. Характеристики доменно-продвигающих структур. Конструктивно-технологические особенности и характеристики устройств памяти на ЦМД. Стабильность и надежность.
Тема 7.3. Элементы полупроводниковых ЗУ и логических устройств
Принцип работы элементов памяти на биполярных транзисторах. Разновидности ячеек памяти – ТТЛ, ТТЛШ, ЭСЛ, И2Л. Характеристики и области применения. Оперативная память на МОП-транзисторах: функциональные особенности и разновидности ячеек – статические n-канальные МОП, КМОП и динамические. Характеристики и области применения. Параметры логических элементов в составе микропроцессоров. Постоянные ЗУ масочного типа и на твёрдотельных структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структурах) – МНОП, МОП ПЗ, с пленками аморфных полупроводников. Обозначения интегральных устройств памяти и логических элементов.
Раздел 8. Элементы устройств оптоэлектроники
и устройств отображения информации
Тема 8.1. Основы оптоэлектроники и волоконно-оптической связи
Основные направления оптоэлектроники. Элементы оптоэлектронных систем. Линзовая и волоконная оптика. Световоды: устройство и основные разновидности. Характеристики волоконно-оптических линий связи (ВОЛС). Применяемые материалы и их влияние на основные характеристики световодов. Технология изготовления и сочленения волоконных световодов. Волоконно-оптические кабели.
Тема 8.2. Элементы оптоэлектронных систем обработки информации: излучатели и фотоприемники
Излучатели оптоэлектронных систем (ОЭС): требования, основные параметры. Материалы и основные типоконструкции светоизлучающих диодов (СИД). Принцип действия, основные характеристики фотоприемных элементов ОЭС. Разновидности фотоприемников: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы. Оптопары и оптроны. Оптоэлектронные функциональные элементы, интегральные схемы. Принципы работы и особенности применения оптических дисковых систем в качестве запоминающих устройств.
Тема 8.3. Элементы устройств отображения информации:
основные разновидности и характеристики
Классификация устройств отображения информации, в частности, индикаторов; их характеристики и параметры. Конструктивно-технологические разновидности и основные характеристики индикаторов: на лампах накаливания, полупроводниковые, газоразрядные, катодолюминесцентные, электролюминесцентные индикаторы. Физические основы функционирования жидкокристаллических индикаторов (ЖКИ), используемые физические эффекты. Технические и эксплуатационные свойства. Основные типоконструкции ЖКИ: буквенно-цифровые, аналоговые, мозаичные, ЗУ на основе ЖК. Конструкция и технология ЖКИ с динамическим рассеянием и на твист-эффекте. Технические и эксплуатационные свойства.
Раздел 9. Криотроны, хемотроны и другие УФЭ
Тема 9.1. Криотроны и другие устройства на основе сверхпроводимости
Сверхпроводники. Квантование магнитного потока. Джозефсоновские переходы. Криотроны и приборы на основе эффекта Джозефсона. Сверхпроводящий квантовый интерференционный детектор. Примеры схем. Применение новых материалов для устройств криогенной техники, высокотемпературная сверхпроводимость.
Тема 9.2. Хемотроны и другие функциональные элементы
Хемотроны, особенности конструкции и применение. Приборы на основе аморфных полупроводников, эффекта Ганна и др. Биоэлектроника. Перспективы развития элементной базы РЭС.
РЕКОМЕНДУЕМЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ ЛАБОРАТОРНЫХ ЗАНЯТИЙ
1. Исследование характеристик линий задержки на основе LC-фильтров.
2. Исследование характеристик пьезоэлектрических трансформаторов.
3. Исследование фильтров и линий задержки на ПАВ.
4. Исследование параметров контактных коммутационных устройств.
ЛИТЕРАТУРА
ОСНОВНАЯ
1. , Зеленский функциональной электроники и электрорадиоэлементы: Учебник для вузов. - М.: Радио и связь, 1989.
2. , , Горбунов . - М.: Высш. шк., 1987.
3. Речицкий радиокомпоненты. - М.: Радио и связь, 1987.
4. Свитенко . - М.: Высш. шк., 1987.
дополнительная
1. Лаксон Дж. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление. - М.: Мир, 1985.
2. Иванов металлические плёнки в микроэлектронике. - М.: Сов. радио, 1980.
3. , , Кокин в оптоэлектронику. М.: Высш. шк., 1991.
4. , , Персианов приборы для отображения информации. – М.: Радио и связь, 1985.
5. , Технология поверхностного монтажа.
6. Будущее технологии сборки в электронике. - М.: Мир, 1990.
7. , , Шаталов токопроводящие системы СБИС. - Мн.: Выш. шк., 1989.
8. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование./ Под ред. . - М.: Высш. шк., 1984.
9. Грязнов и дроссели в импульсных устройствах. - М.: Радио и связь, 1986.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 |
