Федеральное агентство научных организаций

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники

Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)

ЭЛЕКТРОННОЕ ПОРТФОЛИО

аспиранта

Направление подготовки: 11.06.01 Электроника, радиотехника и системы связи

Направленность: 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Квалификация выпускника: Исследователь. Преподаватель-исследователь

Форма обучения: очная

Срок обучения: 4 года

Москва 2015

1. АВТОБИОГРАФИЯ.

1.1 Учёба в ВУЗе:

Название учебного заведения

и его местонахождение

Факультет
или отделение

Год
поступления

Год
окончания или ухода

Если
не окончил,
то с какого курса ушел

Какую специальность получил в результате окончания учебного заведения, указать
№ диплома или удостоверения

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский инженерно-физический институт (Государственный университет)», г. Москва

Факультет «ЭТФ»

1998

2008

Физика конденсированного состояния вещества, ВСГ1615289, регистрационный номер 238

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики», г. Москва

Факультет электроники

2012

2014

222900, Нанотехнологии и микросистемная техника, 107705 0008588, Регистрационный номер 91267

1.2 Работа:

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

Месяц и год

Должность
с указанием учреждения,
организации, предприятия

Местонахождение
учреждения, организации,
предприятия

вступления

ухода

02.2007

Лаборант, ИСВЧПЭ РАН

г. Москва, Нагорный проезд, стр. 5

09.2014

Младший научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН

г. Москва, Нагорный проезд, стр. 5

Владение иностранными языками: английский

Хобби и увлечения: спорт, музыка, автомобили

Личные качества: аккуратность, внимательность, целеустремленность

2. МОИ ДОСТИЖЕНИЯ ДО ПОСТУПЛЕНИЯ В АСПИРАНТУРУ.

Не имел.

3. ДОСТИЖЕНИЯ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОСВОЕНИЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ АСПИРАНТУРЫ

3.1. Публикации

Публикации

Название

Выходные данные

Кол-во п. л.

Электронный вариант публикации

Характеристики и использование ВЧ и СВЧ разрядов при создании твердотельных полупроводниковых приборов

Издательство «Новые технологии», «Нано - и микросистемная техника» – 2013. - №5. С. 47-49

2

http://www. microsystems. ru/info. php? title=2&tab=nmst_publ&field=text&id=2101

Образование радиационных дефектов при травлении диэлектриков в индуктивно связанной плазме

Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды XIII международной конференции. Ульяновск: УлГу, 2011 – 481с., стр. 46-47.

Модульная система дистанционного обучения и тестирования специалистов в области плазмохимических процессов

Издательство «Новые технологии», «Нано - и микросистемная техника» – 2014. - №5. С. 52-55

3

http://www. microsystems. ru/info. php? title=2&tab=nmst_publ&field=text&id=2170

3.2. Мои достижения: не имею.

Тематика научно - исследовательской

работы

Краткое описание награды (приза), гранта, патента, свидетельства

Электронный вариант документа о награждении

3.3 Публичное представление результатов научно-исследовательской работы:

Участие в конференциях и научных проектах

Тема конференции/конкурса

Место проведения

Дата проведения

Статус конференции

Участие

(очное/заочное, с докл./без,

с публ./без)

Электронный вариант тезисов доклада

Формирование диэлектрической маски для селективного роста n+GaN в технологии невжигаемых омических контактов к структурам AlGaN/GaN

НИЯУ МИФИ

21.05.15

Международная

Очное, без доклада

3.4.Освоение образовательной программы аспирантуры:

Курс

Предмет

Оценка /

Зачет

Аттестация

1

2

3

4