1. Объемные полупроводники

Температурная зависимость краевой инжекционной электролюминесценции в SiC pn структурах

А. М. Стрельчук

Физико-технический институт им. Российской академии наук, Политехническая ул., 26-28, Санкт-Петербург, 194021, Россия.

, , эл. почта: anatoly. *****@***ioffe. ru

Представлены результаты исследования краевой инжекционной электролюминесценции (ИЭЛ) в SiC pn структурах на основе разных политипов SiC с p - и n - слоями, изготовленными различными методами [1-3]. Обнаружено, что при комнатной температуре относительная и абсолютная интенсивность краевой ИЭЛ в различных типах pn структур сильно различается и краевую ИЭЛ даже не всегда можно зарегистрировать, однако при нагреве краевая ИЭЛ во всех типах pn структур начинает доминировать. Впервые показано, что эффект роста интенсивности ИЭЛ с ростом температуры наблюдается не только при относительно малых (1-10 А/см2), но и при достаточно больших плотностях тока (~104 А/см2). По-видимому подобные эффекты ранее наблюдались (см., например, [4]).

(а)

(б)

Рис. 1. Спектры инжекционной электролюминесценции 6H-SiC p+n структуры при токе 4 А/см2 и температурах от 295 К (кривая 1) до 756 К (кривая 7) (а) [1] и 4H-SiC p+n структуры при токе 3х103 А/см2 и температурах от 290 К (кривая 1) до 795 К (кривые 7, 8) (б); p+n структуры изготовлены бесконтейнерной жидкостной эпитаксией [1, 2], Nd-Na=6x1016 cm-3) и CVD, Nd-Na=1,5х1015 cm-3.

Литература

[1] М. M. Аникин, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, и А. Е. Черенков, ФТП 28, 284 (1994).

[2] В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, и В. Е. Челноков, Письма в ЖТФ 13, 1168 (1987).

[3] A. M. Strel’chuk, E. V. Kalinina, and A. A. Lebedev, Mater. Sci. Forum 740-742, 569 (2013).

[4] О. В. Лосев, ТиТбп 44, 486 (1927).