Российская Академия наук
Учреждение Российской академии наук
Санкт-Петербургский Академический университет –
научно-образовательный центр нанотехнологий РАН
Материалы тестовой системы для промежуточной аттестации
по курсу ТС-3
«Численное моделирование эпитаксиальных процессов»
образовательной программы опережающей профессиональной подготовки, ориентированной на потребности проектных компаний , реализующих инвестиционные проекты в области разработки технологии и производства эпитаксиальных пластин и чипов излучателей и детекторов для сверхскоростных оптических межсоединений.
Материалы разработаны д. ф.-м. н
©
Санкт-Петербург
2011 г.
Контрольно-измерительные материалы для оценивания итоговых результатов по курсу «Численное моделирование эпитаксиальных процессов»
Для контроля усвоения данного курса учебным планом предусмотрен зачет, который проводится в форме теста. Подготовка к итоговому тесту требует повторения материала лекций и материалов, предлагаемых для изучения в учебных пособиях и дополнительной литературы. Критерии оценивания приведены в программе курса.
Кроме того, программой курса предусмотрен промежуточный контроль.
Целью прохождения промежуточного и итогового контроля является закрепление системных знаний о современных методах эпитаксиального синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
1. Критерии оценивания
1.1. Итоговый контроль.
При оценивании знаний слушателей по итоговому тестированию:
- оценка «отлично» выставляется, если в итоговом тестировании дано не менее 85% правильных ответов;
- оценка «хорошо» выставляется, если при тестировании дано 70% - 84% правильных ответов;
- оценка «удовлетворительно» выставляется, если при тестировании дано 60% - 69% правильных ответов;
- оценка «неудовлетворительно» выставляется, если при тестировании дано не более 59% правильных ответов.
1.2. Текущий контроль.
При оценивании знаний слушателей, при проверке выполнения письменных внеаудиторных заданий:
Оценка «отлично» выставляется, если:
- усвоена теоретическая часть работы;
- правильно сформулирована цель работы;
- правильно изложен алгоритм выполнения работы;
- слушатель правильно и аргументировано ответил на все вопросы при допуске к работы.
Оценка «хорошо» выставляется, если:
- усвоена теоретическая часть работы;
- правильно сформулирована цель работы;
- допущены неточности при изложении алгоритма выполнения работы;
- слушатель правильно ответил на 80% вопросов при допуске к работе.
Оценка «удовлетворительно» выставляется, если:
- не полностью усвоена теоретическая часть работы;
- правильно сформулирована цель работы;
- допущены неточности при изложении алгоритма выполнения работы;
- слушатель правильно ответил на 50% вопросов при допуске к работе.
Оценка «неудовлетворительно» выставляется, если:
- не усвоена теоретическая часть работы;
- не правильно сформулирована цель работы;
- не изложен алгоритм выполнения работы;
слушатель не ответил правильно на 50% вопросов при допуске к работе.
Материалы тестовой системы для промежуточной аттестации слушателей курса «Численное моделирование эпитаксиальных процессов»
1. Инструкция к выполнению теста.
Выберете правильный ответ из предложенных вариантов.
2. Вопросы тестовой системы для промежуточной аттестации слушателей по курсу «Численное моделирование эпитаксиальных процессов»
Вопрос № 1
Вопрос: Разбиение области пространства, в которой решается дифференциальное уравнение - это:
а) разностная сетка;
б) дифференциальная сетка;
в) аппроксимационное разбиение
Вопрос № 2
Вопрос: Как называется совокупность системы дифференциальных уравнений и начальных условий к ней:
а) задача Эйлера;
б) задача Лейбница;
в) задача Коши.
Вопрос № 3
Вопрос: Назовите способ оценки погрешности численного решения задачи Коши :
а) способ Грина
б) способ конечных элементов
в) способ Рунге.
Вопрос № 4
Вопрос: Какой из этих методов не является разностным:
а) метод конечных элементов
б) метод конечных площадей
в) метод конечных объемов
Вопрос № 5
Вопрос: Молекулярность пучка достигается при давлении в камере:
а) 10-5 Торр;
б) 3*10-6 Торр;
в) 10-10 Торр
Вопрос № 6
Вопрос: В качестве источников металлов во время молекулярно-пучковой эпитаксии используются
а) газы (силан, арсин, фосфин,..)
б) твердые расплавы металлов
в) порошки
Вопрос № 7
Вопрос: В качестве источника азота во время роста нитрида галлия методом МПЭ чаще всего используется:
а) газообразный азот
б) высокочастотная азотная плазма
в) аммиак
Вопрос № 8
Вопрос: Какой из методов диагностики является основным для определения морфологии поверхности во время МПЭ роста:
а) дифракция быстрых электронов,
б) лазерная интерферометрия
в) пирометрия
Вопрос № 9
Вопрос: В чем проявляется основное преимущество МПЭ в сравнении с газофазной эпитаксией:
а) возможность роста с очень малыми скоростями
б) создание резких интерфейсов
в) большая однородность и меньшее количество деффектов
Вопрос № 10
Вопрос: Зачем бывает необходим отжиг пленок после эпитаксиального роста:
а) Для улучшения морфологии поверхности
б) Для улучшения оптических свойств
в) Для улучшения электрических свойств
г) Для всех перечисленных вариантов
Вопрос № 11
Вопрос: К какому из перечисленных типов принадлежит метод Монте-Карло:
а) динамический
б) статистический
Вопрос № 12
Вопрос: Метод Монте-Карло наиболее эффективно применяется для анализа:
а) морфологии поверхности пленки
б) скорости осаждения материала
в) состава выращенной пленки
Вопрос № 13
Вопрос: Как называется закон, описывающий зависимость эффективности параллельных процессов от их количества:
а) закон Адамара
б) закон Амдала
в) закон Дейксты
Вопрос №14
Вопрос: Алгоритм Дейксты и Шолтена относится к области:
а) параллельных вычислений
б) алгоритмов на разностных сетках
в) разновидности метода Монте-Карло
Вопрос № 15
Вопрос: Как называется группа компьютеров, работающих параллельно как единая система:
а) сервер
б) сеть
в) кластер
Вопрос № 16
Вопрос: При увеличении количества процессов производительность системы:
а) монотонно увеличивается
б) остается неизменной
в) увеличивается, переходя к насыщению
Вопрос № 17
Вопрос: Увеличение какого параметра существенно снижает эффективность параллельных вычислений:
а) доля последовательных вычислений
б) доля параллельных вычислений
в) количество процессов
Вопрос № 18
Вопрос: К какому типу разностных сеток относится треугольная сетка:
а) структурированная
б) неструктурированная
Вопрос № 19
Вопрос: Метод Гаусса решения систем линейных алгебраических уравнений относится к:
а) вариационным
б) итерационным
в) рекурсивным
г) прямым
Вопрос № 20
Вопрос: Метод Зейделя решения систем линейных алгебраических уравнений относится к:
а) вариационным
б) итерационным
в) рекурсивным
г) прямым
Вопрос № 21
Вопрос: Число арифметических операций, выполняемых при решении системы линейных алгебраических уравнений порядка n по формуле Крамера
пропорционально:
а) 2n3/3
б) n!
в) n*ln(n)
г) n2
Вопрос № 22
Вопрос: К каким видам матриц применяется метод прогонки:
а) диагональным
б) симметричным
в) треугольным
г) трехдиоганальным
Вопрос № 23
Вопрос: Линейная задача о распространении тепла посредством теплопроводности сводится к решению какого типа уравнения:
а) гиперболического
б) эллиптического
в) параболического
Вопрос № 24
Вопрос: Центральными вопросами метода сеток являются вопросы:
а) аппроксимации
б) сходимости
в) точности
г) устойчивости
Вопрос № 25
Вопрос: Стационарные процессы описываются, прежде всего, уравнениями:
а) гиперболического
б) эллиптического
в) параболического
3. Ключи для проверки тестов
Номер вопроса | Номер правильного ответа | Номер вопроса | Номер правильного ответа |
1 | а | 14 | а |
2 | в | 15 | в |
3 | с | 16 | в |
4 | б | 17 | а |
5 | в | 18 | б |
6 | в | 19 | б |
7 | б | 20 | б |
8 | а | 21 | а |
9 | а | 22 | г |
10 | г | 23 | в |
11 | б | 24 | б |
12 | а | 25 | б |
13 | б |
