Российская Академия наук
Учреждение Российской академии наук
Санкт-Петербургский Академический университет –
научно-образовательный центр нанотехнологий РАН
Материалы тестовой системы для промежуточной аттестации
по курсу ТC1
«Эпитаксиальный синтез базовых полупроводниковых материалов методом молекулярно-пучковой эпитаксии»
образовательной программы опережающей профессиональной подготовки, ориентированной на потребности проектных компаний , реализующих инвестиционные проекты в области разработки технологии и производства эпитаксиальных пластин и чипов излучателей и детекторов для сверхскоростных оптических межсоединений.
Материалы разработаны к. ф.-м. н.
©
Санкт-Петербург
2011 г.
Контрольно-измерительные материалы для оценивания итоговых результатов по курсу «Эпитаксиальный синтез базовых полупроводниковых материалов методом молекулярно-пучковой эпитаксии»
Для контроля усвоения данного курса учебным планом предусмотрен экзамен, который проводится в форме теста. Подготовка к итоговому тесту требует повторения материала лекций и материалов, предлагаемых для изучения в учебных пособиях и дополнительной литературы. Критерии оценивания приведены в программе курса.
Кроме того, программой курса предусмотрен промежуточный контроль.
Целью прохождения промежуточного и итогового контроля является закрепление системных знаний о современных методах эпитаксиального синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
1. Критерии оценивания
1.1. Итоговый контроль.
При оценивании знаний слушателей по итоговому тестированию:
- оценка «отлично» выставляется, если в итоговом тестировании дано не менее 85% правильных ответов;
- оценка «хорошо» выставляется, если при тестировании дано 70% - 84% правильных ответов;
- оценка «удовлетворительно» выставляется, если при тестировании дано 60% - 69% правильных ответов;
- оценка «неудовлетворительно» выставляется, если при тестировании дано не более 59% правильных ответов.
1.2. Текущий контроль.
При оценивании знаний слушателей, при проверке выполнения письменных внеаудиторных заданий:
Оценка «отлично» выставляется, если:
- усвоена теоретическая часть работы;
- правильно сформулирована цель работы;
- правильно изложен алгоритм выполнения работы;
- слушатель правильно и аргументировано ответил на все вопросы при допуске к работы.
Оценка «хорошо» выставляется, если:
- усвоена теоретическая часть работы;
- правильно сформулирована цель работы;
- допущены неточности при изложении алгоритма выполнения работы;
- слушатель правильно ответил на 80% вопросов при допуске к работе.
Оценка «удовлетворительно» выставляется, если:
- не полностью усвоена теоретическая часть работы;
- правильно сформулирована цель работы;
- допущены неточности при изложении алгоритма выполнения работы;
- слушатель правильно ответил на 50% вопросов при допуске к работе.
Оценка «неудовлетворительно» выставляется, если:
- не усвоена теоретическая часть работы;
- не правильно сформулирована цель работы;
- не изложен алгоритм выполнения работы;
слушатель не ответил правильно на 50% вопросов при допуске к работе.
Материалы тестовой системы для промежуточной аттестации слушателей курса «Эпитаксиальный синтез базовых полупроводниковых материалов методом молекулярно-пучковой эпитаксии»
1. Вопросы проверочного теста
1. Укажите оптимальный диапазон давлений для работы криогенного насоса:
a) 102-10-6 торр
b) 10-5-10-8 торр
c) 10-2-10-11 торр
2. Что лежит в основе действия магниторазрядного насоса?
a) вымораживание частиц остаточной атмосферы камеры на поверхности активной области насоса
b) откачка частиц остаточной атмосферы посредством быстро вращающихся лопастей
c) Ионизация частиц остаточной атмосферы и их гетерирование на поверхности титановой пленки
3. Какова суммарная потребляемая мощность установки Riber 49 в режиме роста?
a) 10 кВт
b) 20 кВт
c) 35 кВт
d) 45 кВт
4. Под каким давлением находится воздушная магистраль установки Riber 49?
a) 3 атм.
b) 6 атм.
c) 8 атм.
d) 10 атм.
5. Укажите температуру кристаллизации алюминия:
a) 5000C
b) 5900C
c) 6600C
d) 7300C
6. Укажите температуру начала сгона окисла GaAs подложки:
a) 6600C
b) 6150C
c) 6000C
d) 5700C
7. Под каким углом к поверхности подложки падает пучок электронов при контроле состояния поверхности методом ДБОЭ?
a) 410-420
b) 180-190
c) 90-100
d) 10-30
8. Какой лазер и детектор следует выбрать при измерении фотолюминесценции AlGaAs?
a) лазер – зеленый, детектор - InGaAs
b) лазер – красный, детектор - CCD
c) лазер – фиолетовый, детектор - InGaAs
d) лазер – зеленый, детектор - CCD
9. Укажите типичное давление в ростовой камере установки Riber 49 в процессе эпитаксиального роста?
a) (5÷8)∙e-7 торр
b) (5÷8)∙e-8 торр
c) (5÷8)∙e-9торр
d) (5÷8)∙e-10 торр
10. Какой материал используется в качестве припоя при нанесении контактов на тестовый образец при измерении степени легирования методом Холла?
a) алюминий
b) золото
c) индий
d) олово
11. Каким параметром определяется количество осажденного материала на подложку в процессе роста?
a) количеством материала в тигле
b) температурой источника материала
c) скоростью вращения подложки
12. Из какого материала изготовлены тигли источников в установке Riber 49?
a) молибден
b) карбид гафния
c) пиролитический нитрид бора
d) ниобий
13. Каким типом проводимости будет обладать арсенид галлия, легированный кремнием?
a) p
b) n
c) i
14. К какому роду гетеропереходов относиться структура AlGaAs/GaAs?
a) I
b) II
c) III
d) IV
15. Каким коэффициентом связана длина волны фотона с его энергией?
a) 3.14
b) 2.7
c) 1.24
d) 9.8
16. Какими насосами хорошо скачивается водород? (2 варианта ответа)
a) турбомолекулярным
b) криогенным
c) магниторазрядным
d) сублимационным
17. Какой механизм роста предпочтителен при эпитаксиального выращивания арсенида галлия?
a) послойный Франк-Ван Дер Мерве
b) островковый Вольмер-Вебер
c) Странски-Крастанова
18. Какие действия следует предпринимать, находясь в зоне «шагового» напряжения?
a) Отрывать подошвы от поверхности земли и делать широкие шаги
b) Перемещаться гусиным шагом
c) Приближаться бегом к лежащему проводу
19. Как изменится положение пика фотолюминесценции при увеличении содержания индия в квантовой яме InGaAs?
a) останется неизменным
b) сдвинется в коротковолновую область
c) сдвинется в длинноволновую область
20. Каким образом изменится значение подвижности носителей заряда в образце при измерении методом Холла сначала при комнатной температуре, а затем при температуре жидкого азота?
a) увеличится
b) уменьшится
c) останется неизменным
21. Какие действия следует предпринять для уменьшения поверхностного сопротивления структуры?
a) увеличить температуру источника легирующего материала
b) уменьшить температуру источника легирующего материала
c) вырастить более тонкий легированный слой
22. Каким неразрушающим методом можно измерить поверхностное сопротивление легированной структуры с нелегированным прикрывающим слоем.
a) контактным четырехзондовым методом
b) бесконтактным вихретоковым
c) методом Холла
d) первым и вторым
23. Каково минимальное значение давления откачки форвакуумного насоса на установкe Riber 49?
a) 5∙10-1 торр
b) 5∙10-2 торр
c) 5∙10-3 торр
d) 5∙10-4 торр
24. Начиная с какого давления вакуум считается сверхвысоким?
a) 10-1 торр
b) 10-3 торр
c) 10-5 торр
d) 10-8 торр
25. Каков коэффициент прилипания галлия в избыточном потоке мышьяка при температуре роста менее 6000C?
a) 0.5
b) ~1
c) <<1
d) зависит от потока галлия
2. Ключи для проверки тестов
Номер вопроса | Номер правильного ответа | Номер вопроса | Номер правильного ответа |
1 | b | 14 | a |
2 | c | 15 | c |
3 | с | 16 | c, d |
4 | b | 17 | a |
5 | c | 18 | b |
6 | b | 19 | c |
7 | d | 20 | a |
8 | d | 21 | a |
9 | b | 22 | b |
10 | c | 23 | b |
11 | b | 24 | d |
12 | c | 25 | b |
13 | b |
