группа | Тема для самостоятельного изучения | Задания для самостоятельного выполнения | Используемая литература | |
ЭЛЕКТРОНИКА | ТЭОП-14 | Тема:Транзисторы | Выполнить тестирование (письменно, в тетрадях для конспектов) Образец выполнения теста: 9.1.4. – 1 10.1.3. - 3 | , Чиркин приборы М.: Лань, 2002. Игумнов микроэлектроники. – М.: Высшая школа, 1991. Лачин : учебное пособие. Ростов н/Д: Феникс, 2000. |
Тестирование по электронике
Тестирование по электронике
10.2.4.
Укажите входную характеристику транзистора типа р-n-р при Uкб=0.
9.1.1.
Какой полупроводник называется примесьным?
1. Смесь нескольких различных полупроводников.
2. Сплав кремния и германия.
3. Полупроводник, содержащий в небольшой концентрации примесь с валентностью, отличной от валентности основного вещества.
9.3.44.
Почему у полупроводниковых диодов вольт-амперная характеристика в области больших прямых токов близка к линейной?
1. Мало сопротивление р-n перехода в сравнении с сопротивлением кристалла.
2. Происходят лавинные процессы в области контакта.
3. Малая барьерная емкость контакта.
4. Сильные электрические поля в области контакта.
8.3.4.
Укажите семейство ВАХ фотодиода:
9.1.4.
Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников n-типа?
1. Трехвалентные (In, Ga)
2. С валентностью большей, чем у исходного материала.
3. С валентностью меньшей, чем исходного материала.
9.3.1.
Как обозначаются на схемах полупроводниковые диоды?
 |
10.3.8.
Какой из h-параметров является коэффициентом обратной связи?
1. h11
2. h22
3. h12
4. h21
9.1.19.
Какой материал чаще всего используется для изготовления выпрямительных диодов?
1. Кремний.
2. Селен.
3. Арсенид галлия.
4. Окись бария.
9.1.3.
Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводников р-типа?
1. С валентностью меньшей, чем у исходного материала (InCa)
2. Четырехвалентные (С, Sn)
3. С валентностью большей, чем у исходного материала.
8.3.24.
Сколько электронно-дырочных переходов имеет фототранзистор?
1. Один переход.
2. Два перехода.
3. Три перехода.
4. Не имеет перехода.
9.1.17.
Что такое дрейф носителей в полупроводнике?
1. Движение носителей за счет электрического поля.
2. Хаотическое тепловое движение.
3. Движение за счет разности концентраций.
10.3.1.
Какой из h-параметров является коэффициентом передачи тока?
1. h11
2. h12
3. h21
4. h22
9.3.3.
Как обозначаются на схемах туннельные диоды?
8.3.26.
За счет чего увеличивается чувствительность фототранзистора по сравнению с фотодиодом?
1. Фотогенерация носителей в фототранзисторе приводит к уменьшению сопротивления всех трех областей прибора, тогда как в фотодиоде изменяется сопротивление только двух имеющихся областей.
2. Фотогенерация носителей в фототранзисторе сопровождается дополнительной инжекцией носителей в базу.
3. Фотогенерация носителей в фототранзисторе вызывает уменьшение сопротивления двух электронно-дырочных переходов, тогда как в фотодиоде уменьшается сопротивление лишь одного перехода.
9.3.11.
Укажите график экспериментально наблюдаемой зависимости тока германиевого диода от величины приложенного напряжения.
 |
9.1.10.
Укажите энергетическую диаграмму примесьных полупроводников р-типа.
8.3.7.
Укажите на ВАХ фотодиода рабочую область в фотодиодном режиме:
9.1.9.
Какова валентность исходных материалов применяется чаще всего для
изготовления полупроводниковых приборов?
1. Три.
2. Пять.
3. Четыре.
4. Один-два.
5. Семь-восемь.
9.1.16.
Что такое диффузия носителей в полупроводнике?
1. Движение носителей за счет электрического поля.
2. Хаотическое тепловое движение носителей.
3. Движение за счет разности концентраций.
10.3.6.
Какой из h-параметров является выходной проводимостью?
1. h11
2. h12
3. h21
4. h22
9.3.17.
Какова вольт-амперная характеристика туннельного диода?
9.2.13.
В каком направлении перемещаются дырки через р-n переход за счет
диффузии?
1. Из р-области в n-область.
2. Из n-области в р-область.
3. Равновероятно в обоих направлениях.
9.2.9.
Какое включение р-n перехода называется обратным?
1. Способствующее движению подвижных носителей к р-n переходу.
2. Плюс внешнего источника к n-области, минус к р-области.
3. Плюс внешнего источника к р-области, минус к n-области.
10.1.3.
Что называется коллектором?
1. Область транзистора со средней концентрацией примеси.
2. Область транзистора, назначением которой является инжекция неосновных носителей в базу.
3. Область транзистора со стороны закрытого р-n перехода.
4. Область транзистора, назначением которой является экстракция из базы неосновных носителей.
9.2.5.
Где больше концентрация подвижных носителей, в области р-n перехода или в прилегающих к нему областях полупроводника?
1. Больше в области р-n перехода.
2. Больше в прилегающих к р-n переходу областях полупроводников.
3. Примерно одинакова.
4. Правильного ответа нет.
10.1.5.
Какое явление в транзисторе называется инжекцией?
1. Введение основных носителей в область базы.
2. Введение неосновных носителей в область базы.
3. Введение неосновных носителей в область эмиттера.
4. Введение неосновных носителей в область коллектора.
