При расчете ключа выбирают
, определяют
, находят
, а затем
. Поскольку для насыщения необходимо
, то выбирают
. Степень (качество насыщения) характеризуется коэффициентом насыщения:
.
При
быстродействие схемы и, наоборот, при
быстродействие схемы.
6.5. Токовые зеркала
6.5.1. Простое токовое зеркало
Токовое зеркало является источником тока, поддерживающим постоянный ток в нагрузке независимо от изменения ее параметров.
Работа простого токового зеркала (рис. 6.7) определяется коллекторным током транзистора
. Напряжение
для
устанавливается в соответствии с заданным током, температурой окружающей среды и типом транзистора. В результате оказывается заданным такое же напряжение
для транзистора
, согласованного с
. Таким образом,
передает в нагрузку такой же ток, что задан для
потенциометром
.

Рис. 6.7. Варианты схемы простого токового зеркала
Одним из достоинств токового зеркала как источника тока является более широкий рабочий диапазон, практически близкий к напряжению питания, так как нет падения напряжения на эмиттерном резисторе. Недостаток простого токового зеркала заключается в том, что выходной ток несколько изменяется при изменении нагрузки из-за проявления эффекта Эрли, поскольку
.
Уменьшение влияния эффекта Эрли в простом токовом зеркале достигается введением резисторов
, что повышает
и делает относительно него изменение
, а значит и изменение
, несущественным. Однако это уменьшает рабочий диапазон токового зеркала как источника тока.
6.5.2. Токовое зеркало Уилсона
Токовое зеркало Уилсона обеспечивает более высокую степень постоянства выходного тока по сравнению с простым токовым зеркалом. В схеме уменьшено влияние эффекта Эрли. Транзисторы
и
включены как в обычном токовом зеркале. Однако, с одной стороны, транзистор
в два раза уменьшает потенциал коллектора транзистора
по сравнению с простым токовым зеркалом, поэтому относительные изменения
в данной схеме меньше. С другой стороны, транзисторы
и
можно рассматривать включенными каскодно.
Такое включение компенсирует изменение тока в нагрузке, в том числе вызванное эффектом Эрли. При этом напряжение на коллекторе
и, стало быть, на базах
и
фиксируется током эмиттера
. Фактически используется свойство эмиттерного повторителя отдавать ток в нагрузку, поскольку нагрузкой эмиттерной цепи
является транзистор
.
Действительно, при ↑I→↑IЭ3→↑UЭ3→↑UБ2→↓UБЭ2→↓IК2→↓IЭ3→↓I и, наоборот, ↓I→↓IЭ3→↓UЭ3→↓UБ2→↑UБЭ2→↑IК2→↑IЭ3→↑I.

Рис. 6.8. Токовое зеркало Уилсона
6.6. Составные транзисторы
Различают два варианта составных транзисторов: по схеме Дарлингтона и по схеме Шиклаи.
Составной транзистор работает как один транзистор с коэффициентом усиления по току
, равным произведению коэффициентов
составляющих транзисторов:
. Составные транзисторы позволяют повысить входное сопротивление схем ЭП и усилителей с ОЭ, так как
. В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше обычного.
Составные транзисторы имеют пониженное быстродействие, так как транзисторы
и
срабатывают последовательно. В схеме Дарлингтона используются транзисторы одинаковой полярности, в схеме Шиклаи – транзисторы разной полярности.

а б в г
Рис. 6.9. Варианты составных транзисторов:
а – n-p-n-транзистор Дарлингтона; б – p-n-p-транзистор Дарлингтона;
в – n-p-n-транзистор Шиклаи; г – p-n-p-транзистор Шиклаи
6.7. Двухтактный выходной каскад
Применяется для усиления по мощности при работе на низкоомную нагрузку. В данной схеме (рис. 6.10, а) используются транзисторы разной полярности. Питание двухполярное.
Транзисторы работают по очереди:
– во время положительной полуволны, а
– во время отрицательной полуволны напряжения. Когда один из транзисторов находится в активном режиме, второй – закрыт.
и
можно рассматривать как ЭП, подключенные к одной нагрузке.
При RH = 8 Ом и выходном напряжении UЭФФ » 10,5 В, что соответствует UКК = 15 В, на нагрузке рассеивается мощность
.
Как правило, для улучшения температурного режима транзисторов и температурной стабильности схемы транзисторы размещают на радиаторах.
Для увеличения мощности двухтактных каскадов используют составные транзисторы. На рис. 6.10, б приведен вариант двухтактного выходного каскада на составных транзисторах:
,
– транзистор Дарлингтона,
,
– транзистор Шиклаи.

а б
Рис. 6.10. Схема двухтактного выходного каскада (а).
Вариант данной схемы на составных транзисторах (б)
Переходные искажения в двухтактном каскаде
Двухтактным каскадам присущ специфический вид искажений сигнала, возникающий при его переходе через нуль. Это явление называют переходными искажениями.
Из рис. 6.11 видно, что выходной сигнал повторяется в эмиттерах транзисторов
и
при их открывании, соответственно при UВХ > 0,6 В для
и при UВХ < –0,6 В для
. Если не принимать никаких мер, то в диапазоне сигнала
–0,6…+0,6 В оба транзистора оказываются закрытыми и выходной сигнал
.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 |


