Методические указания к самостоятельной работе «Расчет усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе» (стр. 1 )

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

Ростовская-на-Дону государственная академия

сельскохозяйственного машиностроения

Кафедра «Электротехника и техническая кибернетика»

Методические указания к самостоятельной работе

«Расчет усилителя низкой частоты

на биполярном транзисторе»

по дисциплине «Электротехника и электроника»

для студентов для студентов III курса специальностей 151001,190206,110304,150202150201

всех форм обучения

Ростов-на-Дону
2008

Составители: доцент

доцент

доцент

УДК 621.30

РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ: Метод. руководство к самостоятельной домашней работе по дисциплине

«Электротехника и электроника». / РГАСХМ ГОУ, Ростов н/Д, 2008. – 20 с.

Дается необходимый теоретический материал, задания и варианты графо-аналитического расчета, методика расчета усилителя, рассматривается пример выполнения расчета.

Предназначено для студентов 3-го курса специальностей 151001,190206,110304,150202150201всех форм обучения.

Печатается по решению редакционно-издательского совета академии

Рецензент кандидат физико-математических наук, доцент

Научный редактор кандидат технических наук, доцент

© Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ростовская-на-Дону государственная академия сельскохозяйственного машиностроения, 2008

Содержание работы:

1. В соответствии с вариантом работы выбрать транзистор,

удовлетворяющий исходным данным.

2. Определить режим работы транзистора по постоянному току:

·  постоянную составляющую тока базы – ;

·  постоянную составляющую напряжения базы –;

·  постоянную составляющую тока коллектора –;

·  постоянное напряжение коллектора –.

3. Определить режим работы усилителя по переменному току:

·  максимальное значение тока базы –;

·  минимальное значение тока базы –;

·  максимальное значение напряжения базы –;

·  минимальное значение напряжения базы –;

·  максимальное значение тока коллектора –;

·  минимальное значение тока коллектора –;

·  максимальное значение напряжения коллектора –;

·  минимальное значение напряжения коллектора –;

·  максимальное значение входного тока –;

·  максимальное значение входного напряжения –;

·  максимальное значение выходного тока коллектора –;

·  максимальное значение выходного напряжения –.

4. Рассчитать:

·  сопротивление в цепи коллектора – ;

·  сопротивления делителя напряжения, обеспечивающего

фиксированное напряжение на базе транзистора –;

·  ёмкости разделительных конденсаторов – ;

5. В соответствии с рядами номинальных сопротивлений резисторов и номинальных емкостей, выпускаемых промышленностью, выбрать по каталогам резисторы и конденсаторы ближайшие к расчетным.

6. Определить основные технические характеристики усилителя:

·  коэффициент усиления по току –;

·  коэффициент усиления по напряжению –;

·  коэффициент усиления по мощности –;

·  входное сопротивление усилителя –.

Усилитель, схема замещения которого приведена на рисунке, должен отвечать следующим требованиям:

·  тип усилителя – резистивный, с общим эмиттером, с фиксированным напряжением на базе;

·  режим усиления – класс «А»;

·  диапазон частот усиливаемого сигнала 0,2 – 200 кГц.

 

Таблица 1

Варианты исходных данных

№ варианта	, В	, В	Рекомендуемый транзистор	Тип
1	- 8	0,04	ГТ108а	pnp
2	- 9	0,04	ГТ109а	pnp
3	-14	0,05	ГТ308а	pnp
4	-12	0,05	ГТ308б	pnp
5	-16	0,04	ГТ308в	pnp
6	- 8	0,05	ГТ309а	pnp
7	- 5	0,05	ГТ309б	pnp
8	- 6	0,04	ГТ310а	pnp
9	- 6	0,04	ГТ310б	pnp
10	- 6	0,08	ГТ320а	pnp
11	- 8	0,04	Гт320б	pnp
12	- 6	0,25	ГТ321а	pnp
13	- 8	0,25	ГТ321б	pnp
14	- 6	0,25	ГТ321е	pnp
15	- 8	0,08	ГТ322а	pnp
16	- 8	0,08	ГТ322б	pnp
17	20	0,05	КТ301	npn
18	20	0,05	КТ301б	npn
19	20	0,04	КТ301а	npn
20	15	0,05	КТ312б	npn
21	10	0,05	КТ312в	npn
22	20	0,04	КТ312а	npn
23	-12	0,15	ГТ403а	pnp
24	-12	0,15	ГТ403б	pnp
25	- 4	0,04	ГТ108а	pnp
26	- 6	0,04	ГТ109а	pnp
27	-8	0,05	ГТ308а	pnp
28	-6	0,05	ГТ308б	pnp
29	-10	0,04	ГТ308в	pnp
30	- 6	0,05	ГТ309а	pnp
31	- 3	0,05	ГТ309б	pnp
32	- 4	0,04	ГТ310а	pnp
33	- 4	0,04	ГТ310б	pnp

Окончание таблицы 1

№ варианта	, В	, В	Рекомендуемый транзистор	Тип
34	- 8	0,08	ГТ320а	pnp
35	- 6	0,04	Гт320б	pnp
36	- 4	0,25	ГТ321а	pnp
37	- 4	0,25	ГТ321б	pnp
38	- 4	0,25	ГТ321е	pnp
39	- 4	0,08	ГТ322а	pnp
40	- 4	0,08	ГТ322б	pnp
41	12	0,05	КТ301	npn
42	12	0,05	КТ301б	npn
43	12	0,04	КТ301а	npn
44	25	0,05	КТ312б	npn
45	25	0,05	КТ312в	npn
46	20	0,04	КТ312а	npn
47	-18	0,15	ГТ403а	pnp
48	-18	0,15	ГТ403б	pnp

Преподавателем могут быть выданы и другие исходные данные.