Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто

  • 30% recurring commission
  • Выплаты в USDT
  • Вывод каждую неделю
  • Комиссия до 5 лет за каждого referral

Министерство образования и науки РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «МИЭТ»

«УТВЕРЖДАЮ»

Ректор МИЭТ

________________

«__» ___________ 2012 г.

УЧЕБНО-ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН

дополнительной образовательной программы опережающей профессиональной переподготовки

«Органическая электроника»

Цель программы: предоставление теоретических и технических знаний в области микро - и органической электроники, а также введение в технологический процесс с целью подготовки специалистов, способных успешно выполнять инженерные работы в сфере производства и контроля качества электронных функциональных устройств на основе полимерных материалов и проводить трансферт зарубежных технологий.

Срок обучения: 954 часа, 20 недель, 5 месяцев (час., нед., мес.)

Квалификация выпускника: специалист в области органической электроники

Форма обучения: очная

№ п/п

Наименование

профессионального модуля

Всего часов

Количество часов (в акад. часах)

Форма контроля

Распределенная

практика

Аудиторная работа

Самостоятельная работа

Лекционные занятия

Практические занятия (семинары)

Лабораторные работы

Всего ауд. часов

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

1

ПМ 01 Английский язык (спец. разделы)

72

48

48

24

Зачет

16

1.1

Раздел 01.1. Общение в профессионально значимых ситуациях

38

24

24

14

8

1.2

Раздел 01.2. Чтение, перевод и переработка информации из специальных текстов

34

24

24

10

8

2

ПМ 02 Основы управления проектами в высокотехнологичной сфере и деловые бизнес-коммуникации

80

26

16

12

54

26

12

2.1

МДК 02-1 Деловые бизнес-коммуникации и культурная адаптация

30

12

8

20

10

Зачет

3

2.1.1

Раздел 02-1.1 Эффективные коммуникации

18

6

6

12

6

2.1.2

Раздел 02-1.2 Имидж делового человека

6

3

1

4

2

2.1.3

Раздел 02-1.3 Национальные особенности делового общения

6

3

1

4

2

3

2.2

МДК 02-2 Основы информационных технологий в деловых бизнес-коммуникациях

20

2

12

14

6

Зачет

3

2.2.1

Раздел 02-2.1 Основы информационных технологий в бизнес-коммуникациях

20

2

12

14

6

3

2.3

МДК 02-3 Основы управления проектами в высокотехнологичной сфере

30

12

8

20

10

Зачет

6

2.3.1

Раздел 02-3.1. Введение в управление проектами

4

2

2

2

2.3.2

Раздел 02-3.2 Проект как объект управления

11

4

4

8

3

2.3.3

Раздел 02-3.3 Методы и инструменты управления проектами

9

4

2

6

3

3

2.3.4

Раздел 02-3.4 Формирование проектной команды

6

2

2

4

2

3

3

ПМ 03 Обеспечение техносферной безопасности и экологии на производствах электронной промышленности

76

30

24

54

22

12

3.1

МДК 03-1 Основы техносферной безопасности автоматизированных и роботизированных производств полимерной электроники в чистых помещениях

34

12

12

24

10

Зачет

6

3.1.1

Раздел 03-1.1 Переодевание персонала для работы в чистых зонах

10

4

4

8

2

3.1.2

Раздел 03-1.2 Поведение персонала в чистых зонах

10

2

4

6

4

3.1.3

Раздел 03-1.3 Очистка и санитарная обработка чистых зон

14

6

4

10

4

6

3.2

МДК 03-2 Основы автоматизации технологических процессов и производств в чистых помещениях электроники

42

18

12

30

12

Зачет

6

3.2.1

Раздел 03-2.1 Основы аттестации эксплуатируемых ЧПП

8

4

4

4

3.2.2

Раздел 03-2.2 Аттестация и сертификация чистого помещения

16

8

4

12

4

3

3.2.3

Раздел 03-2.3 Квалификация системы приточно-вытяжной вентиляции и кондиционирования (HVAC) и чистых помещений

28

6

8

14

4

3

4

ПМ 04 Дефекты в неупорядоченных системах полупроводников

42

8

8

12

28

14

Зачет

6

4.1

Раздел 04.1. Анализ процессов дефектообразования в полупроводниковых соединениях

4

2

2

4

4.2

Раздел 04.2. Анализ процессов дефектообразования в неупорядоченных полупроводниках

11

2

2

4

8

3

2

4.3

Раздел 04.3. Оценка процессов дефектообразования в функциональных слоях

11

2

2

4

8

3

2

4.5

Раздел 04.4. Контроль геометрических и структурных параметров полупроводников

16

2

2

4

8

8

2

5

ПМ 05 Статистические методы в управлении качеством

72

24

24

48

24

Зачет

16

5.1

Раздел 05.1. Применение теоретических основ статистических методов для обеспечения результативности контроля качества продукции

20

8

6

14

6

4

5.2

Раздел 05.2. Использование статистических методов анализа и управления процессами для улучшения качества производства продукции

16

4

6

10

6

4

5.3

Раздел 05.3. Применение стандартов серии ISO 9000 и европейской модели EFQM для увеличения результативности процессов производства продукции и их нормативно-ресурсного обеспечения

20

8

6

14

6

4

5.4

Раздел 05.4. Применение статистических методов и их программных сред для анализа причин несоответствий, улучшения технологических возможностей, увеличения выхода годной продукции, сокращения цикла его производства и издержек

16

4

6

10

6

4

6

ПМ 06 Материалы и процессы органических полупроводниковых приборов

118

44

16

24

84

34

8

6.1

МДК 06-1 Органическая химия

86

24

12

24

60

26

Зачет

4

6.1.1

Раздел 06-1.1. Теоретические основы органической химии

16

4

4

8

8

6.1.2.

Раздел 06-1.2. Основные классы органических соединений

30

16

8

24

6

6.1.3

Раздел 06-1.3. Высокомолекулярные соединения

14

4

4

8

6

6.1.4

Раздел 06-1.4. Методы исследования органических материалов

26

20

20

6

4

6.2

МДК 06-2 Материалы для органических светоизлучающих диодов

32

20

4

24

8

4

6.2.1

Раздел 06-2.1. Технологии светоизлучающих диодов

20

14

2

16

4

Зачет

2

6.2.2

Раздел 06-2.2. Технологии полимерной печати

12

6

2

8

4

2

7

ПМ 07 Методы исследования параметров неупорядоченных полупроводниковых структур

56

16

4

24

44

12

Зачет

18

7.1

Раздел 07.1. Измерение параметров слоев полупроводников, металлов и диэлектриков электрофизическими методами

30

6

2

16

24

6

4

7.2

Раздел 07.2. Измерение ВАХ тонкопленочных транзисторов

10

2

2

4

8

2

4

7.3

Раздел 07.3. Измерение параметров слоев полупроводников, металлов и диэлектриков оптическими методами

10

4

4

8

2

4

7.4

Раздел 07.4. Измерение параметров слоев полупроводников, металлов и диэлектриков физико-аналитическими методами

6

4

4

2

6

8

ПМ 08 Метрология, стандартизация и технические измерения*

50

16

8

16

40

10

Зачет

16

8.1

Раздел 08.1. Метрология, стандартизация и технические измерения

50

16

8

16

40

10

16

9

ПМ 09 Особенности наноэлектроники на основе органических материалов*

30

12

12

24

6

Зачет

6

9.1

Раздел 09.1. Рассмотрение механизмов переноса заряда в органических полупроводниках

10

4

4

8

2

9.2

Раздел 09.2. Формирование полимерных транзисторов и исследование их электрофизических свойств

10

4

4

8

2

3

9.3

Раздел 09.3. Изучение методов зондовой микроскопии для исследование полимерных пленок на нанометровом уровне

10

4

4

8

2

3

10

ПМ 10 Основы технологии микро - и наноэлектронной компонентной базы*

42

12

16

28

14

Зачет

28

10.1

Раздел 10.1. Обобщенные конструкции и технологические маршруты изготовления основных компонентов интегральных схем

7

4

4

3

10.2

Раздел 10.2. Процессы осаждения диэлектрических и проводящих слоев в производстве интегральных микросхем

8

2

4

6

2

4

10.3

Раздел 10.3. Процессы формирования изображений в слоях интегральных микросхем (процессы литографии). Импринт. Полимерные покрытия

14

2

8

10

4

8

10.4

Раздел 10.4. Технология металлизации интегральных микросхем. Полимерные покрытия

8

2

4

6

2

8

10.5

Раздел 10.5. Технология химической и сухой отчистки в технологии интегральных схем. Термомеханические свойства пленочных структур в технологии интегральных микросхем

5

2

2

3

8

11

ПМ 11 Технология материалов микро-, опто - и наноэлектроники*

30

8

12

20

10

Зачет

6

11.1

Раздел 11.1 Технология материалов микро-, опто - и наноэлектроники

30

8

12

20

10

6

12

ПМ 12 Основы технологии интегральных электронных приборов на гибких подложках*

54

12

24

36

18

Зачет

8

12.1

Раздел 12.1. Требования к материалам и структурам для гибких подложек

15

2

8

10

5

12.2

Раздел 12.2. Аморфные и нанокристаллические пленки кремния в технологии интегральных электронных приборов на гибких подложках

9

2

4

6

3

12.3

Раздел 12.3. Оксидные пленки в технологии интегральных электронных приборов на гибких подложках

16

2

12

14

2

2

12.4

Раздел 12.4. Органические пленки в технологии интегральных электронных приборов на гибких подложках

4

2

2

2

2

12.5

Раздел 12.5. Углеродные наноструктуры в технологии интегральных электронных приборов на гибких подложках

4

2

2

2

2

12.6

Раздел 12.6. Струйная печать и другие методы создания топологии на гибких подложках

4

2

2

2

2

Всего, часов

722

208

124

176

508

214

13

Производственная практика (распределенная практика)**

152

Зачет

152

14

Итоговая аттестация

80

ВКР

ИТОГО по программе:

954

208

124

176

508

214

152

* - данный модуль является специально-профессиональным и включается в маршрут обучения в соответствии со специализацией обучаемого по согласованию с проектной компаний.

** – часы, выделенные на прохождение производственной практики корректируются индивидуально по согласованию с проектной компанией.

Согласованно:

Проректор по УР

________________________

Директор института РППО

________________________

Декан факультета ЭТМО

________________________

Декан факультета ДДО

________________________

Заведующий кафедрой МПТЭ

________________________