| «утверждаю» Руководитель образовательного проекта, проректор по учебной работе _________________________ «_____» _______________________ 2010 г. | |
Государственное образовательное учреждение высшего «Уфимский государственный авиационный технический университет» Образовательный проект ГК «Роснанотех» в области создания серийного производства электрохимических станков для прецизионного изготовления деталей из наноструктурированных материалов и нанометрического структурирования поверхности | контрольные задания в тестовой форме по дисциплине образовательной программы опережающей профессиональной переподготовки в области создания серийного производства электрохимических станков для прецизионного изготовления деталей из наноструктурированных материалов и нанометрического структурирования поверхности «Методы исследования объема и поверхности микро - и наноструктурированных металлов и сплавов» |
Составители
______________ к. т.н.,
______________ к. т.н., доц.
______________ д. ф-м. н., проф.
Уфа 2010 г.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
Уфимский государственный авиационный технический университет
конрольные задания в тестовой форме
по дисциплине
«Методы исследования объема и поверхности микро - и наноструктурированных металлов и сплавов»
Уфа 2010
Назначение: | Для оценки уровня знаний и умений (навыков), формирующих компетенции слушателей по дисциплине «Методы исследования объема и поверхности микро - и наноструктурированных металлов и сплавов» в соответствии с требованиями образова-тельной программы профессиональной переподготовки в области создания серийного производства электрохимических станков для прецизионного изготовления деталей из наноструктурированных материалов и нанометрического структурирования поверхности. |
Время выполнения: | 20 минут |
Количество заданий: | 15 |
Форма тестовых заданий
По форме тестовое задание включает в себя 20 вопросов, охватывающих все разделы дисциплины.
При проверке тестовых заданий подсчитывается количество правильных ответов на вопросы. За каждый правильный ответ ставится один балл.
По результатам подсчета суммы баллов выставляется оценка (зачтено, не зачтено) в соответствии со следующими критериями:
11 – 20 баллов – зачтено;
0 – 10 баллов – не зачтено.
Анализ полученных результатов даст возможность сделать выводы об уровне усвоения учебного материала по темам и разделам дисциплины.
Инструкция по проведению тестирования
В процессе тестирования преподаватель должен:
1. Объяснить цель тестирования, указать количество заданий и время выполнения.
2. Дать рекомендации слушателям по работе с программным продуктом для компьютерного тестирования.
3. Зафиксировать время начала теста и указать момент его окончания.
4. Обеспечить самостоятельность работы слушателей.
5. По истечению времени тестирования распечатать результаты и подписать у тестируемых слушателей.
КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ
№ ДЕ | Наименование дидактической единицы (ДЕ) | № задания | Тема задания | Вопросы задания с вариантами ответов | Правильный ответ | Время выполнения задания | Форма задания | |
1 | Метод просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) | 1 | Цели и задачи исследования объема и поверхности микро - и наноструктурированных металлов и сплавов. Метод просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Принципы работы просвечивающего электронного микроскопа. Принципиальная схема ПЭМ. Режимы работы ПЭМ (светлопольное и темнопольное изображения, режим дифракции электронов). Требования к объектам исследования. Метод фольг. Метод реплик. Метод высокоразрешающей ПЭМ. | 1 | Увеличение изображения в ПЭМ по сравнению с оптическим микроскопом 1) выше 2) ниже 3) такое же | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа |
2 | ПЭМ позволяет наблюдать … 1) ядра атомов 2) атомы 3) дислокации 4) зерна | 2, 3, 4 | 1 минута | Задание с выбором нескольких правильных ответов | ||||
3 | ПЭМ обеспечивает увеличение до … раз. 1) 104 2) 105 3) 106 4) 107 | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
4 | Разрешающая способность ПЭМ зависит от длины волны … 1) света 2) электрона 3) протона | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
5 | В колонне ПЭМ поддерживается высокий вакуум с давлением, равным примерно …. Па. 1) 10-5 2) 10-6 3) 10-7 4) 10-8 | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
6 | Размер зерен в светлопольном изображении … по сравнению с таковым в темнопольном изображении. 1) больше 2) меньше 3) одинаков | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
7 | Для темнопольного изображения характерны … высокий контраст и более … интенсивность фона по сравнению со светлопольным изображением. 1) высокий, высокая 2) высокий, низкая 3) низкий, высокая 4) низкая, низкая | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
8 | Режим дифракции электронов позволяет получать …. 1) светлопольное изображение 2) темнопольное изображение 3) ни одно из них | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
9 | Кикучи-электронограммы являются результатом ….. рассеяния электронов. 1) однократного упуругого 2) однократного неупругого 3) многократного упругого 4) многократного неупругого | 4 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
10 | ПЭМ размер зерен в полученных методом интенсивной пластической деформации объемных наноструктурных металлах … , чем в соответствующих сплавах. 1) больше 2) меньше | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
11 | ПЭМ изображения свидетельствуют о формировании … и … границ зерен в объемных наноструктурных материалах, полученных методом интенсивной пластической деформации. 1) большеугловых и равновесных 2) большеугловых и неравновесных 3) малоугловых и равновесных 4) малоугловых и неравновесных | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
12 | Внесенные зернограничные дислокации образуются в результате взаимодействия решеточных дислокаций с ….. 1) вакансиями 2) решеточными дислокациями 3) границами зерен 4) дисклинациями | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
13 | Границы зерен имеют толщину, равную … межатомным расстояниям. 1) 1-2 2) 3-5 3) 5-10 4) 10-20 | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
14 | Плотность дислокаций в теле объемных наноструктурных материалов полученных методом ИПД, ….. их границах. 1) выше, чем 2) ниже, чем 3) такая же как в | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
15 | Размытые концентрические окружности на дифракционной картине свидетельствуют о …. 1) малоугловых разориентировках и невысоких внутренних напряжениях 2) малоугловых разориентировках и высокоугловых внутренних напряжениях 3) высоугловых разориентировках и невысоких внутренних напряжениях 4) высокоугловых разориентировках и высоких внутренних напряжениях | 4 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
16 | Метод ПЭМ свидетельствует о том, что в объемных наноструктурных материалах в результате ИПД формируется структура с … границами зерен. 1) высокоугловыми 2) малоугловыми 3) смешанными 4) специальными | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
2 | Метод растровой электронной микроскопии (РЭМ) | 2 | Метод растровой электронной микроскопии. Принципы работы растрового-электронного микроскопа с термоэлектронной пушкой. Принципиальная схема РЭМ с термоэлектронной пушкой. Система регистрации информации об объекте, получаемой в РЭМ. Локальный количественный анализ микроструктуры. Достинства и недостатки РЭМ. Растровый оже-электронный микроскоп. РЭМ с автоэмиссионной пушкой. Требования к объектам для изучения в РЭМ. Примеры исследования микроструктуры и локальной кристаллографической текстуры с помощью РЭМ. | 17 | Метод РЭМ - … распространенный метод структурных исследований. 1) мало 2) широко 3) наиболее распространенный | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа |
18 | В методе РЭМ электронный зонд сканирует исследуемую поверхность с помощью … полей. 1) гравитационных 2) ван дер Вальсовых 3) электрических 4) магнитных | 4 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
19 | При взаимодействии зонда в поверхностью возникает несколько видов излучений, в том числе: ….. 1) протоны 2) гамма 3) рентгеновское 4) электроны 5) световое | 3, 4, 5 | 1 минута | Задание с выбором нескольких правильных ответов | ||||
20 | Основное достоинство РЭМ … 1) высокая информативность 2) низкая стоимость 3) доступность | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
21 | Разрешающая способность РЭМ достигает … нм. 1) 1-5 2) 5-10 3) 10-20 4) 20-50 | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
22 | При исследовании объемных наноструктурных материалов, полученных методом ИПД, РЭМ позволяет разрешать зерна размером примерно … нм. 1) 100 2) 500 3) 1000 | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
23 | Объектами для исследования в РЭМ являются … 1) фольги 2) реплики 3) поверхности | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
24 | Высокая разрешающая способность РЭМ реализуется при формировании изображения с использованием … электронов 1) первичных 2) вторичных 3) третичных | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
25 | Электронная яркость пушки с автоэмиссионным катодом в… раз больше яркости пушки с термокатодом. 1) 102-103 2) 103-104 3) 104-105 | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
26 | Высокая разрешающая способность РЭМ … …. зависит от диаметра зоны, из которой эмитируются электроны. 1) прямо пропорционально 2) обратно пропорционально 3) не | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
27 | Оже-электроны образуются в результате … . 1) взаимодействия электронов с атомом 2) взаимодействия электронов с ионом 3) взаимодействия электронов с электронами | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
28 | Ускоряющее напряжение Ожэ-РЭМ около … кВ. 1) 10 2) 20 3) 30 | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
3 | Метод рентгеноструктурного анализа (РСА) | 3 | Физические основы метода РСА. Принципиальная схема дифракции рентгеновских лучей на кристаллической решетке. Устройство рентгеновского дифрактометра. Требования к объектам исследования. Примеры использования метода РСА для анализа микроструктуры объемных наноструктурных материалов, полученных методами интенсивной пластической деформации (ИПД). Общий вид рентгенограмм, параметр кристаллической решетки, атомные смещения из узлов кристаллической решетки, интегральная интенсивность диффузного фона рассения, уширение рентгеновских пиков, размер областей когерентного рассеяния, упругие микроискажения кристаллической решетки, преимущественный тип дислокаций, плотность дислокаций, концентрация вакансий, аморфизациия сплавов, кристаллографическая текстура. | 29 | Метод рентгеноструктурного анализа основан на … рентгеновских лучей. 1) интерференции 2) дифракции 3) рассеянии 4) аберрации | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа |
30 | Уравнение Вульфа-Брэггов имеет вид …. 1) dsinq=nl 2) dsinq=(n+1/2)l 3) dsinq=2nl 4) 2dsinq=nl | 4 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
31 | Изменение материала анода рентгеновской трубки приведет к изменению … 1) параметра кристаллической решетки 2) кристаллографиче-ской текстуры 3) положения пиков на рентгенограмме 4) плотности дислокаций | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
32 | Тип кристаллической решетки определяет ……… пиков на рентгенограмме 1) количество 2) положение 3) высоту 4) уширение | 1, 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
33 | Размерное уширение пиков на рентгенограмме связано с величиной …. 1) параметра решетки 2) области когерентного рассеяния 3) типом дислокаций 4) плотностью дислокаций | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
34 | Деформационное уширение пиков на рентгенограмме связано с величиной …. 1) параметра решетки 2) области когерентного рассеяния 3) типом дислокаций 4) плотностью дислокаций | 3, 4 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
35 | С увеличением степени деформации величина размерного уширения пиков на рентгенограмме …. 1) растет 2) убывает 3) не изменяется | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
36 | С увеличением степени деформации величина деформационного уширения пиков на рентгенограмме …. 1) растет 2) убывает 3) не изменяется | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
37 | Кристаллографическая текстура – это преимущественная ориентация … 1) дипольных моментов атомов 2) магнитных моментов атомов 3) кристаллографиче-ских ориентировок зерен 4) границ зерен | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
38 | Уровень интегрального фона на рентгенограмме зависит от … 1) концентрации вакансий 2) плотности дислокаций 3) ориентации границ зерен 4) размера кристаллитов | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
39 | В случае исследования аморфного состояния на рентгенограмме наблюдается формирование … 1) набора острых пиков 2) одного узкого пика 3) одного широкого пика | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
40 | При формировании твердого раствора пики на рентгенограмме … 1) смещаются в сторону меньших углов 2) смещаются в стороны больших углов 3) не смещаются | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
4 | Методика измерения толщины наноструктурированных покрытий с помощью установки CALOTEST | 4 | Цели и задачи исследования геометрии и механических свойств поверхности микро - и наноструктурированных металлов и сплавов Методы контроля толщины покрытий. Описание методики измерения толщины наноструктурированных покрытий с помощью установки CALOTEST. Описание конструкции и принципа работы установки CALOTEST. Математические модели расчета толщины наноструктурированных покрытий, на основании результатов полученных с помощью установки CALOTEST. Модель шар – плоскость. Модель шар – цилиндр. Модель шар – шар. | 41 | Метод контроля толщины покрытий выбирается согласно …….1) техническим условиям чертежа детали; 2) ГОСТу; 3) отраслевым стандартам. | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа |
42 | Методы контроля толщины покрытий делятся на… 1) неразрушающие; 2) разрушающие; 3) контактные; 4) бесконтактные | 1, 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
43 | К неразрушающим методам контроля толщины покрытий относятся ……1) магнитные; 2) профилометрический; 3) кулонометрический; | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
44 | Неразрушающие и разрушающие методы контроля толщины покрытий выбираются в зависимости от ……1) вида покрытия и материала детали; 2) от режимов и способов нанесения покрытий; 3) шероховатости покрытия | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
45 | С какой целью применяется установка CALOTEST? 1) для определения внутренних напряжений; 2) для контроля адгезионной прочности покрытий; 3) контроля толщины покрытий | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
46 | Какими преимуществами обладает установка CALOTEST по сравнению с традиционным методами контроля толщины покрытия? 1) большая скорость контроля; 2) низкая стоимость; 3) простота в эксплуатации | 1, 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
47 | Установку CALOTEST можно использовать для контроля толщины покрытия в условиях….1) серийного производства; 2) единичного; 3) массового; 4) не зависит от типа производства | 1, 2, 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
48 | Промышленный вариант установки CALOTEST позволяет определять толщину покрытия на поверхности образцов ….. 1) больших размеров и имеющих сложный профиль; 2) малых размеров и имеющие простой профиль; 3) имеющие криволинейную поверхность. | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
49 | Установки CALOTEST позволяет определять толщину …… 1) лакокрасочного покрытия; 2) металлического покрытия; 3) полимерного. | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
50 | Время затрачиваемое контролером для определения толщины однослойного покрытия в среднем составляет…..1) 10 – 15 мин; 2) 1 – 2 мин; 3) 30 – 40 мин. | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
51 | Исследуемый образец в процессе исследования подвергается …. 1) химическому травлению; 2) микроабразивному износу; 3) ионному распылению. | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
52 | На поверхность исследуемого образца воздействует ……1) специальный цилиндр; 2) алмазная пирамида; 3) специальный металлический шарик | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
53 | Нагрузка в зоне контактного трения определяется …. 1) массой шарика; 2) углом наклона образца; 3) усилием зажима. | 1, 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
54 | Износ исследуемой поверхности обеспечивается за счет добавления…. 1) специального абразивного порошка; 2) алмазной пасты; 3) абразивной суспензии, содержащей взвешенные в воде частички SiC, алмаза или др | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
55 | Поверхность после проведения испытаний образец исследуют с применением оптических средств измерения, таких как ……1) оптический микроскоп; 2) оптический рефлектометр 3) оптический микроскоп синхронизированный с цифровой фото - и видеокамерой. | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
56 | Кратер износа имеет форму …. 1) объемной сферы; 2) плоской окружности; 3) объемной пирамида. | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
57 | Диаметр кратера (отпечатка) в среднем находиться в диапазоне….1) менее 0,015 мм; 2) от 0,15 до 2 мм; 3) свыше 2 мм. | 2. | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
58 | Для расчета толщины наноструктурированного многослойного покрытия применяют такие математические модели как ….. 1) шар - диск; 2) шар – плоскость; 3) шар – цилиндр; 4) шар – криволинейная поверхность; 5) шар – шар. | 2, 3, 5 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
59 | Для расчета толщины покрытия необходимы следующие параметры отпечатка - диаметр отпечатка на верхней плоскости покрытия, диаметр отпечатка на нижней плоскости покрытия,….. 1) глубина проникновения шара в подложку (основу); 2) длительность испытаний; 3) радиус шара | 1, 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
60 | Для определения толщины покрытия по модели шар – цилиндр расчеты проводятся аналогично модели …..1) шар – плоскость; 2) шар – диск; 3) шар – шар. | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
5 | Методика измерения микро - и нанотвердости на модифицированной поверхности с помощью нанотвердомера “Nano Hardness Tester”. | 5 | Методы определения микротвердости модифицированной поверхности микро - и наноструктурированных металлов и сплавов. Физические проблемы определения нанотвердости. Нанотвердомер “Nano Hardness Tester”. Описание методики измерения микро - и нанотвердости на модифицированной поверхности с помощью наноиндентирования. Исследование зависимости микро - и нанотвердости поверхности от глубины модифицированного слоя. | 61 | Индентирование является простым, быстрым, чувствительным и универсальным методом исследования …. 1) механических свойств; 2) физических свойств; 3) химических свойств. | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа |
62 | Индентирование относится к …… 1) разрушающим методам контроля; 2) неразрушающим методам; 3) бесконтактным методам | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
63 | На развитие способов измерения твердости существенное влияние оказали работы…..1)Макса Планка; 2) Нильса Бора; 3) Генриха Герца | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
64 | Метод кинетической твердости заключается в приложении к материалу …….1) линейно изменяющейся во времени нагрузки P и одновременной записи параметров нагружения и перемещения индентора h в функции времени; 2) не линейно изменяющейся во времени нагрузки P и одновременной записи параметров нагружения и перемещения индентора h в функции времени; 3) непосредственной записи зависимости P(h) | 1,3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
65 | Модуль упругости первого рода (модуль Юнга) характеризует ….. 1) неупругие свойства материала; 2) упругие свойства материала; 3) пластичные свойства материала | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
66 | С какой целью применяется установка “Nano Hardness Tester”? 1) для определения внутренних напряжений; 2) для контроля адгезионной прочности покрытий; 3) контроля микро - и нанотвердости | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
67 | Какими преимуществами обладает установка “Nano Hardness Tester” по сравнению с традиционным методами контроля микротвердости? 1) высокая точность полученных результатов; 2) низкая стоимость; 3) простота в эксплуатации | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
68 | Нанотвердомер “Nano Hardness Tester” можно использовать для контроля микро - и нанотвердости в условиях….1) серийного производства; 2) единичного; 3) массового; 4) не зависит от типа производства | 1, 2, 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
69 | Нанотвердомер “Nano Hardness Tester” позволяет определять микро - и нанотвердость …… 1) лакокрасочного покрытия; 2) металлического покрытия; 3) полимерного. | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
70 | На поверхность исследуемого образца воздействует ……1) специальный цилиндр; 2) индентор с алмазным наконечником; 3) специальный металлический шарик | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
71 | После проведения испытаний образец исследуют с применением ….. 1) штангенциркуля; 2) оптических средств измерения; 3) магнитных средств измерения | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
72 | В зоне контакта образуется …. 1) кратер износа сферической формы; 2) царапина; 3) четырехгранная пирамида. | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
73 | В конструкции нанотвердомера “Nano Hardness Tester” используется сапфировое кольцо, которое предназначено для проверки того, что образец расположен относительно индентора строго ….1) параллельно; 2) перпендикулярно; 3) под углом 45º. | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
74 | Для анализа размера отпечатка применяется….1) оптический микроскоп; 2) цифровая камера; 3) комплекс состоящий из оптического микроскопа и цифровой камеры. | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
75 | Максимальная глубина проникновения индентора составляет … 1) 1 мкм; 2) 20 мкм; 3) 200 мкм. | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
76 | Обработка экспериментальных данных осуществляется по результатам измерений не менее ….1) 3 отпечатков; 2) 5 отпечатков; 3) 10 отпечатков. | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
77 | После того как величина нагрузки достигает максимального значения, индентор....... 1) продолжает вдавливание; 2) отводиться в сторону для второго замера; 3) начинает разгружаться | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
78 | Широко применяют такие схемы индентации как… 1) одиночная; 2) пошаговая; 3) матричная. | 1, 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
79 | Перед началом индентации устанавливают такие параметры как: максимальная нагрузка, максимальная глубина, на которую он будет проникать; ……. 1) угол вдавливания; 2) скорости нагружения и разгружения; 3) длительность выдержки при максимальном нагружении | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
80 | Результаты замеров производимых с помощью нанотвердомера “Nano Hardness Tester” обрабатываются… 1) специальной программой входящей в состав измерительного комплекса; 2) в ручную с помощью формул; 3) в ручную с помощью специальных таблиц и графиков. | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
6 | Методика измерения адгезионной прочности систем подложка - наноструктурированное покрытие с помощью установки Micro Scratch Tester. | 6 | Методы определения адгезионной прочности систем подложка - наноструктурированное покрытие различного типа. Описание методики измерения адгезионной прочности систем подложка - наноструктурированное покрытие с помощью установки Micro Scratch Tester. Описание конструкции и принципа работы установки Micro Scratch Tester. Использование Micro Scratch Tester с малой нагрузкой для исследования тонких полимерных плёнок и покрытий. Использование Micro Scratch Tester для оценки сопротивления корозионностойких оксидных пленок продольному царапанью. Модификация Micro Scratch Tester для улучшения силового разрешения при низких нагрузках. Особенности анализа адгезионной прочности тонких плёнок и наноструктурированных покрытий полученных вакуумным ионно-плазменным методом. | 81 | Методы контроля прочности сцепления покрытий основаны на различии …….1) химических свойств металла покрытия и основного металла; 2) физико-механических; 3) механических | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа |
82 | Метод контроля толщины покрытий выбирается согласно …….1) техническим условиям чертежа детали; 2) ГОСТу; 3) отраслевым стандартам. | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
83 | Методы контроля выбирают в зависимости от …. 1) вида покрытия с учетом свойств основного металла и металла покрытия; 2) типа и назначения детали; 3) способов и режима нанесения покрытия | 1, 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
84 | Метод навивки применяют для контроля прочности сцепления покрытий на ….. 1) корпусных деталях; 2) длинномерных деталях; 3) проволоке | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
85 | Метод растяжения применяют для контроля прочности сцепления покрытий на……1) резино-технических изделиях; 2) пружинах; 3) полимерных изделиях. | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
86 | С какой целью применяется установка Micro Scratch Tester? 1) для определения внутренних напряжений; 2) для контроля адгезионной прочности покрытий; 3) контроля толщины покрытий | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
87 | Какими преимуществами обладает установка Micro Scratch Tester по сравнению с традиционным методами контроля адгезионной прочности покрытий? 1) большая скорость контроля; 2) низкая стоимость; 3) простота в эксплуатации | 1, 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
88 | Установку Micro Scratch Tester можно использовать для контроля толщины покрытия в условиях….1) серийного производства; 2) единичного; 3) массового; 4) не зависит от типа производства | 1, 2, 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
89 | Установка Micro Scratch Tester позволяет определять адгезионную прочность …… 1) лакокрасочного покрытия; 2) металлического покрытия; 3) полимерного. | 1,2,3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
90 | Поверхность исследуемого образца в процессе исследования подвергается …. 1) химическому травлению; 2) микроабразивному износу; 3) царапанью. | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
91 | На поверхность исследуемого образца воздействует ……1) специальный цилиндр; 2) алмазная пирамида; 3) специальный индентор | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
92 | Во время процесса «царапанья» на индентор действует …….1) линейновозрастающая сила; 2) линейноубывающая сила; 3) неизменная во времени сила нагружения | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
93 | Деформация в исследуемой системе за счет вдавливания индентора приводит к возникновению…….1) неупругой силы; 2) упругой силы; 3) пластической деформации | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
94 | Упругая сила может привести к разрушению адгезионных связей в исследуемой системе и является в данной методике ……..1) тангенциальной силой отрыва; 2) относительной; 3)нормальной силой отрыва. | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
95 | После проведения испытаний образец исследуют с применением ….. 1) штангенциркуля; 2) оптических средств измерения; 3) магнитных средств измерения | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
96 | В зоне контакта образуется …. 1) кратер износа сферической формы; 2) царапина; 3) четырехгранная пирамида. | 2 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
97 | Анализ результатов теста для определения критической силы нагружения (адгезионной прочности) может вестись такими способами, как …1) по показаниям с датчика акустической эмиссии; 2) по характеру зависимости силы трения; 3) визуальное наблюдение факта разрушения покрытия в оптический микроскоп. | 1, 2, 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
98 | Применение «качающегося» модуля позволяет….1) многократно удлинить протяжённость трека 2) существенно сократить протяженность трека; 3) перемещать образец относительно индентора. | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
99 | Методика использования «качающегося» модуля удобна для исследования………1) лакокрасочных покрытий; 2) полимерных покрытий; 3) твёрдых наноструктурированных покрытий | 3 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа | ||||
100 | Калибровочный тест перед началом работы проводиться …..1) с высокой скоростью роста нормальной силы нагружения, заведомо перекрывающем зону предполагаемого расположения критических точек; 2) с низкой скоростью; 3) со средней скоростью. | 1 | 1 минута | Задание с выбором одного правильного ответа |
