ВОПРОСЫ к ЗАЧЕТУ
Электронная Оже-спектроскопия( ЭОС)
1. Возможности, применение, особенности метода ЭОС.
2. Физические основы метода ЭОС. Механизм Оже-процесса.
3. Глубина выхода Оже-электронов.
4. Вероятность Оже-эффекта. Вероятность выхода Оже-электронов из разных матриц.
5. От чего зависит интенсивность линий Оже-спектра.
6. Собственная ширина атомных уровней. Энергетическое разрешение (разрешающая способность) в ЭОС.
7. jj - и LS-связи.
8. Методика обработки и расшифровки Оже-спектров.
9. Качественный и фазовый анализ методом ЭОС (принцип и возможности).
10. Количественный анализ с помощью метода ЭОС.
11. Устройство оборудования для измерения методом ЭОС.
12. Аппаратура для ЭОС. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом ЭОС.
13. Аппаратура для ЭОС. Источники электронов (устройство, принцип работы и требования).
14. Аппаратура для ЭОС. Энергоанализатор электронов типа цилиндрическое зеркало (АЦЗ). (устройство, принцип работы и энергетическое разрешение).
15. Область применения и ограничения метода ЭОС.
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФС)
1. Возможности, применение, особенности метода РФС.
2. Физические основы метода РФС.
3. РФС-спектры. Их получение. Структура пиков. Валентные уровни.
4. Вычисление энергии связи на основе данных, полученных методом РФС. Уравнение фотоэффекта и учет работы выхода энергоанализатора. Точность определения энергии связи методом РФС.
5. Аппаратура для РФС. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом РФС.
6. Аппаратура для РФС. Источники рентгеновского излучения. Способы монохроматизации рентгеновского излучения.
7. Аппаратура для РФС. Полусферический энергоанализатор электронов (ПСА). (устройство, принцип работы и энергетическое разрешение).
8. Энергетическое разрешение (разрешающая способность) в методе РФС.
9. Количественный анализ с помощью метода РФС.
10. Химический анализ методом РФС. Химический сдвиг.
11. Определение состава по глубине образца методом РФС. Определение толщины тонких пленок.
12. Область применения и ограничения метода РФС.
Вторичная ионная масс-спектрметрия (ВИМС)
1. Возможности, применение, особенности метода ВИМС. Динамический и времяпролетный ВИМС.
2. Взаимодействие первичных ионов с твердым телом. Механизм образования вторичных ионов. Коэффициент вторичной ионной эмиссии.
3. Основные параметры, влияющие на выход вторичных ионов. Процесс распыления ионов в методе ВИМС.
4. Аппаратура для ВИМС. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом ВИМС.
5. Аппаратура для ВИМС. Источники первичных ионов (жидкие металлы, газы).
6. Аппаратура для ВИМС. Масс-анализаторы вторичных ионов (квадрупольный, магнитный, времяпролетный).
7. Методика получения масс-спектра в методе ВИМС. Структура масс-спектра. Явление интерференции масс.
8. Глубинный профиль распределения в методе ВИМС. Методика получения глубинного профиля. Выбор параметров получения глубинного профиля (область анализа, скорость травления).
9. Влияние параметров исследования для получения глубинного профиля для метода ВИМС (форма, энергия, угол падения и плотность первичного пучка, свойства матрицы).
10. Глубинный профиль распределения в методе ВИМС. Профилометрия. Структура кратера распыления. Влияние параметров исследования метода ВИМС на структуру кратера распыления.
11. Глубинный профиль распределения в методе ВИМС. Получение концентрационных профилей распределения.
12. Количественная обработка данных методом ВИМС. Приготовление эталонов для количественного анализа.
13. Область применения и ограничения метода ВИМС.
14. Сравнение метода ВИМС динамического и времяпролетного.
