КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. АЛЬ-ФАРАБИ
Физико - технический факультет
Кафедра физики твердого тела и нелинейной физики
Согласовано Декан физико-технического факультета _____________________ "_______"_____________2012 г. | УтвержденоНа заседании Научно-методического Совета университета Протокол №_5_ от _22.__06.__ 2012 г. Проректор по учебной работе ___________________ "___22___"_____06_____ 2012 г. |
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ
« Введение в нанотехнологию»
Специальность: «6М071000- Нанотехнология»
Форма обучения: дневная
г. Алматы 2012 г.
УМК дисциплины составлен доцентом, к. ф.-м. н.
На основании типового учебного плана направлений подготовки специальности «6М071000- Нанотехнология»
Рассмотрен и рекомендован на заседании кафедры физики твердого тела и нелинейной физики
от «19» июня 2012 г., протокол №42
Зав. кафедрой ______________
(роспись)
Рекомендовано методическим Советом (бюро) факультета
«20» июня 2012 г., протокол №1
Председатель _______________
(роспись)
КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. аль-Фараби
Факультет физико-технический
Образовательная программа по специальности « 6М071000»
Утвержденона заседании Ученого совета физико – технического факультета Протокол № __от « __ » _________ 2012 г. Декан факультета _____________ |
СИЛЛАБУС
по базовому элективному
Блок 1 «БЭМ» 5 кредитов
включает дисциплины
«Код BNJ 5204» - « Введение в нано технологию» (3 кредита)
«Код POM 5205» - «Физические основы
микроэлектроники» (2 кредита)
1 курс,(к/о), (р/о), семестр (весенний)
СВЕДЕНИЯ о преподавателях, ведущих дисциплины модуля:
По дисциплине « Введение в нано технологию»
Тауасаров Камбар Арипович, доцент, к. ф.-м. н.
Телефоны моб : (87774921416):
e-mail: tauasarov. kambar@
каб.: 222, 109,115
По дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Тауасаров Камбар Арипович, доцент, к. ф.-м. н.
Телефоны моб : (87774921416):
e-mail: tauasarov. kambar@
каб.: 222, 109,115
ПАСПОРТ модуля: Энергетика и производство
§ Цель изучения дисциплины «Введние в нанотехнологию» является приобретение знаний, умения, навыков и подготовка высококвалифицированных специалистов материаловедов в области физики твердого тела в соответствии с требованием квалификационной характеристики по специальности «Нанотехнология ».
§ Задачи: уметь находить оригинальное применение существующим знаниям, наряду с практическим пониманием того, как существующие методы исследований и анализа применяются в нанотехнологии для получения новых наноматериалов.
§ Результате обучения по модулю магистрант будет обладать глубокими системными знаниями и уметь критически оценивать проблемы, подходы и тенденции, отражающие выбора новых наноматериалов, а также владеть компетенциями:
Инструментальные - уметь понимать и использовать концептуальные и методологические знания по нанотехнологиическим оборудованием производства материалов и смежным наукам для выполнения нестандартных задач различных уровней сложности; владеть информационными технологиями, современными сложным оборудованием для выполнения научных исследований и конкретных задач.
Межличностные - уметь работать в международных или интернациональных научных и производственных коллективах
Системные: - уметь обобщать и систематизировать научную информацию, получать новые научные факты в области нанотехнологии производства материалов, интегрировать знания и выносить свои суждения; разрабатывать научные проекты.
Предметные - выбирать необходимые методы нанотехнологии производства материалов и исследования, модифицировать существующие и разрабатывать новые методы, исходя из конкретных технологии; разрабатывать новые технологии производства наноматериалов .
§ Пререквизиты: технологические процессы производства наноматериалов, физическое материаловедение, механические свойства, новые материалы, научные основы выбора материалов, радиационное материаловедение, современное материаловедение.
Постреквизиты: Магистрант, изучивший данный спецкурс, должен знать физические основы нанотехнологических оборудований и процессов получения материалов, ориентироваться в потоке современной научно-технической информации. Знания и умения, полученные магистрантами при усвоении дисциплины «Введение в нанотехнологию » является базой для изучения последующих специальных курсов, а также при работе над магистерской диссертацией.
1 дисциплина «Код BNJ 5204» - « Введение в нано технологию»
( 3 ( 2+1+0) кредита)
ПАСПОРТ дисциплины:
Цель: данный курс направлен на изучение - закономерностей получения наноматериалов (металлов, полупроводников, диэлектриков, полимеров и др.) и изучения особенности конструкции оборудования их структуры в зависимости от технологии получения материалов.
Задачи: – развивать и углублять знания в области нанотехнологии производства материалов, приобретать новые навыки на высоком профессиональном уровне; уметь выражать свои взгляды и суждения на иностранном языке.
Результаты обучения по модулю магистрант должен знать технологические оборудования для получения наноматериалов и принципы работы их по назначению, а также владеть компетенциями:
Компетенции: уметь анализировать и формулировать определенные выводы по тем или иным процессам при получении наноматериалов, ориентироваться в проблемных вопросах и самостоятельно мыслить в области технологического оборудования, понимать и использовать знания по производству материалов; владеть информационными технологиями, современными оборудованием для выполнения конкретных задач; уметь работать в международных или интернациональных коллективах; уметь обобщать и систематизировать научную информацию, получать новые научные факты в области получения материалов, выносить свои суждения; разрабатывать научные проекты; выбирать необходимые технологические процессы, разрабатывать новые методы получения наноматериалов.
СТРУКТУРА, ОБЪЕМ И СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
Не Деля | Дисциплина «Код BNJ 5204» - « Введение в нано технологию» (3 кредита) | ||
Название темы | Час. | Задания на СРМ | |
Тематический блок I Модуль 1 Введение. История развития нанотехнологии. Приоритетные направления нанотехнологии. Основные научные термины и определения. нанотехнологии. | |||
1 | Лекция №1 ,2. Чему соответствует единица «нано». Что такое нанотехнология. Как возникла нанотехнология. Практическое занятие № 1. Типы химических связей в твердом теле. | 2 1 | Составить перечень и обосновать приоритетные направления развития нано технологии. |
2 | Лекция №3 ,4. Развитие нанотехнологий. Приоритетные направления нанотехнологии. Разновидности наноматериалов: консолидированные наноматериалы, нанополупроводники, нанополимеры, нанобиоматериалы, фуллерены и тубулярные наноструктуры, катализаторы, нанопористые материалы и супрамолекулярные структуры. Наночастицы (нанопорошки). Наука о малоразмерных объектах (nanoscience). Практическое занятие № 2. Изучение структуры наноматериалов методом дифракции рентгеновских лучей. | 2 1 | |
3 | Лекция № 5, 6. Естественные границы развития существующей микроэлектроники. Квантовые ямы, проволоки и точки. Практическое занятие № 3. Изучение структуры наноматериалов методом просвечивающей электронной микроскопии. | 2 1 | |
4 | Лекция № 7, 8. Создание нанообъектов по принципам «сверху – вниз» и «снизу – вверх». Фантастические возможности нанотехнологии. Основные научные термины и определения (наноматериалы, нанотехнология, нанодиагностика, наносистемотехника). Фундаментальные проблемы индустрии наносистем. Практическое занятие № 4. Изучение структуры наноматериалов методом сканирующей электронной микроскопии. | 2 1 | |
Тематический блок II Модуль 2 Нанотехнологии «сверху – вниз» | |||
5 | Лекция № 9, 10. Формирование твердотельных нанокластеров. Твердотельные химические реакции. Практическое занятие № 5. Изучение структуры наноматериалов методом дифракции медленных и отраженных быстрых электронов. | 2 1 | Обосновать физико-химические основы нанотехнологий по принципу «сверху – вниз» в области материаловедения и создания новых материалов. |
6 | Лекция № 11, 12. Механохимические превращения. Ударно-волновой синтез. Наноструктурирование под действием давления со сдвигом. Наноструктурирование путем кристаллизации аморфных структур. Компактирование (консолидация) нанокластеров Практическое занятие № 6. Полевые методы структуры исследования наноматериалов: полевой электронный и ионный микроскоп. | 2 1 | |
Тематический блок III Модуль 3 Основы нанотехнологии консолидированных материалов | |||
7 | Лекция № 13, 14. Порошковые технологии. Конденсационный метод (метод Глейтера). Высокоэнергетическое измельчение. Механохимический синтез. Плазмохимический синтез. Синтез в условиях ультразвукового воздействия. Электрический взрыв проволочек. Методы консолидации. Электроразрядное спекание. Интенсивная пластическая деформация (кручение под высоким давлением, равноканальное угловое прессование). Практическое занятие №7. Сканирующая зондовая микроскопия: туннельная, атомно-силовая и магнитно-силовая микроскопия. | 2 1 | Обосновать физико-химические основы нанотехнологий консолидированных материалов. |
8 | Лекция № 15, 16. Контролируемая кристаллизация из аморфного состояния. Технология наноструктурированных пленок и покрытий: термическое испарение, ионное осаждение, осаждение из газовой фазы, импульсное электроосаждение, газотермическое напыление, термическое разложение. Практическое занятие №8. Рентгеновская спектроскопия и дифракция. | 2 1 | |
9 | Лекция № 17, 18. Основы нанотехнологии полупроводниковых материалов. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Механизмы роста нанопленок по Фольмеру-Веберу, Франку-Ван дер Мерве, Крастанову-Странскому. Методы CVD и PCVD. Технология получения полупроводниковых квантовых точек. Практическое занятие №9. Малоугловое рентгеновское рассеяние. | 2 1 | |
10 | Лекция № 19, 20. Основы технологии полимерных, пористых, трубчатых и биологических наноматериалов. Гибридные и супрамолекулярные материалы. Нанопористые материалы (молекулярные сита). Трубчатые наноматериалы. Полимерные наноматериалы. Наноматериалы, полученные методом самосборки. Практическое занятие №10. Электронная спектроскопия: рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, ультрафиолетовая электронная спектроскопия, Оже-спектроскопия. | 2 1 | |
Тематический блок IV Модуль 4.Основные методы создания наноструктур | |||
11 | Лекция № 21, 22. Основные методы создания наноструктур: электронолитография и наноимпринтинг, локальня эпитаксия и эпитаксия поверхностно напряженных структур, самоформирование и синтез в матрицах (темплатный синтез), зондовые методы литографии. Практическое занятие №11. Оптическая и колебательная спектроскопия. | 2 1 | Обосновать физико-химические основы нанотехнологий по созданию наноструктур. |
12 | Лекция № 23, 24. Метод локального зондового окисления. Физико-химические основы метода локального зондового окисления. Особенности создания электропроводящих зондов. Практическое занятие №12. Мессбауэровская (гамма-резонансная) спектроскопия. | 2 1 | |
13 | Лекция № 25, 26. Кинетика процесса локального зондового окисления полупроводников и сверхтонких металлических пленок. Метод формирования диэлектрической пленки, модулированной по толщине. Использование метода локального зондового окисления для создания наноструктур и элементов наноэлектроники. Практическое занятие №13. Методы радиоспектроскопии: ядерный магнитный резонанс. | 2 1 | |
Тематический блок V Модуль 5. Применение наноматериалов | |||
14 | Лекция № 27, 28. Введение. Применение конструкционных, инструментальных и триботехнических наноматериалов. Применение пористых наноматериалов и наноматериалов со специальными физико-химическими свойствами. Практическое занятие №14. Электронный парамагнитный резонанс. | 2 1 | Последние достижения нанотехнологий в области материаловедения и создания новых материалов. |
15 | Лекция № 29, 30. Наноматериалы со специальными физическими свойствами: магнитные наноматериалы, проводящие наноматериалы и изоляторы, наноструктурированные полупроводниковые материалы (эмиттеры, транзисторы, выключатели). Наноматериалы для ядерной энергетики. Наноматериалы для медицины и биологии. Микро - и наноэлектромеханические системы: создание сверхмалых копий известных макрообъектов; разработка принципиально новых образцов, не имеющих традиционных аналогов. Практическое занятие №15. Методы термогравиметрического и дифференциально-термического анализов. | 2 1 |
Список литературы
Основная литература:
1. Введение в нанотехнологию. М.: БИНОМ. 2005, -134 с.
2. Суздалев : физико-химия нанокластеров, наноструктур и
наноматериалов. М.: КомКнига, 2006, -592 с. (Синергетика: от прошлого к будущему).
3. Пул-мл. Ч., Нанотехнологии, (Мир мат-ов и тех-й). М.: Технсфера, 2006, -336 с.
4. Андриевский материалы. М.: «Академия», 2005,192 с.
5. Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: «Техносфера», 2005,144 с.
Дополнительная литература:
1. Неволин нанотехнологии в электронике,. М.: Техносфера, 2006, -160 с.
2. Сборник под ред. Мальцева . Нанотехнологии. Наносистемная
техника, (Мир материалов и технологий. Мировые достижения за 2005 год).
М.: Техносфера, 2006, -152 с.
3. Под ред. Чаплыгина в электронике. М.: Техносфера, 2005, -448 с.
4. Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований
/ Под ред. М. Роко, , П. Аливисатоса; Пер. С англ. под ред.
. -М.: Мир, 2002. - 292 с.
5. Внизу полным полно места: приглашение в новый мир физики
// Химия и жизнь. 2002. № 12. - С. 20-26.
6. Углеродные нанотрубы и родственные структуры. Новые материалы XXI века
/ Пер. с англ. под ред. . М.: Техносфера, 2003. - 336 с.
7. , , Максимова основы модификации электронных свойств некристаллических полупроводников. Гл. Х. Модификация электронных свойств пленок аморфного алмазоподобного углерода. Алматы: Казак университетi, 2005, -341 с.
8. Сборник под ред. Мальцева . Нанотехнологии. Наносистемная техника, (Мир материалов и технологий. Мировые достижения за 2008 год). М.: Техносфера, 2008, -432 с.
КАРТА УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЙ ОБЕСПЕЧЕННОСТИ ДИСЦИПЛИНЫ
№ | Авторы и название книги | Кол-тво книг в библиотеке КазНУ | |
Осн-я лит-ра | Доп-ная лит-ра | ||
1 | , Рагуля материалы. М.: «Академия», 2005, -192 с. | 10 | |
2 | Основы сканирующей зондовой микроскопии. М.: «Техносфера», 2005, 144 с. | 10 | |
3 | Сб. под ред. Мальцева . Нанотехнологии. Наносистемная техника. Мир материалов и технологий. М.: Техносфера, 2006, -152 с. | 20 | |
4 | Головин в нанотехнологию. М.: Машиностроение. 2007, -496 с. | 50 | |
5 | Суздалев : физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига, 2006, -592 с. | 25 | |
6 | Пул-мл. Ч., Нанотехнологии, (Мир материалов и технологий). М.: Техносфера, 2006, -336 с. | 20 |
2 дисциплина «Код POM 5205» - «Физические основы микроэлектроники» (2 кредита)
ПАСПОРТ модуля: Энергетика и производство
Цель – овладеть физико-химическими основами микроэлектроники и подготовка высококвалифицированных специалистов инженеров материаловедов в области физики микроэлектроники в соответствии с требованием квалификационной характеристики по специальности «Нанотехнология» .
Задачи курса: является изучения одного из важнейших приложений в области энергетики, энергосбережения и ставится задача изучить принципы работы различных микроэлектронных устройств, устройства по преобразованию различных видов энергии в электрическую, уметь использовать знания, экспериментально-практические умения и навыки по созданию современных микроэлектронных установок энергетики, знакомство с различными видами микроэлектронных установок.
Результате обучения по модулю магистрант будет владеть профессиональными знаниями и практическими навыками на уровне эксперта в области микроэлектроники и технологией различных микроэлектронных устройств.
Инструментальные - уметь понимать и использовать концептуальные и методологические знания по микроэлектронике и смежным наукам для выполнения нестандартных задач различных уровней сложности; владеть информационными технологиями, современными приборами и сложным оборудованием для выполнения конкретных задач и научных исследований.
Межличностные - уметь работать в международных или интернациональных научных и производственных коллективах
Системные: - уметь обобщать и систематизировать научную и практическую информацию, получать новые научные факты в области микроэлектроники, интегрировать знания и выносить свои суждения; разрабатывать научные проекты.
Предметные - выбирать необходимые методы микроэлектронного исследования, модифицировать существующие и разрабатывать новые методы, исходя из определенных задач разрабатывать новые методы получения микроэлектронных устройств.
Пререквизиты: физическое материаловедение, физические свойства материалов, механические устройства, механические свойства различных материалов, новые материалы, научные основы выбора материалов, технологии получения материалов, технологические оборудования производства материалов.
Постреквизиты: знания и умения, полученные магистрантами при усвоении дисциплины «Физические основы микроэлектроники» является базой для работы над диссертацией, а также помогут в решении организационных и технико-экономических вопросов, связанных с различными конструкциями, материалами помогут в объяснении физических явлений, протекающих в элементах микроэлектроники.
Компетенции: уметь, понимать и использовать знания по микроэлектронике и по смежным наукам для выполнения задач различных уровней сложности; владеть информационными технологиями, современными приборами и оборудованием для выполнения научных исследований; уметь работать в международных или интернациональных научных коллективах; уметь обобщать и систематизировать научную информацию по микроэлектронике, получать новые научные факты в области электроники и технологий производства различных устройств, выносить свои суждения; разрабатывать научные проекты; выбирать необходимые методы исследования, разрабатывать новые виды микроэлектронных устройств.
СТРУКТУРА, ОБЪЕМ И СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
Не деля | Дисциплина «Код POM 5205» - «Физические основы микроэлектроники» | ||
Название темы | Час. | Задания на СРС | |
Тематический блок I Модуль 1. Предмет микроэлектроники. | |||
1 | Лекция-1. Введение. Тенденция развития технологии микроэлектроники. Краткий исторический обзор. | 2 | Интегральные схемы. Особенности интегральных схем как нового типа интегральных приборов. |
Практическое занятие-1 Семинар. Проблема безопасности микро - и нанотехнологий | 1 | ||
2 | Лекция-2. Технологические основы микроэлектроники. Введение. Подготовительные операции. Эпитаксия. | 2 | Технология тонкопленочных гибридных ИС |
Практическое занятие-2 Семинар. Металлизация. | 1 | ||
3 | Лекция-3.Технологические основы микроэлектроники. Термическое окисление. Легирование. Травление. | 2 | Технология толстопленочных гибридных ИС. |
Практическое занятие-3 Семинар. Сборочные операции | 1 | ||
4 | Лекция-4. Нанолитография. Электронно-лучевая литография, профилирование резистов сканирующими зондами. | 2 | Сравнение нанолитографичеких методов. |
Практическое занятие-4 Семинар. Нанопечать. | 1 | ||
Модуль 2. Интегральные схемы. | |||
Лекция-5. Интегральные схемы. Введение. Логические элементы. Параметры логических элементов. | 2 | Логические элементы на биполярных транзисторах. | |
Практическое занятие-5. Семинар. Классификация ИС по степени интеграции. | 1 | ||
6 | Лекция-6.. Интегральные схемы.Интегральные триггеры. Запоминающие устройства. Большие и сверхбольшие интегральные схемы. | 2 | Логические элементы на МДП - транзисторах |
Практическое занятие-6 Семинар. Разновидности интегральных триггеров | 1 | ||
7 | Лекция-7. Интегральные схемы. Операционные усилители. Надежность интегральных схем. | 2 | Логические элементы на полевых транзисторах с управляющим переходом металл-полупроводник. |
Практическое занятие-7 Семинар. Отказы интегральных микросхем. | 1 | ||
Модуль 3. Электроника – практический курс. | |||
8 | Лекци-8. Лазеры. Квантовая электроника в современной жизни людей. Принцип работы лазера. Трехуровневые и четырехуровневые среды. | 2 | Свойства лазерных пучков. - монохроматичность - когерентность - направленность - яркость - импульсы малой длительности. |
Практическое занятие-8 Семинар. Спонтанное и вынужденное излучение; поглощение. | 1 | 1. | |
9 | Лекция-9. Лазеры. Процессы накачки (оптическая накачка, электрическая накачка, химическая накачка, лазерная накачка). Оптические резонаторы. | 2 | Типы лазеров - твердотельный лазер - газовый лазер -полупроводниковый лазер |
Практическое занятие -9. Семинар. Плоский, сферический и конфокальный резонатор. | 1 | ||
10 | Лекция-10. Лазеры. Лазеры на гомоперходе (что такое гомопереход, как его сделать). Лазеры на двойном гетеропереходе (что такое гетеропереход, как его сделать). | 2 | Применение полупроводниковых лазеров |
Практическое занятие-10 Семинар. Характеристики полупроводниковых лазеров. | |||
11 | Лекция. МикроЭВМ и их применения. Что делает компьютер. Электронная арифметика. Запоминающие устройства. | Программные средства. Цифровая обработка сигналов. | |
Практическое занятие-11 Семинар. Цифровые фильтры. | |||
12 | Лекция-12. Элементы низкоразмерных структур. Свободная поверхность и межфазные границы. Сверх решетки. Моделирование атомных конфигураций. | Оборудование и методы окисления в газовых и жидких средах: высокотемпературное химическое сухое и влажное окисление, электрохимическое окисление, теоретические модели окисления. | |
Практическое занятие-12 Семинар Методы получения нано порошка | |||
13 | Лекция-13. Структуры с квантовым ограничением внешним электрическим полем. Квантовые колодцы. Модуляционно-легированные структуры. Дельта-легированные структуры. | Низкоэнергетическая ионная имплантация методом погружения в плазму. Активация процессов при ионном легировании и химическом синтезе: термический и корпускулярно-лучевой отжиг. | |
Практическое занятие-13 Примеры наноструктурированных материалов, их свойства и практическое применение. | |||
14 | Лекция-14. Структуры с квантовым ограничением внутренним электрическим полем.Структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Структуры с расщепленным затвором. | Технология осаждения пленок Лэнгмюра-Блоджетт. | |
Практическое занятие-14 Семинар. Электронная микроскопия. | |||
15 | Лекция-15.Формирование наноструктурированных материалов.Пористый кремний. Пористый оксид алюминия и структуры на его основе. Углеродные нанотрубки. | Примеры наноструктурированных материалов, их свойства и практическое применение. | |
Практическое занятие-15 Семинар. Аморфный углерод. | |||
Ключевые понятия дисциплины в системе знаний и компетенций: Планирование, организация, подготовка и обработка результатов испытаний, экспериментов и исследований материалов, их компонентов, полуфабрикатов и деталей из них, а также покрытий методами физико-химического, структурного и структурно-фазового анализа, физико-механических и коррозионных испытаний, неразрушающего контроля с целью диагностики и прогнозирования надежности, долговечности и работоспособности; проведение литературного и патентного поиска по поставленной профессиональной проблеме, оформление документации по итогам изобретательской деятельности и по защите интеллектуальной собственности; выполнение технического отчета (или его раздела) по результатам научно-исследовательской работы, подготовка научно-технических материалов к публикации; участие в работе многопрофильной группы специалистов при выполнении комплексных исследований или испытаний; участие в исследовательской - инновационной деятельности. В курсе лекций и практических занятий отражены основные компетенции молодых исследователей (магистрантов), необходимые для подготовки диссертационной работы и издания результатов научно-исследовательской деятельности в международных реферируемых журналах.
Список литературы
Основная литература:
Основная:
, Райнова -химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. 408 c. , Таиров полупроводниковых приборов. М., В. Ш., 1984.-287 с. , , Титов основы электронно-ионной технологии. Учебное пособие для вузов М., 1984.-319 с. , Юдин производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М., В. Ш. 1986. Бондарено лекций по дисциплине «Нанотехнология». , , Кротов . Классификация, особенности свойств, применение и технологии получения. Учебное пособие. М., 2007.-125 с. Суздалев : физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М., 2006.-592 с. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля. М., 2004.-384. Воронов физика. Конденсированное состояние. М., 2008.-340 с. Слепцов и нанотехнологии. Курс лекций. МАТИ-РГТУ им. . 196 с. ( ред.). Красная книга микроструктур новых функциональных материалов. Выпуск 1. Наноструктурированные материалы. М.: МГУ им. , 2006.-116 с.Дополнительная:
1. Электронные процессы в некристаллических веществах
т. 1,2 - М.:Мир, 1982, -658 с.
2. Шкловский Б. И., Эфрос свойства легированных полупроводников - М.: Наука, 1979.
Задания и методические рекомендации по СРМ / СРМП.
Формы контроля знаний и компетенций:
СРМ: индивидуальные и групповые задания в зависимости от технологии организации СРМ (реферат, презентацию, эссе, защиту проекта, аналитический обзор и др. задания проектно-исследовательского характера).
РК: 1 ( на 7 неделе) и 2 ( на 15 неделе)
Промежуточный контроль: экзамен в период экзаменационной сессии.
Рубежный контроль проводится по теоретическим и практическим вопросам, входящим в содержание дисциплины (за 7, 8 недель).
Консультации по дисциплинам модуля можно получить во время офис - часов преподавателя (СРМП).
Критерии оценки знаний и компетенций, баллы в %
Посещение и активность в практических занятиях | 30 | |
Индивидуальные или групповые задания (СРС) | 30 | |
Промежуточный контроль (экзамен) | 40 |
Форма проведения рубежных контролей (устно) и промежуточного экзамена - в письменном виде
Шкала оценки знаний:
Оценка по буквенной системе | Цифровой эквивалент баллов | %-ное содержание | Оценка по традиционной системе |
А | 4,0 | 95-100 | Отлично |
А- | 3,67 | 90-94 | |
В+ | 3,33 | 85-89 | Хорошо |
В | 3,0 | 80-84 | |
В- | 2,67 | 75-79 | |
С+ | 2,33 | 70-74 | Удовлетворительно |
С | 2,0 | 65-69 | |
С- | 1,67 | 60-64 | |
D+ | 1,33 | 55-59 | |
D | 1,0 | 50-54 | |
F | 0 | 0-49 | Неудовлетворительно |
I (Incomplete) | - | - | « Дисциплина не завершена» (не учитывается при вычислении GPA) |
P (Pass ) | - | 0-60 65-100 | «Зачтено» (не учитывается при вычислении GPA) |
NP (No Рass) | - | 0-29 0-64 | «Не зачтено» (не учитывается при вычислении GPA) |
W (Withdrawal) | - | - | «Отказ от дисциплины» (не учитывается при вычислении GPA) |
AW (Academic Withdrawal) | Снятие с дисциплины по академическим причинам (не учитывается при вычислении GPA) | ||
AU (Audit) | - | - | «Дисциплина прослушана» (не учитывается при вычислении GPA) |
Политика академического поведения и этики
Будьте толерантны, уважайте чужое мнение. Возражения формулируйте в корректной форме. Плагиат и другие формы нечестной работы недопустимы. Недопустимы подсказывание и списывание во время сдачи СРМ, промежуточного контроля и экзамена, копирование решенных задач другими лицами, сдача экзамена за другого магистранта. Магистрант, уличенный в фальсификации любой информации курса, получит итоговую оценку «F».
Рассмотрено на заседании кафедры
протокол № от « 19 июня 2012 г.
Зав. кафедрой, д. ф-м. н., профессор
Лектор, к. ф.-м. н., доцент
