«ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ ХИМИЧЕСКОГО УДАЛЕНИЯ ВЕЩЕСТВА С ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ-ПОДЛОЖКИ»
Введение
Химическое удаление вещества может осуществляться при контакте подложки с газообразной и жидкой средой. Цель и задачи этого процесса весьма разнообразны: прежде всего, это очистка поверхности от всевозможных посторонних примесей, удаление остатков нарушенного слоя и, наконец, ряд процессов чисто технологических, когда методами химического удаления получают профилированную поверхность с рисунком, строго соответствующим заданной топологии (локальное удаление).
Следует отмстить, что большинство перечисленных задач может быть решено как химическими, так и электрохимическими методами. Кроме того, в последнее время такие процессы, как очистка поверхности, осуществляют с использованием методов, характеризующихся одновременным физическим и химическим воздействиями на поверхность полупроводника, например плазмохимическая обработка.
1. Пути попадания примесей на подложку.
Изменение электрофизических свойств поверхности полупроводника в основном определяется ее физико-химическим взаимодействием с окружающей средой, в качестве которой могут выступать газы (кислород, азот, водород, сероводород и др.), пары (вода, органические вещества) и конденсированные среды (органические и неорганические) жидкие и твердые. Реальная поверхность полупроводника весьма склонна к адсорбции примесей из газовой фазы и растворов (загрязнению) ввиду своей геометрической (микро - и макродефекты), а следовательно, и энергетической неоднородности.
Геометрические неоднородности, увеличивая поверхность кристалла, повышают его поверхностную энергию, которую кристалл старается снизить, адсорбируя поверхностно-активные примеси из окружающей среды, что и является основной причиной загрязнения, а следовательно, и нестабильности поверхностного слоя.
Процесс адсорбции примесей из окружающей среды (жидкой или газообразной) имеет место практически на всех технологических операциях микроэлектроники, но наиболее существенное влияние на параметры приборов оказывают примеси, адсорбированные из растворов в процессе травления и промывки полупроводниковых пластин
2. Виды загрязнений и способы их удаления.
Загрязнения могут быть разделены по типу их физико-химического взаимодействия с поверхностью полупроводника на следующие группы.
Физические (или механические) загрязнения (пыль, волокна, абразивные и металлические частицы, органические загрязнения), связанные с поверхностью силами физической адсорбции.
Среди физических загрязнений особо опасными являются органические загрязнения, вредное действие которых состоит в том, что они разлагаются при нагреве и под действием ионной и электронной бомбардировки, выделяя газообразные продукты (СО, СО2, Н2О, О2 и др.), ухудшающие условия осаждения и роста тонких пленок, эпитаксиальных слоев и т. д. Кроме того, продуктом разложения органических загрязнении часто является атомарный углерод, который также может быть источником различных дефектов (например, дефекты, возникающие при операции диффузии и называемые «кристаллитами», связывают с присутствием на поверхности твердой фазы углерода).
Органические загрязнения принято разделять на полярные и неполярные в зависимости от величин их диэлектрического момента и диэлектрической проницаемости молекул.
Полярные органические загрязнения, к которым относятся жирные кислоты (олеиновая, стеариновая и др.), канифоль, синтетические полярные вещества и др., обладающие значительными дипольными моментами. Они чаще всего ориентированы в монослое (особенно на силанольной поверхности кремния Si — ОН), поэтому их плотная упаковка в поверхностном слое обеспечивает малую величину удельной поверхности загрязнения.
Неполярные органические загрязнения, к которым относятся различные минеральные масла, вазелин, нефтяные воски (парафины) и др., характеризуются небольшими величинами дипольных моментов, на поверхности они располагаются хаотически (не ориентированы), образуя слой загрязнения с большой величиной удельной поверхности, а следовательно, и величиной поверхностной энергии. Такая поверхность не является термодинамически устойчивой, поэтому неполярные органические загрязнения могут вбирать в себя полярные, что ведет к естественному снижению величины поверхностной энергии, т. е. термодинамически выгодно.
Химические загрязнения требуют большей энергии для удаления с поверхности, так как связаны с ней силами хемосорбции. В качестве примера химических загрязнений можно назвать окисные и сульфидные пленки, катионы и атомы металлов и др. Наиболее опасными и трудно удаляемыми химическими примесями являются примеси металлов в элементарном состоянии, электро-осажденные в порах, труднорастворимые окислы и др.
Основными источниками загрязнений поверхности пластин и подложек являются:
ü абразивные и клеящие материалы, кремниевая пыль при механической обработке;
ü пыль в производственных помещениях; предметы, с которыми соприкасаются пластины и подложки (оборудование, инструмент, оснастка, технологическая тара);
ü технологические среды; органические и неорганические реагенты, вода;
ü одежда и открытые участки тела операторов и др.
На поверхности пластин и подложек одновременно могут присутствовать загрязнения различных видов. Типичные загрязнения и их источники, встречающиеся в технологии полупроводниковых ИМС, приведены в таблице 1.
Таблица 1. Типичные загрязнения полупроводниковых пластин и их источники
Загрязнения | Возможные источники |
Волокна (нейлон, целлюлоза и т. д.) | Одежда, ткани, бумажные изделия |
Силикаты | Горные породы, песок, почва, зола, пепел |
Окислы и окалина | Продукты окисления некоторых металлов |
Масла и жиры | Масла от машинной обработки, отпечатки пальцев, жиры с открытых участков тела, средства для волос, мази, лосьоны |
Силиконы | Аэрозоли для волос, кремы, лосьоны после бритья, лосьоны для рук, мыло |
Металлы | Порошки и отходы машинной обработки и шлифовки; изготовление металлических частей; частицы из металлических банок для хранения и металлических контейнеров |
Ионные примеси | Продукты дыхания, отпечатки пальцев (хлорид натрия); примеси из очищающих растворов, содержащие ионные детергенты; некоторые флюсы; примеси от предварительной химической операции, такой, как травление или металлизация |
Неионные примеси | Неионные детергенты, органические материалы для обработки |
Растворимые примеси | Очищающие растворители и растворы |
Наиболее трудно удаляются органические и химически связанные с поверхностью загрязнения, а также загрязнения от абразивных материалов, полярные газы и ионы, внедренные в приповерхностный слой пластин.
Поскольку получить однозначную информацию о действии отдельных видов загрязнений на работу конкретных приборов и интегральных схем и установить предел допустимых загрязнений очень трудно, в настоящее время стремятся к тому, чтобы на конечных операциях очистки произошло практически полное удаление всех возможных загрязнений. Отсюда и те основные принципы, на которых базируется любая технология очистки:
ü Технологические процессы должны состоять из ряда последовательных операций, из которых каждая предназначена для удаления одного или нескольких загрязнений. Технологические процессы должны быть увязаны с общим технологическим маршрутом изготовления приборов в целом.
ü Для химической очистки следует применять вещества, продукты взаимодействия которых с поверхностью легко удаляются при последующей обработке.
В настоящее время известно чрезвычайно большое количество различных схем очистки поверхности (таблица 2). Это многообразие в одних случаях оправдано, так как вызвано спецификой того или иного процесса — разный уровень требований к чистоте поверхности, различные виды возможных загрязнений, ограниченные технологические возможности. Однако в ряде случаев это разнообразие совершенно нецелесообразно, так как оно усложняет и удорожает технологию.
Как ни многообразны варианты очистки полупроводниковых пластин, все они, в конечном счете, сводятся к следующей последовательности комплексов операций:
ü удалению физических загрязнений;
ü удалению химических загрязнений;
ü удалению продуктов химической обработки (промывка).
Таблица 2. Виды загрязнений и методы их удаления.
Виды загрязнений | Методы очистки |
Физические | Механическое удаление, обдув струей инертного газа, растворение с одновременным ультразвуковым перемешиванием |
Ионные | Промывка в деионизованной воде с применением комплексообразователей и поверхностно-активных веществ, обработка в кислотах, бомбардировка ионами инертного газа в плазме |
Органические | Ультразвуковая промывка в нагретом органическом растворителе, кипячение в органическом растворителе, ионно-плазменная обработка |
Сложные химические (остатки полимерных материалов, окислы, сульфиды, нитриды) | Травление кислотами, промывка в метаноле |
Адсорбционные пары и газы | Ионная бомбардировка, вакуумный отжиг, газовое травление, обработка в кислотах |
Удаление физических загрязнений включает в себя стадии удаления неполярных и полярных органических загрязнений. Следует начинать процесс очистки с удаления неполярных органических загрязнений в неполярных растворителях (толуол, четыреххлористый углерод, фреоны), затем в полярных органических растворителях (ацетон, спирты) удаляют полярные органические загрязнения. Часто эти операции могут быть совмещены с применением полярно-неполярных смесей органических растворителей или так называемых азеотропных смесей (фреон — хлористый метилен, фреон — изопропиловый спирт, фреон — ацетон и т. д.). Параллельно с удалением полярных и неполярных органических загрязнений за счет смачивающего действия растворителей удаляются физические адсорбированные механические загрязнения (пыль, волокна и т. д.).
Удаление химических, загрязнений включает в себя стадии удаления примесей, адсорбированных в ионном, элементарном и коллоидном состояниях, и обычно заключается в обработке очищаемой поверхности полупроводника в серии минеральных концентрированных кислот (HCl, HNO3, H2SO4), образующих хорошо растворимые в воде соли, удаляемые на стадии промывки пластин. Обычно процесс кислотной обработки завершается стадией удаления окислов (например, SiO2) в плавиковой кислоте.
Удаление продуктов химической (кислотной) обработки обычно осуществляется промывкой полупроводниковых пластин в деионизованной воде, которая удаляет остатки кислот (F-, Сl-) и некоторые ноны (Na+, Сг3+).
Для интенсификации процесса на отдельных стадиях очищающей обработки часто добавляется какой-либо из способов механического или термического воздействия. Такими способами могут быть кипячение, пульсирующее распыление растворителя, ультразвуковая обработка, обработка в парах и т. д. Однако необходимо отмстить, что такая интенсификация целесообразна в основном для удаления физических загрязнений.
В последнее время значительное распространение для удаления загрязнений получили смеси на основе перекиси водорода.
Перекись водорода по составу и ряду физических и химических свойств имеет большое сходство с водой. В молекуле Н2О2 атомы кислорода связаны между собой неполярной ковалентной связью, тогда как связь между атомами водорода и кислорода полярна. Поэтому в водных растворах перекись водорода Н2О2 ведет себя, как слабая кислота, за счет отщепления попов водорода. В реакциях перекись водорода проявляет как восстановительные, так и окислительные свойства. Однако наиболее характерными для перекиси водорода являются окислительные реакции.
3. Кинетика процесса химического травления
Большинство химических процессов, связанных с очисткой поверхности полупроводника, выявлением его структурных иди других дефектов, удалением материала, относятся к разряду процессов химического травления.
По характеру взаимодействия с веществом химическое травление является реакцией растворения, которое в свою очередь делится на ряд типов.
1. Молекулярное растворение. Отличительной чертой этого типа является полная идентичность химической формулы вещества в исходном состоянии и в растворе. После удаления (например, испарения) растворителя растворенное вещество может быть получено в химически неизмененном виде, хотя с ним могут произойти морфологические изменения. Примером такого типа реакций может служить растворение сахара в воде, полистирола в бензоле и др. Частным случаем молекулярного растворения является образование коллоидных растворов, когда вещество в растворе находится не в виде отдельных, молекул, и группируется в крупные полимолекулярные образования, так называемые коллоидные частицы (растворы фоторезистов, растворенные стекла и др.).
2. Ионное растворение. В этом случае исходное состояние вещества и состояние в растворе не идентичны. В растворе происходит разделение ионного кристалла на катионы и анионы, которые окружены сольватационными оболочками (в водных растворах образованными полярными молекулами воды), которые обеспечивают устойчивость таких растворов. Тем не менее, как и в случае молекулярных растворов, после удаления растворителя растворенное вещество может быть выделено в химически неизменном виде, хотя с ними также могут произойти морфологические изменения. Примером такого типа реакции гидротермального синтеза монокристаллов, таких, как SiO2, Al2O3 и др.
Очевидно, что рассмотренные два типа растворения характеризуются отсутствием взаимодействия растворенного вещества с растворителем.
3. Реактивное растворение. Процесс растворения сопровождается химическим взаимодействием между растворенным веществом и растворителем, которое происходит со значительным тепловым эффектом, существенно превышающим тепловой эффект при молекулярном или ионном растворении. Ввиду того, что растворитель как правило, находиться в большом избытке по отношению к растворенному веществу, то при отсутствии ограничений по времени исходное вещество может полностью перейти в раствор. При этом в растворе существуют продукты, химически отличные от исходного состояния системы. Удаление остатков растворителя не позволяет получить растворенное вещество в исходном киле ни химически, ни морфологически. Примером такого типа растворения может служить реакция приготовления паяльной кислоты
Zn(тв) + 2HCl(ж) → ZnCl2(раств) + Н2(г) (4)
Рассмотрим более подробно кинетику реактивных процессов. В основном процесс травления можно представить в виде пяти стадий:
1. Перенос молекул (или ионов) травителя из объема раствора к поверхности полупроводника (рис.2) В начальный момент после погружения пластины полупроводника в раствор вблизи ее поверхности за счет интенсивной реакции образуется слой δ, обедненный молекулами травителя, что приводит к возникновению градиента концентрации травителя gradxN и формированию диффузионного потока Jx этих молекул к поверхности полупроводника. Такой поток существует до установления равновесия, время наступления которого зависит от коэффициента диффузии компонентов травителя в растворе, его вязкости, температуры и некоторых других факторов. По истечению этого времени концентрации молекул травителя в объеме и у поверхности полупроводника выравниваются. На этом первая стадия процесса считается завершенной.
2. Адсорбция молекул травителя на поверхности полупроводника. В стадии адсорбции молекул травителя вступают в контакт с поверхностью полупроводника. Этот контакт может быть либо химической адсорбцией (хемосорбцией), либо физической адсорбцией. В первом случае между молекулами травителя и поверхностью полупроводника существуют или силы обменного взаимодействия, или кулоновского притяжения, в зависимости от типа поверхности и адсорбированных компонентов; во втором случае молекулы травителя удерживаются на поверхности слабыми силами Ван-дер-Ваальса. Соответственно энергия активации адсорбции при хемосорбции оказывается существенно выше, чем при физической адсорбции. Измерение этой энергии часто служит достаточным критерием для идентификации характера адсорбции молекулы травителя па поверхности полупроводника.
3. Кинетическая стадия процесса. Это собственно химическое взаимодействие адсорбированных молекул травителя с полупроводником: происходит разрыв химических связей между атомами, расположенными в объеме, и поверхностными атомами полупроводника и удаление последних в раствор. Механизмы, ответственные за протекание этой стадии, многообразны, часто достаточно сложны и требуют специального рассмотрения.
4. Десорбция продуктов реакции с поверхности полупроводника. В ходе кинетической стадии на поверхности полупроводника, накапливаются продукты реакции, которые могут быть химически или физически связаны с поверхностью. Прежде чем перевести их в раствор, необходимо разорвать эти связи, в чем и состоит сущность десорбционной стадии (по природе своей обратной стадии адсорбции).
5. 
Удаление продуктов реакции с поверхности полупроводника. В ходе кинетической стадии на поверхности полупроводника в объем раствора (Рис.3). За счет взаимодействия полупроводника с травителем вблизи поверхности полупроводника на расстоянии δ накапливаются продукты взаимодействия, концентрация которых N0’ в объеме раствора существенно меньше Ns’ на границе раздела полупроводник-раствор. Градиент концентрации продуктов травления в растворе gradxN’ является причиной возникновения диффузионного потока молекул этих продуктов Jx’ направленного от поверхности полупроводника в объем раствора. Таким образом, эта стадия является аналогичной (но обратной по знаку) стадии 1, с той лишь разницей, что здесь осуществляется диффузионный перенос не молекул травителя, а молекул (ионов), возникших в результате его взаимодействия с полупроводником.
Видно, что здесь процесс травления состоит из двух диффузионных, двух сорбционных и одной кинетической стадий, каждая из которых может являться звеном, ограничивающим суммарную скорость процесса травления.
Как правило, сорбционные стадии процесса редко ограничивают скорость травления. Лишь при повышенных температурах при жидкостном травлении в сильнокислых средах может наблюдаться изменение скорости травления вследствие аномалии адсорбции протонов плоскостями кристалла с различной плотностью упаковки атомов. В большинстве же случаев скорость процесса травления ограничивается либо диффузией компонентов травителя или продуктов реакции в растворе, либо непосредственно скоростью поверхностной химической реакции. В зависимости от того, какая стадия процесса, диффузионная или кинетическая, протекает наиболее медленно, и сам характер, и результаты процесса травления оказываются различными.
Допустим, что наиболее медленно протекают диффузионные процессы, Б удом для простоты рассматривать некоторый обобщенный травитель, не разделяя пока, какая из диффузионных стадий является ограничивающей: доставка травителя к поверхности полупроводника или отвод от поверхности продуктов реакций. Скорость процесса диффузии в этом случае можно определить как
, (5)
где АД – некоторый коэффициент пропорциональности, характерный для данного диффузионного процесса; N0 – концентрация молекул травителя в объеме раствора за пределами диффузионного слоя; Ns – концентрация молекул травителя вблизи поверхности полупроводника на границе с раствором.
Как видно из (2.1), скорость процесса травления никак не связана со свойствами поверхности полупроводника (в частности, с энергетическим барьером реакции) и, следовательно, травление в этом случае должно происходить изотропно, независимо от кристаллографического направления. Очевидно, что в результате травления поверхность должна стать гладкой. Травители, характеризующиеся диффузионным контролем скорости травления, называются полирующими, а сам процесс травления — интегральным.
Уменьшая скорость протекания диффузионных процессов в травителе, можно существенно усилить его полирующие свойства. Например, полирующие свойства травителя улучшаются при увеличении его вязкости за счет добавки гликолей, глицерина, полиспиртов; уменьшение температуры раствора также приводит к большему выравниванию процесса за счет снижения скоростей диффузии компонентов травителя. Интенсивное перемешивание раствора, наоборот, разрушает диффузионный слой у поверхности полупроводниковой пластины и, таким образом снимая диффузионное ограничение, ухудшает полирующие свойства травите л я.
Рассмотрим случай, когда диффузионные процессы протекают настолько быстро, что не могут практически оказать влияния на суммарную скорость травления. Здесь естественно предположить контроль процесса травления за счет кинетической стадии, скорость которой
, (6)
где Агр — константа скорости поверхностной реакции; Ns – концентрация молекул травит ел я вблизи поверхности; ΔЕ — энергетический барьер реакции; Т — температура; к — постоянная Больцмана.
Так как теперь скорость травления наряду с другими факторами определяется энергетическим барьером поверхностной реакции, то она должна быть различной для плоскостей кристалла с разной плотностью упаковки атомов и травление является анизотропным. Так, для алмазоподобных полупроводников с решеткой типа сфалерита в основном наблюдается следующее соотношение скоростей травления:
v[100] > v[110] > v[111] .
Если на поверхности пластины имеются дефекты, например выходы дислокаций, то в этих местах за счет повешения энергии решетки барьер реакции снижен по сравнению с ненарушенной поверхностью и происходит локальное увеличение скорости травления. «Дефектное» место растравливается с образованием фигуры (ямки) травления, форма которой определяется кристаллографической ориентацией поверхности пластины. В этом случае (Рис. 4.) гладкую поверхность получить не удается.
Травители с кинетическим контролем называются дифференциальными, а процесс травления – селективным. Как следует из выражения (5), характер селективного травления определяется не только свойствами поверхности, способными повлиять на значение ΔЕ, но и в значительной степени температурой. С ростом температуры селективность травителя оказывается выраженной меньше. Поэтому для выявления картины дефектов поверхности желательно работать в холодных травителях. Однако при снижении температуры уменьшается вязкость травителя и параллельное влияние па процесс начинает оказывать диффузионная стадия. Процесс переходит в диффузионно-кинетическую область, но обычно селективность травления поверхности оказывается выраженной сильнее.
Экспериментальное определение лимитирующей стадии процесса часто связано со значительными трудностями. Наиболее достоверные результаты дают калориметрическое определение реальной энергии активации процесса травления и сопоставление ее с известными значениями энергии активации (энтальпии или свободной энергии) для диффузионных сорбционных процессов или непосредственно химической реакции. Как правило, энергия активации химической реакции существенно превышает энергию активации диффузии или тем более сорбционных процессов даже в случае хемосорбции. Однако в зависимости от типа обрабатываемого материала и состава травителя эти значения могут изменяться в широких пределах, которые часто перекрываются. Поэтому для выявления лимитирующей стадии процесса таким способом исследователь должен обладать большим опытом в области химического травления полупроводников.
Нахождение кажущейся энергии активации процесса травления, например, из температурной зависимости скорости травления, хотя и используется часто на практике, не даст возможности четко установить характер лимитирующей стадии. В таком способе возможны различные экспериментальные ошибки, он позволяет определить лишь некоторое усредненное значение энергии активации.
В ряде случаев лимитирующую стадию выявляют достаточно просто из некоторых качественных оценок. Так, сети установлено проявление селективных свойств травителя с ростом интенсивности перемешивания раствора, то обоснованно можно утверждать, что в таком травителе основной лимитирующей стадией является диффузия. Сильная зависимость скорости травления от степени легирования полупроводника или от температуры свидетельствует о кинетическом ограничении.
Важно помнить, что с течением времени многие, даже селективные, травители проявляют тенденцию к выравниванию поверхности; важно также то, что в начальный момент времени ввиду отсутствия диффузионного ограничения все хранители работают селективно, а скорость травления определяется выражением (5).
4.Виды травлений
Следует помнить, что полирующее (послойное, тотальное), локальное и селективное травление кремния и других полупроводников входят в номенклатуру технологических процессов обработки поверхности.
Для полирующего травления можно использовать самые различные физические и химические процессы, единственное необходимое условие — чтобы в результате процесса происходило равномерное удаление материала по всей поверхности без ее повреждения.
1. Полирующее травление проводят для:
ü очистки поверхности от окислов, механических и адсорбционных загрязнений;
ü удаления нарушенного поверхностного слоя полупроводника, возникающего в результате механической обработки;
ü получения полупроводникового материала определенной толщины;
ü контролируемого изменения поверхностных свойств (поверхностной проводимости и скорости поверхностной рекомбинации).
2. Селективное травление необходимо для:
ü выявления дефектов кристаллической структуры;
ü (границ зерен, малоугловых и двойниковых границ, дислокации, дефектов упаковки и др.);
ü выявления р— n-переходов и неравномерностей в распределении легирующих примесей;
ü подготовки поверхности для определения ориентации кристаллов оптическим методом.
3. Локальное травление применяют для:
ü получения кристалла определенной конфигурации;
ü получения заданного рельефа на поверхности пластин и создания рисунка схемы;
ü вытравливания лунок для различного типа сплавных и поверхностно-барьерных транзисторов;
ü получения меза-структур и т. д.
Если к этому перечню добавить травление по заданной топологии окисной и нитридной маски и создание рисунка металлических покрытий (контактов и межсоединений), то станет ясно, что процессы травления являются очень важными в технологии микроэлектроники.
Заключение.
Химические процессы в производстве полупроводниковых приборов и ИМС используются практически на всех стадиях технологического цикла, начиная от подготовки образцов для кристаллографической ориентации и кончая нанесением коррозионных покрытий на корпус готового прибора или микросхемы. В общем виде задачи, решаемые с применением химической и электрохимической обработок, можно разбить на четыре группы:
1. Очистка и стабилизация поверхности (очистка поверхности полупроводника от оксидных пленок и различного рода посторонних загрязнений; удаление механически нарушенного слоя; контролируемое изменение характеристик поверхности полупроводника (стабилизация поверхности); травление р-n-структур в целях управляемого изменения характеристик готовых приборов).
2. Профилирование поверхности (контролируемое удаление материала для получения пластины или кристалла необходимой толщины без механически нарушенного слоя; получение требуемого рельефа поверхности (химическое профилирование); разделение слитков на пластины и кристаллы.
3. Контроль качества, полупроводникового материала или
р-n-перехода (выявление дефектов кристаллической структуры: выходов дислокаций, границ блоков или зерен, границ двойников и т. д.; выявление неоднородностей в распределении примесей, границ р-n-переходов, преципитатов и др.).
4. Нанесение на поверхность полупроводника стабилизирующих, защитных или контактных покрытий (нанесение инверсионных покрытий (оксидов, фосфатов, хроматор.) в целях модификации свойств поверхности; химическое или электрохимическое осаждение металлических покрытий для создания контактов или контактной разводки приборов и микросхем).
Список литературы:
1. , , Технология полупроводниковых приборов, M., 1984
2. , Райков -химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. 408 с.
