Приложение
к протоколу от 21 марта 2011 г. № 7 заседания Конкурсной комиссии Министерства образования и науки Российской Федерации № 000-1.3-2.3-ИР1 по проведению открытых конкурсов на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в рамках мероприятий 1.3 и 2.3 федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы», утвержденной постановлением Правительства Российской Федерации от 17 октября 2006 г. № 000
Условия исполнения контракта, предложенные участниками |
№ п/п | Регистрационный номер заявки | Наименование (для юридического лица), фамилия, имя, отчество (для физического лица) участника размещения заказа | Квалификация участника | Цена контракта, млн. рублей | Сроки выполнения работ | Качественные характеристики создаваемой научно-технической продукции, содержащиеся в заявке |
Лот № 1. 2011-1.3-513-052. Разработка методов получения ферромагнитных полупроводниковых структур для устройств электроники и информатики, работающих на новых функциональных принципах. | ||||||
1 | 2011-1.3-513-052-002 | Государственное учебно-научное учреждение Физический факультет Московского государственного университета имени | Представленные материалы содержат информацию о квалификации участника | 16 | 26.04.2011 - 09.10.2012 | В результате работы по проекту будут разработаны методики получения и созданы экспериментальные образцы ферромагнитных полупроводниковых структур с остаточной намагниченностью не менее 70% от насыщения (вместо существующей 10 %) при сохранении других высоких параметров ранее разработанных материалов. Это позволит реализовать давно спроектированные конструкции приборов полупроводниковой спиновой электроники и элементы спиновой магнитной памяти. Технические характеристики Температура Кюри структур – не менее 300 К Толщина слоев структур – от 10 до 200 нм Количество слоев – от 2 до 6 Тип проводимости полупроводника – электронный Концентрация носителей заряда – от 10 16 до 10 20 см -3 Намагниченность насыщения Ms ферромагнитного полупроводника – не менее 25 Гс Остаточная намагниченность Mr – не менее 70 % Ms Базовые материалы слоев – ферромагнитные полупроводники без магнитных кластеров и антиферромагнетики |
2 | 2011-1.3-513-052-004 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский федеральный университет" | Представленные материалы содержат информацию о квалификации участника | 1,5 | 26.04.2011 - 10.12.2012 | Термоэлектрические эффекты на наноразмерных объектах привлекли большой коммерческий интерес благодаря возможности генерировать электрическую энергию, а также создавать холодильники в устройствах, имеющих миниатюрные размеры. Эффективность устройств превращать тепловую энергию в электричество возрастает в несколько раз благодаря нарушению закона Видемана-Франца на слабо взаимодействующих квантовых точках, созданных в структуре материала. Исследуются образцы Fe86Mn13C, в которых обнаружен нами знакопеременный термоэлектрисеский эффект в тонких пластинках и пленках. Для выявления природы эффекта исследуются пленки, состоящие из антиферромагнитной основы Fe86Mn13C, Co50Pd50, Fe2Tb с ферромагнитными наноразмерными включениями, имеющими структуры Франка-Каспера. Такая структура локализована в областях нанометрового размера и создает ансамбль квантовых точек. Для сравнения исследуется поведение пленок с ферромагнитной основой Ni и содержащих антиферромагнитные включения NiO. Технология создания таких нанокомпозитов является нашим «ноу хау», поскольку обычно пленка никеля легко покрывается сплошным слоем NiO. Важной характеристикой таких нанокомпозитов является неоднородная магнитная структура, обусловленная образованием квантовых точек как в процессе получения пленок, так и в результате их термомеханической (криомеханической) обработки. Их появление обусловлено магнитострикционными эффектами, а следовательно, изменениями тонкой магнитной структуры пленок, имеющей период, не превышающий 20 нм. Появление локальной магнитной анизотропии при механическом воздействии на пленочные нанокомпозиты является нерешенной проблемой пленочных сплавов. Установление корреляции тонкая структура - магнитные свойства позволит решить прикладные задачи – создание управляемых магнитным полем устройств на основе пленочных нанокомпозитов, генерирующих термоэдс, В связи с этим, фундаментальной научной и практической значимостью проекта является выявление условий образования квантовых точек в неравновесных пленочных и массивных материалах и механизмов формирования магнитных и электрических свойств таких материалов. |
3 | 2011-1.3-513-052-005 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. " | Представленные материалы содержат информацию о квалификации участника | 8 | 26.04.2011 - 10.12.2012 | Разработка методов формирования наноструктур, включающих ферромагнитные полупроводниковые слои, для приборов спинтроники, функционирующих на принципе использования спиновой степени свободы носителей заряда. В ходе выполнения НИР будут получены: лабораторная технология (лабораторный технологический регламент) получения ферромагнитных полупроводниковых структур, лабораторная технология ионной имплантации в ферромагнитные полупроводники и структуры на их базе, лабораторная методика измерения магнитных характеристик ферромагнитных полупроводниковых структур. Будут получены экспериментальные модельные образцы ферромагнитных полупроводниковых структур. Будет разработан проект технического задания на проведение ОТР по созданию опытно-промышленной технологии ферромагнитных полупроводниковых систем. |
4 | 2011-1.3-513-052-007 | государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный университет нефти и газа имени " | Представленные материалы содержат информацию о квалификации участника | 12 | 26.04.2011 - 10.12.2012 | Представлено в Форме 2 и Форме 3 настоящей Заявки на участие в конкурсе. Планируемые работы по содержанию и результатам: соответствуют мировому уровню, соответствуют и превышают требования заказчика. При выполнении НИР будут получены следующие научно-технические результаты: 1 Экспериментальные образцы ферромагнитных полупроводниковых структур; 2 Лабораторная методика проведения ионной имплантации в ферромагнитные полупроводники; 3 Лабораторная методика по измерению магнитных характеристик ферромагнитных полупроводниковых структур; 4 Результаты испытаний экспериментальных образцов; 5 Промежуточные и заключительный отчеты о НИР, содержащие: - обзор и анализ современной научно-технической литературы, затрагивающей научно-техническую проблему, исследуемую в рамках НИР; - обоснование выбора направления исследований; - программы и методики исследований и испытаний; - результаты экспериментальных исследований; - технико-экономическую оценку результатов НИР; - обобщение и выводы по результатам НИР; - рекомендации и предложения по использованию результатов НИР. При выполнении НИР будет создана следующая научно-техническая продукция: 1 Лабораторный технологический регламент получения ферромагнитных полупроводниковых структур; 2 Проект Технического задания на проведение ОТР. 3 Программа и методики исследовательских испытаний (ПиМ) многослойных структур антиферромагнетик-полупроводник состоящих из манганитов состава La0,65Sr0,35MnO3 и La0,8Sr0,2MnO3 на диэлектрических подложках, в том числе: - Методика отработки технологических режимов магнетронного ионно-плазменного напыления структур антиферромагнетик-полупроводник; - Методика исследования химического состава, структуры и морфологии фаз полупроводниковых слоев La1-x(Sr-Ca)xMnO3 методами рентгеноструктурного, рентгеноспектрального, электронно-микроскопического, химического анализов; - Методика измерения толщины слоев в многослойных структурах антиферромагнетик-полупроводник, определения типа проводимости слоев полупроводника и концентрации носителей заряда в них. Для достижения цели НИР будут решены следующие задачи: - теоретическое исследование методов создания многослойных ферромагнитных полупроводниковых структур, состоящих из слоев манганитов состава La1-x(Sr-Ca)xMnO3 на диэлектрических подложках, например SrTiO3 и обоснование использования метода магнетронного ионно-плазменного напыления; - имитационное моделирование работы элементов поляризованных носителей заряда для применения в устройствах спиновой электроники и информатики на основе многослойных ферромагнитных полупроводниковых структур; - получение и комплексное изучение экспериментальных образцов многослойных ферромагнитных полупроводниковых структур, состоящих из слоев манганитов состава La1-x(Sr-Ca)xMnO3 на диэлектрических подложках для применения в модулируемых и перестраиваемых по частоте магнитным полем и управляемых током элементах поляризованных носителей заряда, используемых в приборах спиновой электроники, а также в компьютерной технике, в том числе, в носителях информации; - разработка методик измерения физических параметров многослойных структур: толщин слоев антиферромагнетика и полупроводника, определения типа проводимости и концентрации носителей заряда в полупроводниковой пленке, температуры Кюри Tc, намагниченности насыщения Ms, остаточной намагниченности Mr. Разрабатываемые методы получения ферромагнитных полупроводниковых структур для устройств электроники и информатики, работающие на новых функциональных принципах обеспечат: - технологическую возможность реализации получения уникальных ферромагнитных полупроводниковых структур и создание на их основе приборов и устройств спиновой электроники и информатики, не имеющих в настоящее время аналогов. - технологическую возможность создания элементов поляризованных носителей заряда для применения в приборах спиновой электроники и компьютерной техники за счет собственных ферромагнитных свойств, высокой намагниченности насыщения и высокой остаточной намагниченности; - получение электронного типа проводимости в слое полупроводника и высокой концентрации носителей заряда в нем, высоких температуры Кюри Tc, намагниченности насыщения Ms, и остаточной намагниченности Mr. Полученные результаты и разработанные методы позволят российским производителям создавать высококачественные изделия, которые будут конкурентоспособны с продукцией ведущих зарубежных компаний. |
Лот № 2. 2011-1.3-513-057. Получение кристаллических металлических и полупроводниковых нанопроводов в диэлектрической матрице из собственного оксида и исследование их структурных и электрофизических свойств. | ||||||
5 | 2011-1.3-513-057-001 | федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Представленные материалы содержат информацию о квалификации участника | 14 | 26.04.2011 - 10.12.2012 | Будут разработаны: - технология и технологическая инструкция изготовления экспериментальных кристаллических висмутовых нанопроводов и наноструктур в виде парных нанопроводов и монокристальных кремниевых нанопроводов в диэлектрической матрице из собственного оксида с заданным пространственным размещением активных элементов; - 2 патента по теме проекта; - экспериментальные образцы кристаллических кремниевых и висмутовых нанопроводов в диэлектрической матрице из собственного оксида с помощью ионно-пучковых методов со следующими характеристиками: - толщина диэлектрического слоя подложки не менее 10 нм; - площадь кремниевой пластины – основания образца не менее 49 мм2; - материал нанопровода - висмут, кремний; - длина висмутового и кремниевого нанопроводов не менее 0.5 мкм; - ширина висмутового нанопровода - ширина кремниевого нанопровода не более 50 нм; - расстояние между висмутовыми нанопроводами в структуре в виде парных нанопроводов 50-100 нм; - сопротивление утечки для висмутовых парных нанопроводов не менее 10 МОм; - сопротивление утечки для кремниевых нанопроводов через подложку не менее 100 МОм; - максимальный измерительный ток для висмутовых и кремниевых нанопроводов не менее 100 мкА; - рабочий диапазон напряжений для висмутовых и кремниевых нанопроводов не более ±3 В; - разориентация параллельных нанопроводов относительно продольного направления не более 5°. |
Лот № 3. 2011-1.3-513-054. Разработка нанокомпозитных материалов для создания узкополосных светофильтров методом технологии струйной печати. | ||||||
6 | 2011-1.3-513-054-003 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московская государственная академия тонкой химической технологии имени " | Представленные материалы содержат информацию о квалификации участника | 18 | 26.04.2011 - 14.11.2012 | В рамках выполнения работ по Государственному контракту будут разработаны методы получения нанокомпозиционных материалов матричных светофильтров на их основе для видимой и ИК-области спектра 400 – 1100 нм с областью пропускания света 20-30 нм, с коэффициентом пропускания не менее 50 % и полушириной полос пропускания 20-30 нм для элементов оптоэлектроники. |
7 | 2011-1.3-513-054-006 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики" | Представленные материалы содержат информацию о квалификации участника | 5,9 | 26.04.2011 - 10.12.2012 | При выполнении НИР должны быть получены следующие научно-технические результаты: 1) Отчет о НИР 2) Лабораторные образцы узкополосных матричных светофильтров для видимой и ИК-области спектра, обладающих областью пропускания света не более 30 нм, пропусканием на заданной длине волны не менее 50% и микронными размерами. Проект Технического задания на проведение ОТР по теме «Разработка промышленной технологии производства нанокомпозитных материалов для создания узкополосных светофильтров методом технологии струйной печати» |
Председатель Конкурсной комиссии __________________________
Заместитель председателя Конкурсной комиссии: ____________
Члены Конкурсной комиссии ____________
____________
Секретарь Конкурсной комиссии ____________
Заказчик:
директор Департамента приоритетных
направлений науки и технологий ______________
