Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
КАЗАХСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. аль-Фараби
Физико-технический факультет
Кафедра физики твердого тела и нелинейной физики
Утвержденона заседании Ученого совета факультета Протокол №__от «__»____________ 2012 г. Декан факультета _________Е. А. Давлетов |
СИЛЛАБУС
Аморфные материалы
Бакалавриат
По специальности: 050710-« материаловедение и технология новых материалов»
4 курс, р/о, семестр осенний, 3 кредита
Ф. И.О. лектора: Цыганов Иван Алексеевич,
Магистр физики, старший преподаватель
Телефон: моб. 87051852194
Каб.: 111, физ. факультет
Пререквизиты: Для изучения курса «Аморфные материалы» необходимо знание разделов общих курсов физики «Термодинамика», «Электричество», «Оптика», «Физика твердого тела», а также спецкурсов «Основы рентгеноструктурного анализа».
Постреквизиты: дисциплины «Основы оптоэлектроники» и «Возобновляемые источники энергии».
Цели и задачи курса: «Аморфные материалы» является подготовка высококвалифицированных специалистов материаловедов в области физики твердого тела в соответствии с требованием квалификационной характеристики по специальности «Материаловедение и технология материалов» 050710. Студент, изучивший данный спецкурс, должен знать классификацию аморфных материалов и методы их получения, основы теории электронных состояний твердых тел, не обладающих трансляционной симметрией, особенности физических свойств некристаллических материалов; уметь на основе полученной теоретической подготовки ориентироваться в потоке современной научно-технической литературы в области теории и практического использования материалов с неупорядоченной структурой. Знания и умения, полученные студентами, являются базой для усвоения других спецкурсов, а также для выполнения выпускной работы.
Структура курса:
Недели | Название темы | Часы | Темы СРС |
Модуль 1. Введение. Общие сведения об аморфных материалах и методах их получения – 3 ч. | |||
1. | Лекция. Основные этапы развития материалов с некристаллической структурой. Применение материалов с некристаллической структурой. Аморфные и стеклообразные металлические и диэлектрические конденсированные среды. | 1 | Индексы Миллера и кристаллогра-фические направления. |
2 | Лекция. Методы получения металлических и диэлектрических конденсированных сред с некристаллической структурой. Получение стекол из расплава. Оксидные стекла. Халькогенидные стекла. Аморфные металлы. Управление скоростью охлаждения стеклообразующих расплавов. Получение аморфных твердых материалов из растворов. Аморфные осадки. Электролитическое осаждение аморфных слоев. | 1 | Простые плотноупакованные структуры |
3 | Лекция. Получение аморфных слоев из газовой фазы: методы термического испарения в вакууме, катодного распыления, осаждение аморфных слоев в тлеющем разряде, химическое осаждение из паровой фазы (CVD). Перевод кристаллических веществ в аморфное состояние: получение аморфных тел путем механической обработки, облучения, действием ударной волны и реакции кристаллических твердых тел при образовании стекла. | 1 | |
Модуль 2. Микроскопические и термодинамические аспекты классификации аморфных систем - 3 ч. | |||
4 | Лекция. Влияние типа химической связи на возможность получения конденсированных сред в некристаллическом состоянии. Виды некристаллических систем. | 1 | Дифракция в аморфных телах |
5 | Лекция. Случайные и неслучайные отклонения в потенциальной энергии носителей. Способы классификации некристаллических систем. Термодинамические уровни описания стабильности Стабильность фаз вблизи фазовых переходов первого рода. Классификация метастабильных состояний. Аморфное и стеклообразное состояния. Жидкие и стеклообразные конденсированные среды. | 1 | Смешанные ионно-ковалентные связи. |
6 | Лекция. Стеклообразные вещества. Температура стеклования (Tg), температура плавления (Тпл) и энтропия (S). Тенденция к стеклообразованию и термодинамические параметры. Тенденция к стеклообразованию, тип химической связи и электронная структура элементов. | 1 | |
Модуль 3. Атомная структура аморфных материалов – 3 ч. | |||
7 | Лекция. Ближний и средний порядки атомной структуры в аморфных материалах. Методы исследования структуры некристаллических конденсированных сред. Дифракционные методы. | 1 | Кристаллы с водородными связями |
8 | Лекция. Определение параметров ближнего и среднего порядков атомной структуры аморфных пленок методом дифракции рентгеновских лучей. | 1 | Структуры реальных кристаллов |
9 | Лекция. Методы колебательной спектроскопии. Косвенные методы. Методы физического и компьютерного моделирования атомной структуры аморфных материалов. Метод физического моделирования. Методы компьютерного моделирования: топологическое моделирование; метод молекулярной динамики, метод Монте-Карло, градиентный метод. | 1 | |
Модуль 4. Аморфные и стеклообразные конденсированные среды – 2 ч. | |||
10 | Лекция. Некристаллические модификации элементов. Сплавы. Металлические стекла (аморфные металлы). Классификация металлических стекол. Структура и свойства металлических стекол. | 1 | Плотность дефектов в состоянии теплового равновесия |
11 | Лекция. Оксидные стекла, их состав, химическая связь и строение. Халькогенидные стекла: состав, химическая связь, структура. | 1 | |
Модуль 5. Спектр электронных состояний в аморфных полупроводниковых средах – 4 ч. | |||
12 | Лекция. Особенности электронных свойств. Энергетический спектр электронов и влияние примесей. Современные представления о структурных дефектах. | 1 | Колебательные моды одноатомной решетки |
13 | Лекция. Оптические свойства. Электрические свойства и механизмы проводимости аморфных полупроводниковых сред. | 1 | Колебательный спектр решетки с базисом |
14 | Лекция. Дрейфовая подвижность носителей заряда. Метод определения дрейфовой подвижности. Дрейфовая подвижность носителей заряда в ТИ - и ВЧ-пленках As2Se3 и As2S3. Особенности энергетического спектра электронов аморфных пленок системы As-Se, полученных ионно-плазменным распылением. | 1 | Статистика фононов |
15 | Лекция. Модификация структуры и электронных свойств пленок аморфного алмазоподобного углерода (а-С:Н). Технология приготовления. Структура, оптические и электрические свойства пленок а-С:Н. | 1 | |
Список литературы:
Основная литература:
1. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела - М.: Мир, 1986, -558 с.
Электронные процессы в некристаллических веществах,т. 1,2 - М.:Мир, 1982, -658 с.
3. Под ред. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М., Мир, 1988, . т.1, -368 с., т. 2. -448 с.
Дополнительная литература:
Под ред. Аморфные полупроводники - М.: Мир, 1982, -419 с.
2. Под. ред. А. Неупорядоченные полупроводники. МЭИ, ВШ, Москва 1995, -352 с.
3. Под. ред. Д. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. С-Петербург, Наука, 1996, -486 с.
4. Бонч- Л., П., Г., Электронная теория неупорядоченных полупроводников - М.: Наука, 1981, -384 с.
5. Под ред. Аморфные и поликристаллические полупроводники - М.:Мир, 1987, -160 с.
6. Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991, -670 с.
7. Под ред. Аморфный кремний и родственные материалы. М.: Мир, 1991, -544 с.
8. Шкловский Б. И., Л. Электронные свойства легированных полупроводников - М.: Наука, 1979.
Критерии оценки знаний, баллы в %
Контрольный опрос 20
СРС 40
Итоговый экзамен 40
Промежуточный контроль проводится по теоретическим и практическим вопросам, изученным на лекционных и семинарских занятиях (за 7 недель).
Буквенный эквивалент оценки | Цифровой эквивалент оценки (GPA) | Оценка по традиционной системе |
A | 4 | «Отлично» |
A- | 3,67 | |
B+ | 3,33 | «Хорошо» |
B | 3 | |
B- | 2,67 | |
C+ | 2,33 | «Удовлетворительно» |
C | 2 | |
C- | 1,67 | |
D+ | 1,33 | |
D | 1 | |
F | 0 | «Неудовлетворительно» (непроходная оценка) |
I | 0 | «Дисциплина не завершена» |
W | 0 | «Отказ от дисциплины» |
AW | 0 | «Отчислен с дисциплины» |
AU | 0 | «Дисциплина прослушана» |
P/NP | - | «Зачтено/не зачтено» |
При оценке работы студента в течении семестра учитывается следующее:
· посещаемость занятий;
· активное и продуктивное участие в практических занятиях;
· изучение основной и дополнительной литературы;
· выполнение и своевременная сдача заданий СРС;
За несвоевременную сдачу трех заданий СРС выставляется оценка AW.
Политика академического поведения и этики
Уважайте чужое мнение. Возражения формулируйте в корректной форме. Плагиат и другие формы нечестной работы недопустимы. Недопустимы подсказывание и списывание во время сдачи СРС, промежуточного контроля и финального экзамена, копирование решенных задач другими лицами, сдача экзамена за другого студента. Студент, уличенный в фальсификации любой информации курса, получит итоговую оценку F.
Помощь: За консультациями по выполнению самостоятельных работ (СРС), их сдачей и защитой, а также за дополнительной информацией по пройденному материалу и всеми другими возникающими вопросами по читаемому курсу обращайтесь к преподавателю в период его офис-часов.
Рассмотрено на заседании кафедры
Протокол № 42 от 19 июня 2012 г.
Зав. кафедрой О. Ю. Приходько
А.Цыганов
Основные порталы (построено редакторами)