МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
«НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИСиС»
В. Н. Мурашев
Полупроводниковые матричные приемники излучений
Промежуточный контроль
Москва 2012 г.
Темы 1-2
1. Спектр длин волн от 400 нм до 780 нм принадлежит какому диапазону?
£ ИК-излучение;
R Видимый свет;
£ УФ излучение;
£ γ-излучение.
2. Источником электромагнитных волн с частотой 5×1014 является?
£ Переменные токи в проводниках и электронных потоках (генераторы радиочастот, генераторы сверхвысоких частот СВЧ);
£ Излучение атомов при воздействии ускоренных электронов;
R Излучение молекул и атомов при тепловых и электрических воздействиях;
£ Ядерные процессы, радиоактивный распад, космические процессы.
3. Поток энергии – это?
R 
;
£ 
;
£ 
;
£ 
.
4. Единица измерения силы света?
£ Люкс;
£ Нит;
£ Люмен;
R Кандела.
5. Освещенность – это?
£ плотность светового потока по поверхности излучателя;
R плотность светового потока по освещаемой поверхности;
£ отношение светового потока, распространяющегося равномерно в бесконечно малом телесном углу, к величине этого угла;
£ отношение потока энергии в бесконечно малом диапазоне около некоторого значения длины волны к этому диапазону.
6. Коэффициент α показатель поглощения характеризуется?
£ разницей интенсивностей приходящихся на единицу длины;
£ изменением интенсивности излучения на единицу длину;
R относительным изменением интенсивности излучения на единицу длины;
£ суммой интенсивностей приходящихся на единицу длины.
7. Закон Бугера – Ламберта имеет вид?
R 
;
£ 
;
£ 
;
£ 
.
8. Коэффициент отражения равен?
£ 
;
£ 
;
£ 
;
R .
9. Закон Стефана – Больцмана?
£
;
R 
;
£ 
;
£
.
10. Собственное поглощение наблюдается, если?
£ hv < Еg;
£ hv = Еg;
R hv > Еg;
£ hvЕg > 0.
11. Граница собственного поглощения для кремния?
£ 0,4 мкм;
£ 0,6 мкм;
R 1,1 мкм;
£ 1,4 мкм.
12. Экситон – это?
£ атом водорода;
£ разновидность дефекта;
£ «горячий» электрон;
R система из взаимосвязанных электрона и дырки.
13. Какой механизм поглощения показан на рисунке?
£ собственное поглощение;
£ экситонное поглощение;
£ поглощение носителями заряда;
R примесное поглощение.
14. К какому виду поглощения принадлежит пунктирный спектр поглощения?
£ собственное поглощение;
R экситонное поглощение;
£ примесное поглощение;
£ поглощение света кристаллической решёткой.
15. Фотопроводимость – это?
£ изменение коэффициента поглощения под действием электромагнитного излучения;
R изменение электрической проводимости вещества под воздействием электромагнитного излучения;
£ способность пропускать свет;
£ изменение коэффициента отражения под действием электромагнитного излучения.
16. Фотодиодный режим реализуется при приложении к p-n переходу?
£ прямого напряжения смещения;
R обратного напряжения смещения;
£ нулевого напряжения.
17. Режим генерации фото ЭДС реализуется при приложении к p-n переходу?
£ прямого напряжения смещения;
£ обратного напряжения смещения;
R нулевого напряжения.
18. Фотоприемники с внешним фотоэффектом?
R фотоэлементы (вакуумные и газонаполненные);
£ фоторезисторы;
£ фотодиоды;
£ фототранзисторы.
19. Чувствительность Sλ – это?
R 
;
£ 
;
£ 
;
£ 
.
20. Сопоставьте структуры и названия фотоприемников
1) 
2) 
3) 
4) 
а) фоторезистор;
б) фотодиод;
в) фототранзистор;
г) фототиристор.
Правильный ответ: 1) – a; 2) – в; 3) – б; 4) – г.
21. Какие СЭ сейчас наиболее перспективны для использования в космической среде?
£ СЭ из монокристаллического кремния;
£ СЭ с применением аморфного кремния;
R КСЭ на основе А3B5.
22. Какие СЭ сейчас наиболее перспективны для использования в СБ с концентраторами света?
£ СЭ из монокристаллического кремния с горизонтальным p-n переходом;
£ СЭ с применением аморфного кремния с горизонтальным p-n переходом;
R СЭ на основе гетероструктур.
23. Основной технологией изготовления структур для КСЭ является?
£ Жидкая эпитаксия;
R МОС-гидридная эпитаксия;
£ Молекулярно-лучевая эпитаксия.
24. Эффективная скорость поверхностной рекомбинации будет минимальна?
£ при наличии поля вблизи тыльной поверхности;
£ при отсутствии поля около тыльной поверхности;
£ при наличии пассивированной поверхности;
R при наличии пассивации поверхности и поля вблизи этой поверхности.
25. Что используется для коммутации каскадов в КСЭ?
£ p-i-n структура;
£ диод;
R туннельный диод;
£ МДП структура.
26. Связь флюенса воздействующих частиц Ф с временем жизни неосновных носителей заряда τ имеет вид?
£ 
;
£ 
;
R 
;
£ 
.
Темы 3-4
27. Какие структуры являются основой для ПЗС?
£ диод (p-n переход) ;
R МДП структура;
£ p-i-n структура.
28. Амплитуда каких шумов обратно пропорциональна частоте модуляции?
£ тепловой шум;
£ дробовый шум;
R избыточный шум.
29. Обедненный МОП транзистор также называют?
£ ПДК;
£ ПТИЗ;
£ SSJFET;
R DEPMOS.
30. КМОП элементную базу ИМС называют?
£ биполярной;
£ полевой;
R комплементарной
31. БИ-КМОП что означает приставка БИ?
R биполярный;
£ бистабильный;
£ большой интеграции.
32. Цветовая модель RGB состоит из следующих цветов?
R красный, зеленый, синий;
£ желтый, синий, красный;
£ синий, оранжевый, зеленый.
33. Функционально-интегрированная элементная база ИМС, что это такое?
£ технологическая интеграция различного вида приборов в одном кристалле ИМС;
£ гибридная конструкция ИМС;
R единая полупроводниковая структура, содержащая различные элементы ИМС.
34. Квантовая эффективность ПЗС определяется как?
£ число накопленных электронов;
£ сумма попавших фотонов в устройство;
R число накопленных электронов, деленное на число фотонов, попавших на устройство.
35. Интегральная чувствительность ПЗС это?
£ чувствительность к потоку световых фотонов;
£ способность преобразовывать световой поток в электрический сигнал;
R отношение выходного видеосигнала к освещенности на светочувствительной поверхности при заданных условиях.
36. Детекторы с аналоговым принципом действия, в чем он заключается?
£ сигналы от отдельных радиационных частиц пиксель матрицы детектора поступает на АЦП;
R сигналы от отдельных частиц суммируются в виде суммарного заряда в пикселях детектора;
£ сигналы от отдельных частиц записываются в арифметический счетчик.
37. Ближний инфракрасный диапазон (БИК) электромагнитного спектра простирается?
R от 0,78 мкм до 1 мкм;
£ от 0,9 мкм до 2 мкм;
£ от 0,5 мкм до 0,7 мкм.
38. Пороговая чувствительность ПЗС это?
£ момент, при котором ПЗС-матрица начинает фиксировать световой поток;
R минимальная освещенность на ПЗС-матрице, при которой камера сохраняет работоспособность;
£ момент, при котором ПЗС-матрица теряет работоспособность.
минимальная освещенность на ПЗС-матрице, при которой камера сохраняет работоспособность
39. Квантово - цифровые детекторы
R создают изображение объекта в лучах ионизирующих частиц;
£ определяют координаты и спектры отдельных частиц;
£ выполняют и то и другое.
40. Детекторы «не прямого» принципа действия используют?
R сцинтиллятор;
£ светофильтр;
£ просветляющее покрытие.
41. Преимущества КМОП ФД камер по сравнению с ПЗС?
£ меньшая стоимость;
R возможность приема и информационной обработки видео изображения в едином кристалле;
£ получение более качественного изображения /
42. Что определяет радиационную стойкость ПЗС приборов к дозе рентгеновского излучения
R увеличение плотности поверхностных состояний на границе раздела оксид - полупроводник;
£ радиационные дефекты в кремнии;
£ дислокации на поверхности кремниевой пластины.
43. Что определяет радиационную стойкость КМОП микросхем к мощности дозы гамма излучения?
R включение паразитной тиристорной структуры;
£ увеличение плотности поверхностных состояний на границе раздела оксид- полупроводник;
£ радиационные дефекты в кремнии.
44. Преимущества гибридных детекторов по сравнению с монолитными?
R возможность получения более качественных изображений;
£ возможность получения широкоформатных изображений;
£ более низкая стоимость.
45. Какой вид радиационного излучения является критичным для биполярных фототранзисторов?
R альфа частицы;
£ электроны;
£ гамма – кванты.
46. Какой тип ИМС реализует изопланарная технология?
R биполярные ИМС;
£ КМОП ИМС;
£ БИ-КМОП ИМС.
47. Время отклика ИК-приемников это?
R время, необходимое для установления сигнала на выходе, соответствующего входному воздействию;
£ время обработки входного сигнала;
£ предельное время срабатывания ИК-приемника.
время, необходимое для установления сигнала на выходе, соответствующего входному воздействию
48. Какое преимущество, по сравнению, с другими имеет самосовмещенная структура биполярного транзистора?
£ малая площадь;
R высокое быстродействие;
£ высокая технологичность.
Основные порталы (построено редакторами)