НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
ФАКУЛЬТЕТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И ФИЗИКИ
КАФЕДРА ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
«УТВЕРЖДАЮ»
Декан факультета
В, А.Хрусталев
«___ » декабря_2011 г.
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ
"Вакуумная и плазменная электроника "
(ВиПЭ)
ООП - 210100 - электронные приборы и устройства_(подготовка студентов для получения квалификации “Бакалавр техники и технологии”).
Факультет – РЭФ
Кафедра электронных приборов
Курс -3, семестр – 5
Лекции – 51 час
Лабораторные работы – 17 час
Курсовая работа – 5 семестр
Самостоятельная работа – 52 часа
Диф. зачет – 5 семестр
Экзамен – 5 семестр
Всего часов - 120
Новосибирск
2011 г.
Рабочая программа составлена на основании Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования по направлению подготовки бакалавра техники и технологии 210100- (Электроника и микроэлектроника).
Регистрационный номер – ГОС - № 000, утвержден 18.01.2006.
Шифр дисциплины в ГОС (федеральный компонент) - шифр по учебному плану – ОПД. Ф.07.
Рабочая программа обсуждена на заседании кафедры электронных приборов (ЭП)
«___» _ декабря____ 2011 г.
Программу составил: д. т.н., профессор каф. ЭП
Заведующий кафедрой ЭП д. т.н., профессор В. К.Макуха
Ответственный за основную
образовательную программу д. т.н., профессор В. К.Макуха
1. Внешние требования
Общие требования соответствуют квалификационной характеристике выпускника и требованиям к его профессиональной подготовленности, изложенным в разделах 1,4 и 7.1. ГОС.
Выпускник по специальности «Электронные приборы и устройства» должен знать:
- основные научно-технические проблемы и перспективы развития электроники, ее взаимосвязь со смежными областями;
- элементную базу электронной техники, основные виды используемых приборов, их функциональные возможности и особенности применения;
- физические и математические модели процессов и явлений, лежащих в основе принципов действия приборов и устройств электроники;
уметь применять:
- методы исследования и проектирования электронных приборов и устройств;
- методы измерений, сертификации, стандартных испытаний и технического контроля для оценки качества продукции.
Требования ГОС к обязательному минимуму содержания дисциплины.
Шифр дисциплины | Содержание дисциплины | Часы |
ОПД. Ф.07. | Вакуумная и плазменная электроника: электронная эмиссия: основы электронной теории твердого тела, термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная, вторично-электронная, фотоэлектронная эмиссия; электронный поток, его формирование и транспортировка: интенсивные и неинтенсивные, релятивистские и нерелятивистские электронные потоки; способы формирования электронных потоков различной интенсивности (электронные пушки и прожекторы), транспортировка электронного потока и способы ограничения его поперечных размеров; примеры использования в приборах вакуумной электроники; управление электронными потоками: электрические и магнитные способы управления плотностью и скоростью электронов; квазистатические и динамические способы управления; примеры использования в приборах вакуумной электроники; преобразование энергии электронного потока в другие виды энергии: способы, основанные на взаимодействии с вешними электромагнитными полями, энергетический эффект взаимодействия; способы, основанные на взаимодействии с твердыми телами и структурами, эффекты взаимодействия (катодолюминисценция, катодоусиление, рентгеновское излучение, нагрев); примеры использования в приборах вакуумной электроники; ионизованный газ и плазма; элементарные процессы в плазме и на пограничных поверхностях; основные методы генерации плазмы; модели для описания свойств плазмы; типы газовых разрядов; общие свойства плазмы: явления переноса, плазма в магнитном поле, колебания и неустойчивости плазмы, эмиссионные свойства плазмы, излучение плазмы, методы ускорения плазменных потоков; диагностика параметров плазмы; применение плазмы в электронике. | 120 |
2. Особенности курса
Курс входит в число дисциплин, определенных государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированного специалиста 210100 - Электроника и микроэлектроника.
Основная цель курса для студентов: освоить основы вакуумной и плазменной электроники, изучить физические процессы, протекающие в вакуумных и плазменных приборах и устройствах.
Ядром курса является структурная модель любого электронного прибора, состоящая из трех основных узлов: эмиттер заряженных частиц, пространство дрейфа и приемник заряженных частиц.
Для успешного освоения курса студенту необходимо изучить дисциплины: математика, информатика, физика, теоретические основы электротехники, инженерная и компьютерная графика, материалы и элементы электронной техники, физика газового разряда.
Курс имеет практическую часть (лабораторные работы (17 час.) и курсовую работу). Студенты используют теоретические знания для анализа процессов, протекающих в конкретных вакуумных и плазменных приборах. Для самостоятельной работы студенты используют методические пособия к лабораторным работам, учебное пособие к курсовой работе, изданные в НГТУ, конспект лекций по курсу и учебники, указанные в списке литературы.
В процессе изучения дисциплины используется модульно-рейтинговая система обучения. Итоговая аттестация - экзамен (5 семестр), диф. зачет (5 семестр).
3.Требования государственного образовательного стандарта
по дисциплине
Инженер по направлению подготовки дипломированного специалиста "Электроника и микроэлектроника" по курсу "Вакуумная и плазменная электроника" должен знать:
- основные научно-технические проблемы и перспективы развития вакуумных и плазменных приборов и устройств,
- физические и математические модели процессов и явлений, лежащих в основе принципа действия ВППУ,
- типы и возможности современных ВППУ,
должен уметь применять:
- методы исследования ВППУ,
- методы измерения параметров ВППУ для оценки их качества.
4. Цели дисциплины
Номер цели | Содержание цели |
Студент будет иметь представление: | |
1. | О содержании курса "Вакуумная и плазменная электроника" |
2. | О структурной модели ВППУ |
3. | О физических процессах, лежащих в основе каждого узла модели |
4. | Об основных типах ВППУ, их возможностях и областях применения |
5. | Об основных научно-технических проблемах и перспективах развития ВППУ |
Студент будет знать: | |
6 | Основы эмиссионной электроники |
7 | Принципы формирования электронных потоков и лучей |
8 | Принципы управления электронным потоком и его ускорения |
9 | Эффекты взаимодействия электронного потока с твердыми телами |
10 | Физические процессы в ионизированном газе |
11 | Типы газовых разрядов |
12 | Примеры, принцип действия и характеристики вакуумных приборов с квазистатическим управлением |
13 | Примеры, принцип действия и характеристики электронно-лучевых приборов |
14 | Примеры, принцип действия и характеристики фотоэлектронных приборов |
15 | Примеры, принцип действия и характеристики приборов плазменной электроники |
Студент получит навыки по | |
16 | Исследованию работы ВППУ и измерению их параметров |
17 | Моделированию физических процессов, происходящих в ВППУ |
18 | Планированию своей деятельности при изучении дисциплины, выполнении курсовой работы, а также при проведении экспериментов на лабораторных занятиях |
19 | Высказыванию гипотезы о возможных несовпадениях экспериментальных результатов исследования с результатами расчетов параметров модели системы |
5. Структура дисциплины
6. Содержание учебной дисциплины
Лекционные занятия
Ссылки на цели курса | Часы | Темы лекционных занятий |
1 | 2 | Краткий исторический обзор развития вакуумной и плазменной электроники (ВПЭ). Значение ВПЭ в современной промышленности. Содержание учебной дисциплины |
2,3,6 | 4 | Структурная модель ВППУ - три основных узла любого электронного прибора. Эмиссионный узел. Работа выхода твердых тел, контактная разность потенциалов, виды и законы различных видов эмиссий (термоэлектронной, автоэлектронной, взрывной, вторичной, ионно-электронной, фотоэлектронной) |
2,3,7,8 | 3 | Пространство дрейфа. Законы движения заряженных частиц в вакууме в однородных электрических и магнитных полях. Формула скорости |
3,7 | 5 | Электростатические линзы (линза-диафрагма, иммерсионная, одиночная; цилиндрическая; квадрупольная; электронные зеркала). Магнитные линзы: длинная магнитная линза, короткая. Аберрации линз: сферическая, дисторсия. Хроматическая аберрация |
7,8,10 | 2 | Токопрохождение в вакууме и газе. Распределение потенциалов. Законы тока для вакуумного и газового пространства. Режимы насыщения и пространственно-зарядного ограничения |
7,8,10,11 | 5 | Характеристики диодного пространства а) вакуумного, б) газонаполненного с холодным катодом. Виды разрядов, основные процессы в плазме |
7,8 | 3 | Формирование управляемого электронного потока. Иммерсионный объектив, назначение, конструкции. Формирование электронного луча. Устройство электронной пушки. Расчет оптической силы фокусирующей линзы по диаметру пятна на экране |
7,8 | 2 | Формирование интенсивных электронных и ионных потоков. Принцип построения пушек Пирса |
9, 13 | 3 | Приемник заряженных частиц. Основные процессы, происходящие при бомбардировке твердого тела заряженными частицами: люминесценция, зарядка мишени. Потенциал мишени при бомбардировке электронным лучом, измерение тока электронного луча, алюминирование экрана |
4, 12 | 4 | Примеры вакуумных приборов с квазистатическим управлением. Интегральные усилители на их основе. Диод, триод, тетрод. Основные параметры, характеристики |
4, 13 | 3 | Электронно-лучевые приборы. Осциллографические трубки (ОЭЛТ). Назначение, конструкция, распределение потенциалов, траектории периферийных электронов. Назначение каждого узла ОЭЛТ. Системы послеускорения и послеотклонения. Основные виды аберраций в ОЭЛТ. Параметры |
4, 13 | 2 | Примеры электронных микроскопов (просвечивающий), : запоминающих ЭЛТ (графекон). Принципы работы, конструкции |
4, 13 | 3 | Приемные телевизионные приборы. Кинескоп черно-белого изображения. Конструкция, распределение потенциалов, траектории периферийных электронов. Назначение каждого узла. Основные виды аберраций. Параметры. Особенности цветных кинескопов |
4, 13 | 3 | Передающие телевизионные приборы: механические, диссектор, видикон. Конструкции, характеристики |
4, 14 | 3 | Фотоэлектронные приборы. Фотоэлектронные умножители. Электронно-оптические преобразователи. Конструкции, параметры, характеристики, области применения. |
4, 15 | 3 | Приборы плазменной электроники. Стабилитрон, плазменные панели, ртутный вентиль |
5 | 1 | Перспективы развития вакуумной и плазменной электроники |
Лабораторные занятия
Ссылки на цели курса | Часы | Номер и тема лабораторной работы | В процессе выполнения лабораторной работы студент: |
3-5,6,12,16,17 | 4 | № 1. Исследование термоэлектронной эмиссии | - используя лабораторный стенд и справочные данные на исследуемый прибор, составляет и собирает схему для исследования термоэлектронной эмиссии, -снимает участок вольтамперной характеристики исследуемого диода, соответствующий режиму пространственно-зарядного ограничения, - проверяет выполнение закона трех - вторых, - снимает участок вольтамперной характеристики исследуемого диода, соответствующий режиму насыщения, - проверяет наличие эффекта Шоттки, - высказывает гипотезы о расхождении значений параметров, полученных экспериментально и рассчитанных. |
3, 6, 14 | № 2 Исследование фотоэлектронной эмиссии | - используя лабораторную установку, - снимает вольт – амперные характеристики диода с фотокатодом при различных световых потоках и потоках с определенной длиной волны, - снимает спектральную характеристику исследуемого прибора в режиме насыщения, - определяет красную границу фотоэффекта для фотокатода исследуемого прибора, - высказывает гипотезы о возможных несовпадениях теоретически ожидаемых результатов с данными эксперимента. | |
3,4,7,8, 13 | 4 | № 3. Управление электронным потоком на примере осциллографической электронно-лучевой трубки. | - используя лабораторный стенд, выполненный на базе ОЭЛТ типа 13ЛО37И, - знакомится с устройством ОЭЛТ, сравнивая ее конструкцию со схематичным изображением, - исследует процесс фокусировки электронного пучка, наблюдая и фиксируя изменение диаметра пятна на экране при изменении соотношения потенциалов на электродах одиночной линзы; - исследует процесс управления током пучка с помощью изменения потенциала на модуляторе; - наблюдает влияние системы послеускорения на чувствительность по отклонению; - проводит теоретический расчет чувствительности по отклонению x- и y-пластин и сравнивает полученные данные с данными эксперимента; - высказывает гипотезы о возможных несовпадениях теоретически ожидаемых результатов с данными эксперимента; - на основании полученных экспериментальных данных рассчитывает и анализирует зависимость оптической силы главной фокусирующей линзы от соотношения потенциалов на электродах; - прогнозирует и наблюдает влияние системы послеускорения на разрешающую способность ЭЛТ (по минимальному диаметру пятна на экране). |
3-5,11-17 | 4 | № 4. Исследование тлеющего разряда. | - используя лабораторную установку и уникальное газоразрядное устройство, позволяющего изменять расстояние между анодом и катодом с помощью внешнего магнита, -зажигает тлеющий разряд в исследуемом устройстве, - исследует вольтамперную характеристику устройства при различных расстояниях между катодом и анодом, высказывает гипотезы по причинам их различия; - определяет области нормального и аномального тлеющих разрядов, - экспериментально проводит проверку кривой Пашена, - высказывает гипотезы возможных расхождениях с экспериментальными значениями. |
7. Правила аттестации
Выполнение и защита 4 – х лабораторных работ в пятом семестре являются допуском к экзамену по дисциплине.
Экзамен проводится в 5 семестре и включает в себя вопросы, составленные по содержанию дисциплины. Оценка выставляется по пятибалльной системе с учетом рейтинга студента по данной дисциплине.
Итоговый рейтинг по дисциплине по результатам работы студента в течение семестра формируется следующим образом:
Вид деятельности | Максимальный рейтинг | Достаточный рейтинг для допуска к экзамену |
1.Лабор. работы: Выполнение Защита 2.Работа на лекциях | 6 24 30 | 4 16 24 |
Итого | 60 | 44 |
Максимальный рейтинг за сдачу экзамена - 40 баллов. Этот рейтинг добавляется к семестровому рейтингу, после чего итоговая оценка выставляется согласно следующей шкале:
Итоговый рейтинг | Оценка |
Более 86 баллов | Отлично (от В+ до А+) |
От 73 до 85 баллов | Хорошо ( от С до В) |
От 50 до 72 баллов | Удовлетворительно (от Е до С-) |
Менее 50 баллов | Неудовлетворительно |
8.Курсовая работа
Задание на курсовую работу студенты получают на 2 неделе 5-го семестра. Срок защиты курсовой работы - 15-16 недели, объем работы - 30 час. Курсовая работа может быть двух типов: расчетная и реферативная.
При выполнении курсовой работы первого типа студент изучает соответствующие разделы курса, обосновывает выбранную расчетную модель, выполняет расчеты и, делает выводы.
При выполнении курсовой работы второго типа студент подробно изучает конструкцию и принцип работы определенного прибора, физические процессы, на использовании которых построен прибор, делает обзор литературы по данному прибору.
Работа оформляется в виде пояснительной записки. В процессе защиты курсовой работы студент должен проявить соответствующие знания и умения.
Темы курсовой работы
Тему проекта студент выбирает по своему желанию, но типы приборов, выбранные для работы, не должны иметь повторы в учебной группе.
1. Расчет, конструирование катодоподогревательного узла электронной лампы определенного типа.
2. Расчет и конструирование катодоподогревательного узла осциллографической ЭЛТ определенного типа.
3. Расчет и конструирование катодоподогревательного узла кинескопа определенного типа для черно-белого телевидения
4. Расчет и конструирование катодоподогревательного узла кинескопа определенного типа для цветного телевидения
5. Плазменные индикаторы.
6. Иконоскоп.
7. Супериконоскоп.
8. Ортикон.
9. Суперортикон.
10. Видикон,
11. Супервидикон.
12. Пушки Пирса.
13. Потенциалоскоп с длительным воспроизведением записи.
14. Усилитель яркости.
15. Современные кинескопы для цветного телевидения.
16. Плоские кинескопы.
17. Просвечивающие электронные микроскопы.
18. Растровые электронные микроскопы.
19. Плазмотроны.
20. Генераторные лампы.
Список тем курсовых работ может быть расширен ведущим преподавателем.
В процессе работы над курсовой работой деятельность студента сводится к нижеследующему:
Номер недели | Структура деятельности студента при работе над курсовой работой |
1,2 | Выбор темы и получение задания на курсовую работу |
3,4 | Планирование своей деятельности по выполнению курсовой работы |
5 - 13 | Выполнение задания |
14,15 | Оформление пояснительной записки |
16,17 | Сдача проекта на проверку. Защита проекта. |
9. Список литературы
Основная литература
1. А. Д. Сушков. Вакуумная электроника. Физико-технические основы. –С. Петербург: Лань, 2004.
2. Ю. А.Кацман. Электронные лампы. - М.: Высшая школа, 1979.
3. А. А.Жигарев, Г. Г.Шамаева. Электронно-лучевые и фотоэлектронные приборы.-М.: Высшая школа, 1982.
4. Электронные приборы. /Под ред. Г. Г.Шишкина.-М.: Энергоиздат, 1989.
5. Ю. П.Райзер, М. Н.Шнейдер, Н. А.Яценко. Высокочастотный емкостной разряд. Физика. Техника эксперимента. – М.: Издательство МФТИ. 1995.
6. Ю. П.Райзер. Физика газового разряда. - М.: Наука, 1987.
7. А. Б. Беркин, Н. А.Подъякова, Л. И.Лисицына, С. А.Чипурнов. Вакуумная электроника. Методические указания к лабораторным работам. – Новосибирск: НГТУ. 2003.
8. Л. И.Лисицына. Расчет и конструирование кинескопов для черно – белого телевидения. Учебное пособие. Часть 1. - Новосибирск: НГТУ. 2004.
9. Г. П.Катыс, В. И.Осадчий, А. И.Осадчий. Электроннолучевые информационные устройства. – Киев: Наукова думка. 1987.
10. АЮ. А.Быстров, И, и,Литвак, Г. М.Персианов. Электронные приборы для отображения информации. – М.: Радио и связь. 1985.
Дополнительная литература
1. А. А.Щука. Электроника. – С. Петербург: БХВ – Петербург,2006.
2. А. Г.Берковский, В. А.Гаванин, И. Н.Зайдель. Вакуумные фотоэлектронные приборы.-М.: Радио и связь, 1988.
3. Л. Г.Шерстнев. Электронная оптика и электронно-лучевые приборы.-М.: Энергия, 1971.
4. М. А.Соболева, А. Е.Меламид. Фотоэлектронные приборы.-М.: Высшая школа, 1974.
5. И. Л.Каганов. Ионные приборы.-М.: Энергия, 1972.
6. Ю. Основы теории электронных ламп.-М.: Высшая школа, 1974.
7. Б. С.Данилин, В. Ю.Каюров. Применение низко-температурной плазмы для травления и очистки материалов.-М.: Энергоиздат, 1987.
8. Л. В.Воронин, А. Ф.Липатов, В. Б.Проффе. Приборы физической электроники. – М.: В. Ш., 2007.
ПРИЛОЖЕНИЕ
КОНТРОЛИРУЮЩИЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ОСТАТОЧНЫХ ЗНАНИЙ ПО ДИСЦИПЛИНЕ “ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА”
Паспорт контролирующих материалов
1. Для студентов направления 550700, обучающихся по специальности 200300.
Проверка остаточных знаний может проводиться в 7 или 8 семестрах.
2. Порядок проверки остаточных знаний.
Проверка остаточных знаний на потоке или в группе студентов проводится в учебной (лекционной) аудитории в виде письменного опроса по пяти вариантам. Каждый вариант содержит 5 заданий (вопросов). Студенты не пользуются учебной литературой и справочными материалами. Продолжительность письменной работы 30 минут.
3. Шкала оценок.
Каждое из пяти заданий варианта оценивается на 5, 4, 3, или 2 балла. Итоговая оценка рассчитывается как сумма пяти коэффициентов, находящихся в следующем соответствии с баллами:
отлично (5 баллов) – коэффициент 1,
хорошо (4 балла) – коэффициент 0,8,
удовлетворительно (3 балла) - коэффициент 0,6,
неудовлетворительно (2 балла) - коэффициент 0,29.
При этом максимальная итоговая оценка составляет 5 баллов.
4. Соответствие контрольных вопросов целям, поставленным в рабочей программе дисциплины.
Контролируемая часть содержания дисциплины разбивается на 5 блоков.
Первый блок связан с проверкой знаний по различным видам электронной эмиссии: законам эмиссии, понятиям “работа выхода ” металла и полупроводника и “контактной разности потенциалов”.
Второй блок посвящен контролю знаний по вопросу движения заряженных частиц в пространстве дрейфа ( формула скорости заряженной частицы в электромагнитном поле, траектории частицы в однородных электрическом и магнитном полях, электронные линзы, зависимость оптической силы линзы от распределения потенциала и магнитной индукции вдоль оси, критерий параксиальности электронного пучка, аберрации линз, “теория третьего полрядка”).
Третий блок направлен на тестирование остаточных знаний по законам токопрохождения в вакуумном двухэлектродном промежутке (режимы токоотбора, распределение потенциалов и законы тока в режимах “насыщения” и “пространственно-зарядного ограничения” и для начального участка вольтамперной характеристики).
В четвертом блоке проверяются знания по физическим процессам в двухэлектродном газонаполненном приборе с холодным катодом (вольтамперная характеристика, виды разрядов: несамостоятельный, самостоятельный темный, тлеющий, дуговой, коронный, искровой, высокочастотный).
Пятый блок направлен на тестирование остаточных знаний по принципам работы некоторых вакуумных и плазменных приборов (применение изученных физических процессов в лекционном курсе демонстрируется только на примере отдельных типов приборов): вакуумного диода, стабилитрона, осциллографической ЭЛТ. Для ЭЛТ необходимо уметь изобразить траекторию периферийного электрона от катода до экрана, знать, чем определяется диаметр пятна на экране и потенциал экрана).
Каждый из пяти вопросов в каждом варианте позволяет оценить уровень остаточных знаний по блокам. Ответы на все вопросы дают представление о сумме остаточных знаний по всем темам.
Билеты (варианты) для проверки остаточных знаний
Билет № 1.
1.Формула скорости заряженной частицы в вакууме при наличии электромагнитного поля.
2. Дана зависимость диаметра пятна на экране от соотношения потенциалов на электродах собирающей линзы.
Нарисовать траекторию электрона от кроссовера до экрана для точки, расположенной на падающей ветви зависимости..
3. Закон тока на начальном участке реальной анодной характеристики двухэлектродного вакуумного прибора.
4. Особенности искрового разряда.
5. Аберрация – астигматизм.
Билет № 2.
1. Траектория заряженной частицы в однородном электрическом поле, её зависимость от заряда и массы частицы.
2. Основной критерий непараксиальности электронов.
3. Условие возникновения коронного разряда.
4. Дана зависимость диаметра пятна на экране от соотношения потенциалов на электродах собирающей линзы.
Нарисовать траекторию электрона от кроссовера до экрана для точки, расположенной на возрастающей ветви зависимости..
5, Аберрация – кома.
Билет № 3.
1. Траектория заряженной частицы в однородном магнитном поле, её зависимость от заряда и массы частицы.
2. Дана зависимость диаметра пятна на экране от соотношения потенциалов на электродах собирающей линзы.
Нарисовать траекторию электрона от кроссовера до экрана для точки, расположенной в минимуме зависимости..
3. Основные процессы в дуговом разряде.
4. Чем определяется работа выхода полупроводника? Какая часть работы выхода играет основную роль в термоэлектронной эмиссии полупроводника?
5. Аберрация - дисторсия.
Билет № 4.
1. Закон преломления луча в световой и электронной оптике.
2. Формула для расчёта диаметра пятна на экране через диаметр кроссовера для ЭЛТ.
3. В каком типе разряда работает α - процесс?
4. Сферическая аберрация.
5. Чем определяется работа выхода металла? Какая часть работы выхода играет основную роль в термоэлектронной эмиссии металла?
Билет № 5.
1. Закон отражения луча в световой и электронной оптике.
2. Формула для определения оптической силы электростатической линзы (через вторую производную распределения потенциала на оси системы)
Отличие результирующего действия на электронный пучок собирающих электростатической и магнитной линз. Линза, формирующая систему послеотклонения.5. Что такое контактная разность потенциалов?
Основные порталы (построено редакторами)