Вопросы
к экзаменационной сессии 2016/2017 уч. года
по дисциплине
Полупроводниковые приборы и элементы
интегральных микросхем
1. Эволюция силовой электроники.
2. Сравнительный анализ характеристик мощных МОПТ (V-МОП, ГД МОП и ВД МОП-транзисторов.
3. Устройство и принцип действия полевого транзистора с затвором Шоттки.
4. Геометрия мощных МОПТ: ГД МОП и ВД МОП, принципы действия.
5. Выбор электрофизических параметров области эмиттера, базы и коллектора мощного СВЧ биполярного транзистора.
6. Методы увеличения коэффициента усиления по току. Гетеробиполярный транзистор.
7. Аналитическое выражение граничной частоты мощных биполярных транзисторов.
8. Вторичный пробой: причина, методы его минимизации.
9. Эффект оттеснения тока эмиттера на край эмиттера. Методы минимизации этого эффекта.
10. Частотные свойства мощных БПТ.
11. Диод Шоттки. Принцип действия, аналитическое выражение ВАХ.
12. Конструкция мощного СВЧ биполярного транзистора. Выбор материала.
13. Разновидность тиристоров: диристор, тринистор.
14. Геометрия мощных МОПТ: V-МОП и U-МОП, принцип действия.
15.Физическая эквивалентная схема мощного СВЧ юиполярного транзистора. Параметры.
16. Тиристор. Включение и выключение тиристоров.
17. Параметрический диод (варикап). Принцип действия.
18. Динистор. Принцип действия. ВАХ.
19. Транзистор Шоттки. Структура, принцип действия.
20. Геометрия и принцип работы мощных ВД МОП-транзисторов.
21. Влияние температуры на параметры МОП-транзистора.
22. Диод Шоттки. Области применения.
23. Свойства полупроводников с высокими концентрациями носителей заряда: изменение подвижность (μ), время жизни (ннз) и ширина запрещенной зоны (Еg).
24. Варикапы. Принцип действия, параметры.
25. БТИЗ. Причины появления, частотный и мощностной диапазон работы.
26. Структуры мощных биполярных транзисторов. Сравнительный анализ n+-p-n+ и n+-p-n—n+ транзисторов.
27. Влияние высокого уровня легирования на коэффициент инжекции БПТ.
28. Сравнительный анализ БПТ и МОПТ: «за» и «против».
29. БТИЗ. Принцип действия, выходная ВАХ.
30. Влияние высокого уровня легирования на величину тока инжекции дырок из базы в эмиттер.
31. Расширение базы при высоких плотностях эмиттерного тока. Случай n+-p-n+ структуры.
32. Тепловые свойства биполярного транзистора.
33. Методы увеличения коэффициента усиления по току. Схема Дарлингтона. Полосковая структура.
34. Расширение базы при высоких плотностях эмиттерного тока. Случай n+-p-n+ структуры.
35. Подвижность свободных носителей в канале МОПТ: причины значимости подвижности, причины уменьшения ее величины.
36. Преимущества гетеробиполярных транзисторов.
Основные порталы (построено редакторами)
