Техническая спецификация на систему генерации пикосекундного импульсного лазерного излучения на длине волны 488 нм с выводом излучения на одномодовое оптоволокно BDL-488-SMC
Оптические характеристики | |
Частота повторения импульсов | 20-50-80 МГц или непрерывный режим |
Длина волны (непрерывный режим) | 484 нм к 488 нм, стандартное значение 487 нм |
Длина волны (импульсный режим) | 475 нм к 480 нм, стандартное значение 478 нм |
Длительность импульса (FWHM режим, на мощности 1 мВ, частоте генерации 50 МГц) | 40 - 90 пс |
Пиковая мощность | от 40 до 500 мВт (типичные значения, зависят от длительности импульса и выбранной мощности) |
Средняя мощность, (средняя эквивалентной мощности, регулируется пользователем) | 20 МГц: 0,07 мВт до 0,4 мВт, 50 МГц: 0,3 мВт до 1,5 мВт, 80 МГц: 0,3 мВт до 2,3 мВт |
Средняя мощность в Непрерывном режиме | 0,5 мВт до 10 мВт |
Диаметр луча на выходе | 0.7 mm, мода TEM00 |
Поляризация | горизонтальная |
Эффективности передачи излучения в оптоволокно, средняя | 60% |
Стабильность частоты генерации | ± 100 ppm |
Изменении интервала времени между импульсами (Jitter) | <20 пс |
Время срабатывание системы при запуске импульсного режима работы | 1 мкс |
Время срабатывание системы при запуске постоянного режима работы | 3 мкс |
Стабилизация формы импульса и интенсивности после включения | 3 мин |
Соединение оптоволокна | комплектуется 1-дюймовым соединением для оптоволокон от фирм Schäfter&Kirchhoff, OZ Optics, Linus с присоединением к корпусу прибора |
Выходные триггерные сигналы | |
Амплитуда импульса | +100 до +300 мВ (max) на 50 Ом нагрузке |
Длительность импульса | 1 нс |
Выходное сопротивление | 50 Вт |
Разъем | SMA |
Задержка времени между импульсом от триггера до генерации оптического импульса | <500 пс |
Не стабильность интервала времени между импульсом триггера до генерации оптического импульса (Jitter) | <10 пс |
Входы управления | |
Частота 20 МГц | TTL / CMOS (вход имеет 10 кОм подтягивающий резистор. Открытый вход эквивалентен высокому уровню логики) |
Частота 50 МГц | TTL / CMOS (вход имеет 10 кОм подтягивающий резистор. Открытый вход эквивалентен высокому уровню логики) |
Частота 80 МГц | TTL / CMOS (вход имеет 10 кОм подтягивающий резистор. Открытый вход эквивалентен высокому уровню логики) |
Непрерывный режим | TTL / CMOS (вход имеет 10 кОм подтягивающий резистор. Открытый вход эквивалентен высокому уровню логики) |
Включение-выключение лазера | TTL / CMOS (вход имеет 10 кОм подтягивающий резистор. Открытый вход эквивалентен высокому уровню логики) |
Внешнее устройство контроля питания | аналоговый вход, от 0 до + 10В |
Электропитание | |
Напряжение электропитания | от + 9 В до +12 В |
Ток электропитания | 300 мА - 1 А |
Блок питания | Преобразователь переменного напряжения в постоянное напряжения 220 В – 12 В, с кнопкой выключения и предохранителем |
Механические характеристики | |
Габариты (мм) | 160 ×90 ×60 |
Крепежная резьба | два отверстия M6 |
Максимальные значения | |
Напряжение питания | от 0 В до +15 В |
Напряжение на цифровые входы управления | -2 В до +7 В |
Напряжение смещения на внешних входах | -12 В до + 12 В |
Температура окружающей среды | 0 ° C до 40 ° |
Директор Института
молекулярной нанофотоники Н. Х. Ибраев
Основные порталы (построено редакторами)