Условия исполнения контракта, предложенные участниками

Приложение

к протоколу от 25 апреля 2011 г. № 57 заседания Конкурсной комиссии Министерства образования и науки Российской Федерации № 000-1.3-2.3-ИР1 по проведению открытых конкурсов на право заключения государственных контрактов на выполнение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в рамках мероприятий 1.3 и 2.3 федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы», утвержденной постановлением Правительства Российской Федерации от 17 октября 2006 г. № 000

Условия исполнения контракта, предложенные участниками

№ п/п	Регистрационный номер заявки	Наименование (для юридического лица), фамилия, имя, отчество (для физического лица) участника размещения заказа	Квалификация участника	Цена контракта, млн. рублей	Сроки выполнения работ	Качественные характеристики создаваемой научно-технической продукции, содержащиеся в заявке
Лот № 1. 2011-2.3-523-007. «Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро - и наносистемной техники».
1	2011-2.3-523-007-002	Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"	Представленные материалы содержат информацию о квалификации участника	198	705 дней с даты заключения государственного контракта	В ходе выполнения работы будут получены следующие результаты: - Разработано технологическое оборудование для электрохимического формирования в приповерхностном слое пластин кремния нанопористых слоев с требуемыми толщинами и распределением пор по размерам с целью их последующей карбидизации для обеспечения минимального уровня механических напряжений в гетероэпитаксиальных структурах 3С-SiC/Si. - Разработано технологическое оборудование для формирования на подложках кремния монокристаллических слоев карбида кремния кубической политипной модификации с необходимыми толщинами, уровнями легирования и механическими напряжениями. - Разработано технологическое оборудование для формирования на подложках кремния монокристаллических слоев твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия с необходимыми толщинами, уровнями легирования и допустимыми механическими напряжениями. - Разработан технологический процесс создания в подложках для эпитаксии карбида кремния субмикронных по толщине слоев наноразмерных пор с контролируемым распределением по геометрическим размерам и морфологией поверхности. - Разработан технологический процесс газофазного нанесения эпитаксиальных слоев 3С-SiC для создания гетероструктур, включающий предварительную обработку пластин Si с нанопористыми слоями в углеродсодержащем газе с целью формирования буферного согласующего слоя и последующее наращивание эпитаксиального слоя из газовой фазы. - Разработан технологический процесс нанесения эпитаксиальных слоев (SiC)1-x(AlN)x для создания гетероструктур, включающий наращивание эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x с контролируемым составом по х (0 ≤ х ≤ 1). Полученные результаты позволят создать технологию производства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, (SiC)1-x(AlN)x/3C-SiC/Si на нанопористых подложках кремния с требуемыми структурными, электрофизическими, оптическими и механическими характеристиками со следующими параметрами: 1. Подложка: Материал – монокристаллический кремний (100); Тип проводимости - электронный/дырочный; Удельное сопротивление – 0,01…500 Ом∙см; Диаметр подложки – до 4 дюймов; Толщина нанопористого слоя на ростовой поверхности – 0…5 мкм. 2. Эпитаксиальный слой 3С-SiC: Материал – карбид кремния; Структура – монокристалл; Политипная модификация – 3С; Тип проводимости – электронный; Уровень легирования – 1016…1019 см-3; Толщина слоя – 0,1…5 мкм. 3. Эпитаксиальный слой (SiC)1-x(AlN)x: Материал – твердые растворы в системе SiC - AlN; Тип проводимости – электронный/дырочный; Удельное сопротивление – 10-2…1013 Ом∙см; Толщина слоя – 0,005…20 мкм Качество работ превышает требования заказчика.
Лот № 2. 2011-2.3-523-003. «Разработка и организация опытно-промышленного производства автоматизированного измерительного комплекса для технологического контроля механических свойств наноструктурированных покрытий».
2	2011-2.3-523-003-001	Федеральное государственное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов"	Представленные материалы содержат информацию о квалификации участника	210,8	705 дней с даты заключения государственного контракта	Разрабатываемый АПК будет обеспечивать: 1) измерение: - физико-механических свойств покрытий на субмикронных и нанометровых масштабах, - шероховатости. 2) режимы работы: - полуконтактный динамический режим сканирующей зондовой микроскопии, - статическое приложение нагрузки, - динамический режим силовой спектроскопии, - приложение боковой нагрузки. В АПК будут реализованы следующие способы проведения измерений: - измерительное динамическое индентирование, -измерение твердости по восстановленному отпечатку, - склерометрия, в том числе с переменной нагрузкой. - построение изображения рельефа поверхности, - построение изображения карты механической неоднородности поверхности, - построение зависимости твердости и модуля упругости материала от глубины, на которой производится измерение. - измерение неплоскостности поверхности. Разрабатываемый АПК будет обеспечивать: измерение твердости в диапазоне значений от 0,1 до 80 ГПа с точностью ±5%; модуля упругости в диапазоне значений от 1 до 1000 ГПа с точностью ±5%; расчет коэффициента упругого восстановления материала после проведения измерений методом индентирования; измерение параметров шероховатости поверхности в диапазоне от 2 нм до 20 мкм с точностью ±1% / 2 нм; измерение профилограммы поверхности на линейной базе до 50 мм с точностью ±100 нм по нормали и ±2 мкм вдоль линейной координаты. перемещение образцов: ручное в поле (10×10) мм с точностью ±10 мкм, либо моторизованное в максимальном поле 150×150 мм с точностью ±2 мкм; точность позиционирования наконечника при изменении взаимного положения датчика и измеряемого объекта в пределах ±2 мкм. Разрабатываемый АПК позволит получать зависимость измеренных значений твердости и модуля упругости от глубины измерения. Нормальная нагрузка, прикладываемая к индентору в процессе измерений будет контролироваться в диапазоне от 3 мкН до 10 Н с точностью ±1% / 3 мкН. Поле сканирования в режиме построения изображения рельефа поверхности будет иметь максимальный размер по осям XYZ не менее (100×100×40) мкм. Разрабатываемый АПК будет совместим с отечественными модулями атомно-силовых микроскопов.