РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ АКАДЕМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ – НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ ЦЕНТР НАНОТЕХНОЛОГИЙ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
УТВЕРЖДАЮ: _______________/ А. Е. Жуков / «__»__________20__г. Проректор по учебной работе |
Материалы тестовой системы для промежуточной аттестации
«Пост-ростовая обработка полупроводниковых светоизлучающих наногетероструктур»
© СПб АУ НОЦНТ РАН 2012
Санкт-Петербург
2012 г.
Контрольно-измерительные материалы для оценивания итоговых результатов по учебной дисциплине «Пост-ростовая обработка полупроводниковых светоизлучающих наногетероструктур»
Для контроля усвоения учебной дисциплины «Пост-ростовая обработка полупроводниковых светоизлучающих наногетероструктур» учебным планом предусмотрено проведения тестирования. Слушателю предлагается выбрать один из вариантов ответа, дать краткий или развернутый ответ на тестовые вопросы билета.
Подготовка к итоговому тесту требует повторения материала лекций и материалов, предлагаемых для изучения в учебных пособиях и дополнительной литературы.
Целью прохождения промежуточного и итогового контроля является проверка системных знаний в области производства полупроводниковых наногетероструктур предприятий методом пост-ростовых технологий и разработки их технологических маршрутов.
1. Критерии оценивания
1.1. Итоговый контроль.
При оценивании знаний слушателей по итоговому (и промежуточному) тестированию:
- оценка «отлично» выставляется, если в итоговом тестировании дано не менее 85% правильных ответов;
- оценка «хорошо» выставляется, если при тестировании дано 70% - 84% правильных ответов;
- оценка «удовлетворительно» выставляется, если при тестировании дано 60% - 69% правильных ответов;
- оценка «неудовлетворительно» выставляется, если при тестировании дано не более 59% правильных ответов.
2. Вопросы тестовой системы для аттестации слушателей по учебной дисциплине «Пост-ростовая обработка полупроводниковых светоизлучающих наногетероструктур»
Вопрос № 1
Вопрос: Светочувствительность фоторезиста – величина
а) обратно пропорциональная экспозиции
б) прямо пропорциональная экспозиции
Вопрос № 2
Вопрос: Позитивные фоторезисты на основе НХД чувствительны к длинам волн
а) 450-550нм
б) 250-450 нм
Вопрос № 3
Вопрос: Плазмохимические процессы травления являются
а) сухими способами травления
б) жидкостным способами травления
Вопрос № 4
Вопрос: Скорость травления в жидкостном травителе, работающем в диффузионной области, с увеличением интенсивности перемешивания травителя
а) увеличивается
б) уменьшается
в) не изменяется
Вопрос № 5
Вопрос: Как соотносится скорость радикального травления со скоростью плазменного травления при одних и тех же параметрах процесса?
а) больше
б) равна
в) меньше скорости
Вопрос № 6
Вопрос: Наиболее типична для ионно-лучевого травления энергия ионов
а) 5 эВ
б) 50 эВ
в) 500 эВ
Вопрос № 7
Вопрос: Процесс ионно-лучевого травления характеризуется
а) низкой анизотропией и высокой селективностью
б) низкой анизотропией и низкой селективностью
в) высокой анизотропией и низкой селективностью
Вопрос № 8
Вопрос: Высокая селективность травления достигается, если скорость травления основного материала
а) больше скорости травления стоп-слоя
б) меньше скорости травления стоп-слоя
в) равна скорости травления стоп-слоя
Вопрос № 9
Вопрос: Наибольшая скорость радикального травления обеспечивается активными частицами
а) с большим временем жизни
б) с малым временем жизни
в) время жизни активных частиц не имеет значения
Вопрос № 10
Вопрос: При магнетронном распылении диэлектриков используется
а) магнетрон постоянного тока
б) высокочастотный магнетрон
в) и магнетрон постоянного тока и высокочастотный магнетрон.
Вопрос № 11
Вопрос: Установите соответствие между полупроводником и жидкостным травителем, типичным для его травления. Ответ запишите в бланк.
Полупроводниковое соединение | Травитель |
1) GaAs | а) расплав KOH |
2) InP | б) HCl:H2O |
3) GaN | в) H2O |
Ответ: 1 - ___, 2 - ___, 3 - ___.
Вопрос № 12
Вопрос: Установите соответствие между напыляемым материалом и испарителем. Запишите ответ в бланк.
Испаряемый материал | Тип испарителя |
1) Au | а) электронно-лучевой испаритель |
2) Ni | б) нитрид бора |
3) Ag | в) вольфрам |
г) молибден |
Ответ: 1 - ___, 2 - ___, 3 - ___.
Вопрос № 13
Вопрос: Установите соответствие между легирующей примесью для полупроводника А3В5 и типом формирующегося омического контакта. Запишите ответ в бланк.
Легирующая примесь | Тип омического контакта |
1) Ge | а) p - тип |
2) Si | б) п-тип |
3) Zn | |
4) Te |
Ответ: 1 - ___, 2 - ___, 3 - ___, 4 - ___.
Вопрос № 14.
Вопрос: Расположите в правильном порядке технологические операции, применяемые при проведении пост-ростовой обработки:
а) совмещение и экспонирование
б) задубливание фоторезиста
в) напыление металла
г) сушка фоторезиста
д) отмывка фотошаблона
Ответ: 1 - ___, 2 - ___, 3 - ___, 4 - ___, 5 - ___.
Вопрос № 15
Вопрос: Расположите в правильном порядке технологические операции, применяемые при формировании омического контакта:
а) вжигание контакта
б) напыление контакта
в) фотолитография
г) удаление фоторезиста
д) очистка поверхности полупроводника.
Ответ: 1.___, 2___, 3___, 4___, 5___.
Вопрос № 16
Вопрос: Расположите в правильном порядке технологические операции, применяемые при формировании вертикального лазера с диэлектрическим зеркалом:
1) фотолитография
2) металлизация
3) формирование омических контактов
4) напыление диэлектрического зеркала
5) формирование апертуры.
Ответ 1.___, 2___, 3___, 4___, 5___.
Вопрос № 17.
Дайте краткий ответ на вопрос.
Вопрос: Распыление материала в электронно-лучевом испарителе происходит за счет __________________________________.
Вопрос № 18.
Дайте краткий ответ на вопрос.
Вопрос: При проявлении позитивного резиста в проявителях удаляются __________________________ области.
Вопрос № 19
Дайте краткий ответ на вопрос.
Вопрос: При травлении светоизлучающей структуры стоп-слой ________________.
Вопрос № 20.
Письменно ответьте на вопрос.
Объясните различие омических контактов к GaAs n- и p-типа.
3. Ключи для проверки тестов
Номер вопроса | Правильный ответ | Номер вопроса | Правильный ответ |
1 | а | 9 | а |
2 | б | 10 | б |
3 | а | 11 | 1 – б), 2 - а), 3 – в). |
4 | а | 12 | 1 – в), 2 - б), 3 – а). |
5 | в | 13 | 1 - б), 2 - а), 3 - б), 4 – а). |
6 | в | 14 | 1 - б), 2 - а), 3 - г), 4 - в), 5 - д) |
7 | в | 15 | 1 - б), 2 - а), 3 - г), 4 - в), 5 - д) |
8 | а | 16 | 1 - б), 2 - а), 3 - г), 4 - в), 5 - д) |
Номер вопроса | Модельный ответ |
17 | термического нагрева, термического разогрева |
18 | засвеченные, экспонированные |
19 | удаляется в другом травителе, удаляется в другом процессе, в данном процессе травления не участвует. |
Вопрос № 20
Модельный ответ | Количество баллов |
GaAs на поверхности имеет высокую концентрацию поверхностных состояний расположенных в глубине запрещенной зоны, что приводит к закреплению уровня Ферми на поверхности. | 1 |
Для образования омического контакта к GaAs необходимо понизить плотность поверхностных состояний, или уменьшить высоту потенциального барьера за счет изменения химического состава приконтактной области, или увеличить концентрацию носителей заряда в приконтактной области. | 1 |
Наиболее распространенным способом создания омических контактов к GaAs является образование сильно легированного приповерхностного слоя (1020 - 1021см-3), который значительно сужает потенциальный барьер металл-полупроводник. | 1 |
Сильно легированный приповерхностный слой создаётся за счет интерфейсных химических реакций, вызывающих диссоциацию GaAs и возникновение нового слоя сильно легированного GaAs. | 2 |
Омический контакт к GaAs n-типа формируется на основе сплава AuGe (27%) При нагреве до температуры 370-400 ◦С Au взаимодействует с Ga, а Ge замещает Ga. При охлаждении образуется новый сильно легированный слой n-GaAs. | 2 |
Аналогично формируется омический контакт к GaAs р-типа на основе сплава AuZn (5%). При нагреве до температуры 370 - 400◦С Au взаимодействует с Ga, а Zn замещает Ga. При охлаждении образуется новый сильно легированный слой p-GaAs. | 2 |
Итого 9 баллов. |
Основные порталы (построено редакторами)