БАЗА НАУЧНЫХ ПРИБОРОВ БГУ
И ОРГАНИЗАЦИЯ ДОСТУПА К НИМ МОЛОДЫХ УЧЁНЫХ
Ниже находится список научного оборудования химического, биологического и физического факультетов БГУ.
Для получения доступа к оборудованию необходимо связаться с ответственным лицом на соответствующем факультете. Список ответственных лиц и контактные телефоны приведены ниже.
Химический факультет: (029)6384939 Биологический факультет: (017) 2095863, (029)3256468 Физический факультет: (017) 2095480СПИСОК ОБРУДОВАНИЯ
1. НИИ ФХП БГУ и химический факультет.
1. Атомно-эмисионный спектрометр,
2. атомно-абсорбционный спектрометр
3. ЯМР-спектрометр,
4. ЭПР-спектрометр,
5. ИК-спектрометр.
6. Дифференциальный сканирующий калориметр
7. Сканирующий электронный микроскоп LEO 1420 с вакуумным постом для напыления золота,
8. просвечивающий электронный микроскоп LEO 906E
9. Рентгеновский дифрактометр ДРОН – 2.
10. Просвечивающий электронный микроскоп ПЭМ-4,
11. Универсальный вакуумный пост ВУП 2.
2. Биологический факультет
1. Инвертируемый микроскоп
2. Световой микроскоп
3. Спектрофотометр (измерения в режиме кинетики, сканирования)
4. Планшетный ридер
5. Амплификатор для количественной ПЦР
6. Амплификатор
7. Низкотемпературный морозильник (-75)
8. СО2-инкубатор
9. Ламинарный бокс
10. Центрифуги (до 10 000 оборотов/мин)
11. Паровые стерилизаторы
3. ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ(БМЦ)
Сведения об оборудовании и приборах БМЦ
№ п/п | Наименование прибора, установки или экспериментального комплекса. Производитель, страна | Год выпуска/ модернизации или создания | Назначение | Основные технические характеристики |
1 | Растровый электронный микроскоп LEO 1455 VP с рентгеноспектральным микроанализатором (Сarl Zeiss, Германия) и дифракционной приставкой (Oxford Instruments, Англия). | 2001 г./модер-низирован дифракционной приставкой в 2009 г. | для исследования микроструктуры, элементного и фазового состава и текстуры кристаллических материалов | Увеличение до 300 тыс. раз, разрешающая способность в высоковакуумном режиме 3,5 нм, в низковакуумном режиме – 5 нм. Микроанализ элементов от B до U |
2 | Просвечивающий электронный микроскоп ПЭМ-100 ПО «Электрон», Украина | 1990 г., модернизирован системой компьютерного управления в 2005 г. | для исследования структуры и фазового состава тонких слоев | Увеличение до 300 тыс. раз, разрешаемое расстояние по точкам – 0,5 нм, по кристаллической решетке – 0,35 нм |
3 | Сканирующий зондовый микроскоп Solver P47 PRO. «НТ-МДТ», Россия | 2005 | для исследования топографии и локальных магнитных, механических и электрических свойств поверхности | Максимальный размер области сканирования – 12х12 мкм, минимальный шаг сканирования 0,001нм, разрешение: по X-Y 0,2 нм, по Z - 0,001 нм |
4 | Рентгеновские дифрактометры ДРОН 4.13, ДРОН 4-13, ДРОН 4-07, «Буревестник», Россия | 1992 1992 1990 | для исследования фазового состава и кристаллической структуры материалов | Скорость съемки дифрактограмм от 1/32 град/мин до 16 град/мин в Cu и Co-излучении, пакет программ по обработке полученных данных |
5 | Динамический микротвердомер Shimadzu DUH-202, Shimadzu Corporati, Япония | 1999 | для измерения динамической твердости и микротвердости тонких пленок и покрытий | Измерения в области малых нагрузок от 0,1 мН и тонких слоев – от 10 нм, глубина индентирования до 10 мкм |
6 | Виброзащитный голографический стенд в составе: виброзащитный стенд 1НТ12-24-20, SNANDA, Литва; гелий-неоновые лазеры ГН-25-1 – 2 шт., аргоновый лазер ЛГ-106М4, , Россия; лазер LS-2134, СП «ЛОТИС - ТИИ», Беларусь | 2004 | для голографических исследований | Вертикальная резонансная частота 4,2 Гц, горизонтальная резонансная частота 2,2 Гц, автоматическая точность выравнивания 3 мм, вертикальный диапазон регулировки 12 мм, переходное время задержки возбуждения 50 мс |
7 | Фурье - спектрометр VERTEX 70, «Bruker», Германия | 2005 | для регистрации инфракрасных спектров различных веществ | спектральное разрешение лучше, чем 0.5 см-1 (с аподизацией), фотометрическая точность лучше, чем 0,1 % |
8 | Лабораторный комплекс CFHF на базе рефрижератора замкнутого цикла, компания Cryogenics Ltd, Англия | 2006 | для автоматизированного измерения электрических свойств на постоянном и переменном токе, магнитных свойств, а также термоэдс и теплопроводности различных материалов | диапазон температур 1,6 – 300 К, магнитные поля до 8 Тл, область частот от 20 Гц до 30 МГц |
9 | Комплекс оборудования для пробоподготовки, «Struers A/S», Дания | 2006 | для резки, шлифовки, полировки, электролитического утонения | При резке: скорость отрезания 110-420 об/мин, точность 0,01 мм. При полировке: скорость вращения полировального диска 40-600 об/мин, давление 10- 400 Н. При электролитическом утонении: одно - и двухстороннее утонение, диаметр образца 3 мм |
10 | Лаборатория клеточных технологий | 2007 | Ведение культур клеточных линий, исследование клеток методом patch-clamp | Степень очистки воздуха: не хуже 99,99% (0,3 мкм), инкубация: t= 5-50 C, CO2= 0-20 %, O2= 3-90 %, Hum= 60-95 % rH. Взвешивание: 0-1 кг, точность 0,1 мкг. Скорость центрифугирования: 15000 оборотов Манипулирование: не хуже 2 мкм. Фиксация тока: не хуже 10 мкА. Фиксация потенциала: не хуже 1 мВ Внутриклеточный потенциал: 0-10 кГц, 0-1 В, шум: <5 мкВ Внеклеточный потенциал: 0-10 кГц, 0-10 мВ, шум: <5 мкВ |
11 | Пикосекундный комплекс на базе лазера LS-2151, СП «ЛОТИС-ТИИ», Беларусь | 2008 | для динамической голографии | Длительность импульса в режиме мод. добротности 10-15 нс, в режиме пассивной синхронизации мод 30-40 пс, частота повторения импульсов 1-10 Гц |
12 | Установка ионного утонения, полировки, очистки PECS 682, Gatan, США | 2009 | Для препарирования образцов для РЭМ и ПЭМ | Энергия ионов от 1 до 10 кэВ; плотность тока до 10 мА/см2; диаметр ионного пучка до 5 мм; скорость утонения для W 3 мкм/ч; угол наклона образца 0-90 град |


