Основные вопросы

ОСНОВНЫЕ ВОПРОСЫ (требующие развернутого ответа)

1.  Основные этапы изготовления подложек для будущих микросхем. Требования к качеству подложек. 2.  Изобразить структуру интегрального биполярного транзистора, изолированного p-n-переходом. Указать преимущества и недостатки такого способа изоляции. 3.  Изобразить структуру интегрального биполярного транзистора, изолированного диэлектриком. Указать преимущества и недостатки такого способа изоляции. 4.  Изобразить структуру интегрального биполярного транзистора с комбинированной изоляцией. Указать преимущества и недостатки такого способа изоляции. 5.  Изобразить структуру интегрального МОП транзистора. Проблемы формирования МОП-транзисторов и способы их решения. 6.  Изобразить структуру интегрального КМОП транзистора. Проблемы формирования КМОП-транзисторов и способы их решения. 7.  КНС-технология. Примеры реализации интегральных транзисторов. Преимущества и недостатки технологии. 8.  Интегрально-инжекционная логика. Принцип построения ИИЛ и структура элементов ИИЛ в микросхемах. Преимущества и недостатки ИИЛ. 9.  Эффект памяти в МОП-структурах. Привести примеры структур МОП-ячеек памяти и пояснить принцип их работы. 10.  Понятие динамической памяти и способы ее реализации (изобразить и пояснить структуры ячеек динамической памяти).

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ (краткий ответ с необходимыми пояснениями и рисунками)

1.  Понятие интегрально-группового метода производства микросхем. 2.  Назначение скрытого коллекторного слоя в интегральных биполярных транзисторах. 3.  Эффект поля в полупроводниках. Принцип работы МДП-транзистора. 4.  Способы борьбы с паразитными МОП-структурами. 5.  Способы борьбы с плохим теплоотводом от интегрального транзистора. 6.  Преимущества КМОП-логики (на примере работы КМОП-инвертора). 7.  Понятие ТТЛШ-логики и способ ее реализации (изобразить и пояснить структуру). 8.  Принцип работы и способ реализации ПЗУ на транзисторных матрицах с плавкими перемычками. 9.  Требования к подзатворному диэлектрику в МОП-транзисторах. 10.  Назначение самосовмещающей технологии изготовления МОП-транзисторов.

ЛИТЕРАТУРА

1.  Ваши конспекты лекций и мои презентации (можно взять)

2.  Черняев производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.,Радио и связь,1987.

3.  , Филинюк микросхемы и основы их проектирования.-М.,1992.

4.  Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 Кн. Кн.1. Общая технология. – М.:Высш. шк., 1989.

5.  Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 Кн. Кн.4. Механическая и химическая обработка. – М.:Высш. шк., 1989.

6.  Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 Кн. Кн.9. Сборка. – М.:Высш. шк., 1989.