Технические требования на выполнение работ по НИОКР

ЧАСТЬ VI. ТЕХНИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ КОНКУРСНОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ

ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

на выполнение работ по НИОКР:

«Разработка перспективной элементной базы наноэлектроники на основе кремний-углеродных пленок»

1. Основание для проведения работ.

1.1.  Тематический план прикладных научных исследований и проектов в интересах города Москвы на 2008 год;

1.3. Сроки выполнения работ: 2008-2009 г. г.

2. Цель и исходные данные для проведения работ.

Целью НИОКР является разработка перспективной элементной базы наноэлектроники на основе нового класса тонкопленочных функциональных материалов с кремний-углеродной матрицей, включающей в себя частицы нанофазы на основе металлов.

Исходные данные: технология синтеза на полупроводниковых, диэлектрических и металлических подложках функциональных нанокомпозитных материалов на основе кремний-углеродных матриц с широким диапазоном электрофизических и механических характеристик.

3. Этапы НИОКР.

№ п/п	Наименование этапа	Чем заканчивается	Сроки выполнения
1.	Разработка технологий получения диэлектрических и проводящих пленок с заданными электрофизическими параметрами	Эскизный проект технологического процесса; Промежуточный научно-технический отчет.	4 месяца
2.	Разработка технологий получения металлсодержащих пленок с заданными механическими параметрами. Изготовление опытных образцов приборов.	Акт изготовления образцов приборов для лабораторных испытаний; Акт испытания электрофизических параметров образцов приборов; Акт испытания механических характеристик пленок. Заключительный научно-технический отчет.	11 месяцев

4. Основные требования к выполнению НИОКР.

Должна быть разработана технология, обеспечивающая синтез кремний-углеродных пленок (КУП) на диэлектрических, полупроводниковых и металлических подложках для создания ряда приборов наноэлектроники, в том числе энергонезависимой памяти на основе матрицы МОП транзисторов с подзатворным диэлектриком из КУП, приборы MEMS технологий, термостабильных высокоточных пленочных резисторов.

Разработанные процессы должны быть экологически безопасными. Используемые материалы должны быть не дефицитны. Должно быть подготовлено оборудование и технологическая документация для производства разработанных материалов и инструмента.

4.1 Технические требования

К синтезируемым тонкопленочным материалам на основе кремний-углеродной матрицы для создания элементной базы наноэлектроники предъявляются следующие требования:

- толщина пленок от 5 нм – до 10мкм;

- электрическая прочность нелегированных КУП до 3∙107 в/см;

- удельное сопротивление пленок должно варьироваться в пределах от 1014 ом∙см до 10-4 ом∙см;

- технология синтеза пленок должна позволять внедрять в матрицу металлсодержащие частицы размером от 1 до 5 нм;

- пленки обладают высокой адгезией к широкому ряду материалов;

- управляемо регулируемая твердость в диапазоне 6.0 ГПa - 20.0 ГПa ;

- высокая устойчивость к неорганическим и органическим травителям.

5. Способ реализации результатов НИР

В результате выполнения НИОКР должна быть создана установка и отработана технология синтеза на подложках кремния ситала и других материалов функциональных пленок с заданными величинами удельного сопротивления, параметров по термостабильности и заданными механическими характеристиками для изготовления экспериментальных образцов приборов. Должны быть изготовлены экспериментальные образцы высокоточных термостабильных пленочных резисторов, элементов энергонезависимой памяти и других приборов

6. Перечень отчетной документации, представляемой по окончании работ.

Эскизный проект технологического процесса;

Промежуточный научно-технический отчет.

Акт изготовления образцов приборов для лабораторных испытаний;

Акт испытания электрофизических параметров образцов приборов;

Акт испытания механических характеристик пленок.

Заключительный научно-технический отчет.

7. Технико-экономическое обоснование

Разрабатываемые функциональные нанокомпозитные кремний-углеродные материалы, технологии их получения и разработанные на их основе приборы должны обеспечить создание новой элементной базы для наноэлектроники, внедрение которой в производство приведет, с учетом дешевизны компонентов и технологий, трудно оцениваемый (миллиадры долларов..) экономический эффект.

Полученные результаты и разработанные методы должны быть ориентированы на широкое применение в научно-исследовательских организациях и фирмах производителях наукоемкой продукции и быть конкурентоспособными на мировом рынке.