Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«Владивостокский государственный университет экономики и сервиса»
УТВЕРЖДАЮ
Ректор университета
___________________
«__» __________________2012 г.
Основная образовательная программа послевузовского профессионального образования
по отрасли 01.00.00 – Физико-математические науки
по специальности 01.04.07 – Физика конденсированного состояния
Присуждаемая учёная степень – кандидат физико-математических наук
Владивосток 2012 г.
1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
ПОСЛЕВУЗОВСКОГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»
1.1. Федеральные государственные требования к основной образовательной программе послевузовского профессионального образования (далее – образовательная программа послевузовского профессионального образования) по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния» вводятся в соответствии приказом Министерства образования и науки Российской Федерации «Об утверждении федеральных государственных требований к структуре основной профессиональной образовательной программы послевузовского профессионального образования (аспирантура)»
1.2. Ученая степень, присуждаемая при условии освоения основной образовательной программы послевузовского профессионального образования и успешной защиты квалификационной работы (диссертации на соискание ученой степени кандидата наук) ‑ кандидат наук.
Нормативный срок освоения основной образовательной программы послевузовского профессионального образования (подготовки аспиранта (адъюнкта), далее по тексту - подготовки аспиранта) по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния» при очной форме обучения составляет 3 года.
Нормативный срок подготовки аспиранта по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния» при заочной форме обучения составляет 4 года.
В случае досрочного освоения основной образовательной программы подготовки аспиранта и успешной защиты диссертации на соискание ученой степени кандидата наук аспиранту присуждается искомая степень независимо от срока обучения в аспирантуре (адъюнктуре) (далее по тексту – аспирантуре).
Цели аспирантуры
Цель аспирантуры - подготовка научных и научно-педагогических кадров высшей квалификации физико-математического профиля для науки, образования, промышленности.
Целями подготовки аспиранта, в соответствии с существующим законодательством, являются:
· формирование навыков самостоятельной научно-исследовательской и педагогической деятельности;
· углубленное изучение теоретических и методологических основ физики;
· совершенствование философского образования, в том числе ориентированного на профессиональную деятельность;
· совершенствование знаний иностранного языка, в том числе для использования в профессиональной деятельности.
Квалификационная характеристика выпускника аспирантуры.
Выпускник аспирантуры является специалистом высшей квалификации и подготовлен:
· к самостоятельной (в том числе руководящей) научно-исследовательской деятельности, требующей широкой фундаментальной подготовки в современных направлениях физики, глубокой специализированной подготовки в выбранном направлении, владения навыками современных методов исследования;
· к научно-педагогической работе в высших и средних специальных учебных заведениях различных форм собственности.
1.3. К физико-математическим наукам в соответствии с Номенклатурой специальностей научных работников, относятся специальности утвержденные приказом Министерства образования и науки Российской Федерации от 01.01.2001 №59 (в ред. Приказов Минобрнауки РФ , .
2. ТРЕБОВАНИЯ К УРОВНЮ ПОДГОТОВКИ, НЕОБХОДИМОМУ ДЛЯ ОСВОЕНИЯ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТА И УСЛОВИЯ КОНКУРСНОГО ОТБОРА
2.1. Лица, желающие освоить основную образовательную программу подготовки аспиранта по данной отрасли наук, должны иметь высшее профессиональное образование (диплом специалиста либо диплом магистра).
2.2. Лица, имеющие высшее профессиональное образование, принимаются в аспирантуру по результатам сдачи вступительных экзаменов на конкурсной основе. По решению экзаменационной комиссии лицам, имеющим достижения в научно-исследовательской деятельности, отраженные в научных публикациях, может быть предоставлено право преимущественного зачисления.
2.3. Порядок приема в аспирантуру и условия конкурсного отбора определяются действующим Положением о подготовке научно-педагогических кадров и научных кадров в системе послевузовского профессионального образования в Российской Федерации.
2.4. Программы вступительных испытаний в аспирантуру разрабатываются образовательными учреждениями и научными организациями, реализующими основные образовательные программы послевузовского профессионального образования, в соответствии с государственными образовательными стандартами высшего профессионального образования.
3. ОБЩИЕ ТРЕБОВАНИЯ К ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЕ ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТОВ
по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»
3.1. Основная образовательная программа подготовки аспирантов реализуется на основании лицензии на право ведения образовательной деятельности в сфере послевузовского профессионального образования образовательными учреждениями высшего профессионального образования, имеющими государственную аккредитацию, и научными учреждениями, организациями.
3.2. Образовательная программа послевузовского профессионального образования включает в себя учебный план, рабочие программы дисциплин (модулей), программы практики, обеспечивающие реализацию соответствующей образовательной технологии*.
3.3. В основной образовательной программе подготовки аспиранта должны предусматриваться следующие компоненты:
ОД. А.00 – обязательные дисциплины;
ФД. А.00 – факультативные дисциплины;
П. А.00 – практика.
3.4 Исследовательская составляющая, включает следующие разделы:
НИР. А.00 – научно-исследовательская работа аспиранта и выполнение диссертации на соискание ученой степени кандидата наук;
КЭ. А.00 – кандидатские экзамены;
ПД. А.00 – подготовка к защите диссертации на соискание ученой степени кандидата наук.
Нормативный срок освоения образовательной программы послевузовского профессионального образования в очной форме обучения не может превышать три года, в заочной форме – четыре года.
4. Трудоемкость освоения образовательной программы послевузовского профессионального образования
(по ее составляющим и их разделам):
по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»
Индекс | Наименование разделов и дисциплин (модулей) | Трудоемкость (в зачетных единицах)** |
ОД. А.00 | Обязательные дисциплины | 11 |
ОД. А.01 | История и философия науки Настоящая программа философской части кандидатского экзамена по курсу "История и философия науки" предназначена для аспирантов и соискателей всех научных специальностей. Она представляет собой введение в общую проблематику философии науки. Наука рассматривается в широком социокультурном контексте и в ее историческом развитии. Особое внимание уделяется проблемам кризиса современной техногенной цивилизации и глобальным тенденциям смены научной картины мира, типов научной рациональности, системам ценностей, на которые ориентируются ученые. Программа ориентирована на анализ основных мировоззренческих и методологических проблем, возникающих в науке на современном этапе ее развития и получение представления о тенденциях исторического развития науки. В основу настоящей программы положены следующие дисциплины: история техники, история науки, история физики. История физико-математических знаний как самостоятельная область исследований. Проблемы историографии физико-математических наук. Источники по истории физико-математических наук. Основные этапы и факторы становления и развития физики в контексте всеобщей истории. История развития исследований, приращения физических знаний в развивающейся системе физико-математических наук. Все сдающие этот экзамен должны освоить содержание первой части Программы «История и философия науки», а также вторую части Программы, по физическо-математической отрасли. | 2 |
ОД. А.02 | Иностранный язык На кандидатском экзамене аспирант (соискатель) должен продемонстрировать умение пользоваться иностранным языком как средством профессионального общения в научной сфере. Аспирант (соискатель) должен владеть орфографической, орфоэпической, лексической и грамматической нормами изучаемого языка и правильно использовать их во всех видах речевой коммуникации, в научной сфере в форме устного и письменного общения. Говорение На кандидатском экзамене аспирант (соискатель) должен продемонстрировать владение подготовленной монологической речью, а также неподготовленной монологической и диалогической речью в ситуации официального общения в пределах программных требований. Оценивается содержательность, адекватная реализация коммуникативного намерения, логичность, связность, смысловая и структурная завершенность, нормативность высказывания. Чтение Аспирант (соискатель) должен продемонстрировать умение читать оригинальную литературу по специальности, опираясь на изученный языковой материал, фоновые страноведческие и профессиональные знания, навыки языковой и контекстуальной догадки. Оцениваются навыки изучающего, а также поискового и просмотрового чтения. В первом случае оценивается умение максимально точно и адекватно извлекать основную информацию, содержащуюся в тексте, проводить обобщение и анализ основных положений предъявленного научного текста для последующего перевода на язык обучения, а также составления резюме на иностранном языке. Письменный перевод научного текста по специальности оценивается с учетом общей адекватности перевода, то есть отсутствия смысловых искажений, соответствия норме и узусу языка перевода, включая употребление терминов. Резюме прочитанного текста оценивается с учетом объема и правильности извлеченной информации, адекватности реализации коммуникативного намерения, содержательности, логичности, смысловой и структурной завершенности, нормативности текста. При поисковом и просмотровом чтении оценивается умение в течение короткого времени определить круг рассматриваемых в тексте вопросов и выявить основные положения автора. Оценивается объем и правильность извлеченной информации. | 2 |
ОД. А.03 | Специальные дисциплины отрасли наук и научной специальности | 2 |
ОД. А.03 | Физика конденсированного состояния Современное состояние науки о материалах. Общие представления о магнитных, электрических, сегнетоэлектрических, полупроводниковых свойствах материалов. Роль этих материалов в науке и технике. Новые типы материалов: наноматериалы, квазикристаллы, фуллерены, аморфы, полимерные пленки и т. п. Атомно-кластерная инженерия и создание новых материалов XXI в. Неравновесные твердотельные системы, как «открытые системы». Проблема устойчивости. Бифуркации. Саморегуляция в открытых конденсированных системах. | 2 |
ОД. А. | Дисциплины по выбору аспиранта | 9 |
ОД. А.04 | Физика поверхности полупроводников Атомная структура поверхности. Релаксация, реконструкция, их механизмы. Связь физических свойств поверхности с ее структурой. Структурные дефекты поверхности. Электронная структура поверхности. Поверхностные электронные состояния. Электронная плотность вблизи поверхности. Поверхностные плазмоны. Основы двумерной кристаллографии. Двумерные решетки. Индексы Миллера плоскостей кристалла. Индексы направлений. Описание структуры поверхности. Двумерная обратная решетка. Методы получения атомарно-чистой поверхности. Пространственное распределение потенциала и электронной плотности на поверхности металла, осцилляции Фриделя. Работа выхода и ее составные части. Физическая природа и описание области пространственного заряда в полупроводниках на границах раздела. Распределение электрических зарядов в приповерхностной области полупроводников. Поверхностная емкость полупроводников. Кинетические и неравновесные явления в полупроводниках с учетом поверхности и границ раздела. Контакт металл-полупроводник, гомопереходы, гетеропереходы. Полевые эффекты в полупроводниках и их использование для исследования поверхностных явлений. Гетерогенные системы. Межфазная граница. Явления на границе раздела фаз твердое тело-газ. Физическая и химическая адсорбция. Межмолекулярные взаимодействия при физической адсорбции. Моно-и полимолекулярная адсорбция. Модель адсорбции Ленгмюра. Адсорбционно-десорбционное равновесие. Теплота физической адсорбции. Зависимость теплоты адсорбции от молекулярного веса адсорбата. Типы химической связи при хемосорбции. Энергия активации и теплота адсорбции. Диссоциативная адсорбция. Потециальные поверхности при хемосорбции. Хемосорбция на неоднородной поверхности. Адсорбция. Теория Брунауера-Эммета-Тейлора. Электронные состояния адатома. Изменение работы выхода при адсорбции, дипольная модель, модель Лэнга. Атомная структура адсорбированного слоя. Взаимодействие адсорбированных частиц. Десорбция, поверхностная диффузия. Рост пленок по механизму Фольмера и Вебера. Модели образования зародышей. Кинетика роста изолированного островка и в ансамбле. Кинетика поздних стадий роста пленки. Рост пленок по механизму Франка и Ван дер Мерве. Критическая толщина псевдорморфного слоя и его структура. Механизм релаксации упругих деформаций псевдоморфного слоя. Кинетическая модель слоевого роста. Барьер Швебеля. Структурные превращения при росте пленок по Крастанову и Странскому. Структура пленок. Аморфные, поликристаллические и монокристаллические пленки. Дефекты. Несоответствие решеток на границе раздела. Методы роста тонких пленок в вакууме. Молекулярная и твердофазная эпитаксия. Типы взаимодействия в многослойных пленочных структурах (прямое обменное взаимодействие, ферромагнитная и антиферромагнитная косвенная обменная связь, магнитостатическое взаимодействие, дырочная и косвенная связь). Механизмы закрепления доменных границ в тонких магнитных пленках (межзеренные границы, поры, дисперсия легких осей намагничивания, шероховатости, локализованные дефекты, рябь намагничивания). Магниторезистивный эффект (зависимость гигантского магниторезистивного эффекта от толщины ферромагнитных и немагнитных слоев, роль шероховатостей межфазных границ, влияние легирования) Поле насыщения, билинейная и биквадратная косвенная обменная связь (антиферромагнитная и ферромагнитная косвенная обменная связь, антиферромагнитные максимумы). Магнитная анизотропия высокого порядка (источники формирования анизотропии в многослойных пленках, источники биквадратной косвенной обменной связи). Осциллирующий характер магнитных и магниторезистивных параметров многослойных пленок. Причины осцилляции магнитных и магниторезистивных свойств. Коэрцитивная сила многослойных пленок (роль структурных дефектов, роль косвенной обменной связи, энергия и ширина доменных границ). Доменная структура многослойных пленок с косвенной обменной связью. Особенности доменной структуры пленок в первом и втором антиферромагнитных максимумах). | 3 |
Физические основы наноэлектроники Шкалы длин в современной физике твердого тела. Размерность. Транспорт носителей при различных размерностях полупроводниковых структур. Оптические свойства в системах с пониженной размерностью. Двумерный электронный газ. Одномерный электронный газ. Методы генерации горячих носителей: роль гетеропереходов. Электронная спектроскопия горячих электронов: транспортные и оптические методы исследования. Структуры с переносом носителей в сильных электрических полях. Туннелирование через одиночный барьер. Туннелирование через двойной барьер с квантовой ямой. Множественные туннельные барьеры. Диоды с множественными туннельными барьерами. Электронная структура идеальной сверхрешетки. Блоховские осцилляции и лестницы Штарка. Измерения электрического транспорта в сверхрешетках. Оптические свойства сверхрешеток. Применения сверхрешеток. Одиночная квантовая яма: электронные и оптические свойства. Множественные квантовые ямы: электронные и оптические свойства. Формирование квантовых проволок и квантовых точек. Электронные и оптические свойства систем с квантовыми проволоками и квантовыми точками. Физические процессы в наноструктурах на основе пористого кремния. | ||
ОД. А.05 | Методы исследования поверхности твердых тел Основы двумерной кристаллографии. Решетка, базис и кристаллическая структура поверхности, двумерные решетки Браве, индексы Миллера плоскостей кристалла, низкоиндексные и высокоиндексные плоскости, индексы направлений, запись для описания структуры поверхности (запись Вуд и матричная запись), двумерная обратная решетка. Экспериментальные условия. Почему нужен сверхвысокий вакуум? Основные понятия вакуумной техники. Техника сверхвысокого вакуума. Приготовление атомарно чистой поверхности. Техника напыления в вакууме. Дифракция медленных электронов. Дифракция быстрых электронов. Рентгеновская дифракция под скользящими углами. Другие дифракционные методы. Электронная спектроскопия. Общие замечания. Электронная оже-спектроскопия (ЭОС). Спектроскопия характеристических потерь энергии электронами (СХПЭЭ). Фотоэлектронная спектроскопия (ФЭС). Зондирование ионами. Основные принципы. Спектроскопия рассеяния медленных ионов. Спектроскопия резерфордовского обратного рассеяния и спектроскопия рассеяния ионов средних энергий. Анализ частиц упругой отдачи. Вторичная ионная масс-спектроскопия. Полевая эмиссионная микроскопия. Полевая ионная микроскопия. Просвечивающая электронная микроскопия. Отражательная электронная микроскопия. Микроскопия медленных электронов. Сканирующая электронная микроскопия. Сканирующая туннельная микроскопия. Атомно-силовая микроскопия. | 3 |
Электронная структура кристаллических и неупорядоченных сред Статистика классическая и квантовая. Свойства электронного газа а основном состоянии. Введение обратного пространства (к-пространства). Геометрия изоэнергетических поверхностей в этом пространстве. Энергия Ферми. Принцип Паули. Плотность электронных состояний g(E), cвязь функции g(E) с топологией изоэнергетических поверхностей. Роль фермиевских электронов в тепловом движении (на примере расчета теплоемкости) Теорема Блоха. Способность электрона вечно вращаться на стационарных орбитах в обратном пространстве: v=grad E. На примере периодического потенциала в одномерном случае продемонстрировать зонный характер зависимости E(k). Зоны - следствие периодического потенциала Получение энергетического спектра электронов E(k) для случая слабого потенциала. Электронные поверхностные уровни в слабом периодическом потенциале - уровни Тамма. Приближение сильно связанных электронов. Первая зона Бриллюэна для кремния и германия. Определение основных характеристик электрона в точках Г, Х, К, L, W; общие зонные картины для кремния и германия. Электроны проводимости - квазичастицы со сложным законом дисперсии. Отличие свободного электрона от квазичастицы электрон проводимости. Кинетическое уравнение Больцмана. Удельная электропроводность массивного образца, тонких пленок и проволок. Природа сопротивления. Длина свободного пробега. | ||
ОД. А.06 | Метод дифракции быстрых электронов Принципиальная схема и параметры эксперимента ДБЭ. Устройство электронной пушки и особенности экрана. Особенности и внешний вид картины ДБЭ. Прямая решетка. Решетки Браве. Построение обратной решетки. Правило построения сферы Эвальда. Зависимость формы суперрефлексов картины ДБЭ от размеров домен поверхностных фаз /островков, вицинальности поверхности, атомарной шероховатости. Геометрия формирования Кикучи-линий. Влияние трехмерной шероховатости на эволюцию картины ДБЭ. Геометрия картины дифракции для эпитаксиально ориентированных трехмерных островков, а также островков имеющих различную степень разориентации. Теории дифракции электронов. Общие представления. Однолучевое и многолучевое рассмотрение дифракции электронов в динамической теории. Кривые качания. Факторы, определяющие параметры брэгговских пиков кривой качания (зависимости интенсивности отраженного пучка электронов от его угла падения к поверхности кристалла). Осцилляции интенсивности дифракционных рефлексов, их происхождение. Объяснение с точки зрения кинематической теории дифракции. Модели послойного роста, и соответствующее для них изменение интенсивности электронного пучка. | 3 |
Явления переноса в низкоразмерных системах Свойства основного состояния. Приближение локальной плотности. Модель желе. Стабилизированная модель желе. Статический отклик. Теория динамического отклика. Адиабатическое приближение локальной плотности. Динамическое приближение локальной плотности. Объемный плазмон в металле. Формула Лэнгмюра. Приближение хаотических фаз. Формула Линдхарда для диэлектрической проницаемости. Метод характеристических потерь энергии электронами. Сечение неупругого рассеяния и функция линейного отклика поверхности. Дипольное и ударное рассеяние. Поверхностный плазмон. Гидродинамическая модель. Результаты расчетов в приближении хаотических фаз. Мультипольный плазмон. Дисперсия и затухание поверхностного и мультипольного плазмонов. Формула Ритчи для тонкой пленки. Формула Стерна для восприимчивости двумерного электронного газа. Плазмон в сферическом кластере. Плазменные колебания в слоях адсорбатов на поверхности металлов и полупроводников Гидродинамическая модель. Модель желе. Адсорбаты щелочных металлов. Влияние межзонных переходов на дисперсию и затухание плазмона в полупроводниках. Приближение почти свободных электронов. Результаты расчетов для Si, Ge и полупроводников типа цинковой обманки. Ab initio вычисления. Торможение ионов в твердом теле: тормозящая способность электронного газа, возбуждение электронно-дырочных пар и коллективных колебаний. Микроскопическая теория отражения электромагнитных волн от поверхности: отражение p - и s- поляризованного света, полуклассическое приближение бесконечного барьера; теория Фейбельмана. Плазмон в бесконечной периодической сверхрешетке. Плазмон в полубесконечной сверхрешетке. Плазмон в конечной свехрешетке. Поверхностный поляритон: взаимодействие продольных и поперечных волн на поверхности; решение уравнений Максвелла для связанного продольно-поперечного колебания; поверхностный поляритон. Нелинейные аспекты взаимодействия частиц и волн с веществом: сечение неупругого рассеяния электронов во втором борновском приближении; нелинейная оптика. | ||
ФД. А.00 | Факультативные дисциплины | 9 |
ФД. А.01 | Компьютерное моделирование в задачах физики конденсированного состояния Компьютерное моделирование как метод изучения физических явлений и процессов. Этапы компьютерного моделирования Особенности моделирования атомных систем и процессов Уравнение Шредингера для многочастичной задачи; кулоновское и обменное взаимодействие; самосогласованное решение. Метод классических потенциалов Метод сильной связи Кластерный (квантово-химический) подход Метод функционала электронной плотности Молекулярная динамика Метод Монте-Карло | 3 |
ФД. А.02 | Актуальные проблемы защиты интеллектуальной собственности Правовое регулирование интеллектуальной собственности в Российской Федерации. Развитие изобретательской и патентнолицензионной работы в стране и за рубежом. Авторское право. Содержание авторского права. Авторский договор. Смежные права. Патентное право. Охрана патентных изобретений. Патентная информация и патентный поиск. Правовая охрана средств идентификации товаров, работ и услуг. Защита нарушенных прав авторов и правообладателей. | 3 |
ФД. А.03 | Информодинамика сетевых структур Теоретико-вероятностные схемы описания сложных систем. Центральная предельная теорема и ее универсальность. Гиперболические статистики. Статистики Ципфа-Парето-Мандельброта. Применимость подобных статистик для анализа информационных массивов, в частности для мирового информационного ресурса – WWW. Общие графы и их свойства. Древесные графы, теория перечисления графов и графодинамика. Древесные графы со случайной ветвистостью. Древесные графы как фрактальные объекты. Древесные графы Кейли. Фрактальность деревьев Кейли в волновом и стримерном представлениях. | 3 |
П. А.00 | Педагогическая практика | 3 |
Итого на образовательную составляющую | 27 | |
НИР. А.00 | Научно-исследовательская работа аспиранта и выполнение диссертации на соискание ученой степени кандидата наук | 165 |
КЭ. А.00 | Кандидатские экзамены | 3 |
КЭ. А.01 | Кандидатский экзамен по истории и философии науки | 1 |
КЭ. А.02 | Кандидатский экзамен по иностранному языку | 1 |
КЭ. А.03 | Кандидатский экзамен по специальной дисциплине в соответствии с темой диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук | 1 |
ПД. А.00 | Подготовка к защите диссертации на соискание ученой степени кандидата наук*** | 15 |
Итого на исследовательскую составляющую | 183 | |
Общий объем подготовки аспиранта**** | 210 | |
Примечания:
Лица, сдавшие кандидатские экзамены по иностранному языку до поступления в аспирантуру, освобождаются от прослушивания соответствующей дисциплины.
*) На базе образовательной программы послевузовского профессионального образования по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния» научным руководителем совместно с аспирантом разрабатывается индивидуальный план аспиранта.
**) Одна зачетная единица соответствует 36 академическим часам продолжительностью 45 минут. Максимальный объем учебной нагрузки аспиранта, включающий все виды аудиторной и внеаудиторной (самостоятельной) учебной работы, составляет 54 академических часа в неделю.
***) Подготовка к защите диссертации на соискание ученой степени кандидата наук (ПД. А.00) включает оформление диссертационной работы и представление ее на кафедру (в научный совет, отдел, лабораторию, сектор) или в совет по защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук.
****) Без учета каникул.
5. СРОКИ ОСВОЕНИЯ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ
ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТА по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния».
5.1. Срок освоения основной образовательной программы подготовки аспиранта при очной форме обучения 210 зачетных единиц, в том числе:
- образовательная программа подготовки – 27 зачетных единиц;
- программа научно-исследовательской подготовки,
включая оформление и представление диссертации – 183 зачетных единиц;
- каникулы – не менее – 2 месяцев.
6. ТРЕБОВАНИЯ К УРОВНЮ ПОДГОТОВКИ ЛИЦ, УСПЕШНО ЗАВЕРШИВШИХ ОБУЧЕНИЕ В АСПИРАНТУРЕ
по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния».
6.1. Требования к знаниям и умениям выпускника аспирантуры
6.1.1. Общие требования к выпускнику аспирантуры
Выпускник аспирантуры должен быть широко эрудирован, иметь фундаментальную научную подготовку, владеть современными информационными технологиями, включая методы получения, обработки и хранения научной информации, уметь самостоятельно формировать научную тематику, организовывать и вести научно-исследовательскую деятельность по избранной научной специальности.
6.1.2. Требования к научно-исследовательской работе аспиранта
Научно-исследовательская часть программы должна:
- соответствовать основной проблематике научной специальности, по которой защищается кандидатская диссертация;
- быть актуальной, содержать научную новизну и практическую значимость;
- основываться на современных теоретических, методических и технологических достижениях отечественной и зарубежной науки и практики;
- использовать современную методику научных исследований;
- базироваться на современных методах обработки и интерпретации данных с применением компьютерных технологий;
- содержать теоретические (методические, практические) разделы, согласованные с научными положениями, защищаемыми в кандидатской диссертации.
6.1.3. Требования к выпускнику аспирантуры по специальным дисциплинам, иностранному языку и философской дисциплине определяются программами кандидатских экзаменов и требованиями к квалификационной работе (диссертации на соискание ученой степени кандидата наук).
6.2. Требования к итоговой государственной аттестации аспиранта
6.2.1. Итоговая аттестация аспиранта включает сдачу кандидатских экзаменов и представление диссертации в Ученый или Диссертационный советы.
- Порядок проведения кандидатских экзаменов устанавливаются Положением о подготовке научно-педагогических и научных кадров в системе послевузовского профессионального образования в Российской Федерации. Образовательные учреждения и научные организации, реализующие программы послевузовского профессионального образования, вправе включать в кандидатский экзамен по научной специальности дополнительные разделы, обусловленные спецификой научной специальности или характера подготовки аспиранта.
- Требования к содержанию и оформлению диссертационной работы определяются Высшей аттестационной комиссией Министерства образования Российской Федерации (ВАК России).
6.2.2.Требования к итоговой государственной аттестации (порядок представления и защиты диссертации на соискание степени кандидата наук) разрабатываются Высшей аттестационной комиссией Министерства образования Российской Федерации (ВАК России).
7. ДОКУМЕНТЫ, ПОДТВЕРЖДАЮЩИЕ ОСВОЕНИЕ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТА
Лицам, полностью выполнившим основную образовательную программу послевузовского профессионального образования и успешно прошедшим государственную итоговую аттестацию (защитившим диссертацию на соискание ученой степени кандидата наук), выдается диплом кандидата наук, удостоверяющий присуждение искомой степени.
