Физика полупроводников. Микроэлектроника
Направление подготовки 011200 – "Физика"
Физика полупроводников относится к ключевым разделам современной физики, определяющим научно-технический прогресс. Теоретические и экспериментальные методы, развитые в физике полупроводников, широко используются в исследованиях, выполняемых по приоритетным направлениям науки и техники, таким, как микро - и наноэлектроника, материаловедение, полупроводниковое приборостроение, медицина. Все это делает актуальной подготовку специалистов высшей квалификации по этому направлению.
При разработке данной программы приняты во внимание тематики исследования в области физики полупроводников в наибольшей степени представленные на физическом факультете Томского государственного университета. К таким направлениям относятся: полупроводниковое материаловедение, радиационная физика полупроводников, теория роста и легирования кристаллов и пленок, теория электронных и оптических свойств полупроводниковых наноструктур.
При подготовке магистров программы «Физика полупроводников. Микроэлектроника» используются:
- материальная база Томского регионального центра коллективного пользования (*****@***tsu. ru), располагающегося в ТГУ;
- материальная база Института Физики Полупроводников СО РАН (Новосибирск),
- материальная база полупроводниковых приборов» (Томск);
- материальная база (Москва)
- материальная база кафедры физики полупроводников ФФ ТГУ и лаборатории «Наноэлектроники и нанотехнологий» ТГУ.
Для научно-исследовательской работы обучающиеся имеют доступ к ресурсам Центра обработки данных ТГУ, высокопроизводительному вычислительному кластеру ТГУ «Скиф Cyberia».
УЧЕБНЫЙ ПЛАН
М.1 Общенаучный цикл
Базовая часть
1.1 Философские вопросы естествознания
1.2 Специальный физический практикум
Вариативная часть
1.3 Иностранный язык в сфере профессиональной коммуникации
Курсы по выбору студента
1.4 Исследования поверхности твердых тел
1.5 Кристаллофизика
1.6 Дополнительные главы физики твердого тела
1.7 Физика низкоразмерных структур
1.8 Компьютерные технологии в физике твердого тела
1.9 Электронная микроскопия
М.2 Профессиональный цикл
Базовая (общепрофессиональная) часть
2.1 Современные проблемы физики
2.2 История и методология физики
Вариативная часть
2.3 Физическое материаловедение полупроводников-2
2.4 Дополнительные главы физического материаловедения полупроводников
2.5 Физические основы полупроводниковой микро - и оптоэлектроники
2.6 Дополнительные главы физики полупроводников
2.7 Дополнительные главы теории роста кристаллов
2.8 Физика неупорядоченных полупроводников
Курсы по выбору студента
2.10 Современные структурные методы в физике твердого тела
2.11 Оптоэлектронные методы в полупроводниках
2.12 Дефекты в полупроводниках
2.13 Физика полупроводниковых приборов. Дополнительные главы
2.14 Студенческий научный семинар
2.15 Учебно-исследовательская работа студентов
М.3 Практика и научно-исследовательская работа
3.1 Научно исследовательская практика
3.2 Педагогическая практика
3.3 Научно-исследовательская работа
М.4 Итоговая государственная аттестация
Трудоустройство выпускников обеспечивается взаимодействием с работодателями и партнерами: Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск); полупроводниковых приборов» (Томск), (Москва) и другими организациями «Росэлектроники».
