МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
«НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИСиС»
«Технология сборки МФПУ»
Тестовые задания
Москва 2012
Входные тесты
1. Самым распространённым в природе полупроводником является
а) Кремний Si
б) Германий Ge
в) Селен Se
г) Мышьяк As
2. Какой из перечисленных ниже химических элементов не является полупроводником
а) Кремний Si
б) Германий Ge
в) Селен Se
г) Золото Au
3. Температура плавления германия составляет
а) 1210 K
б) 1688 K
в) 904 K
г) 722 K
4. При омическом нагреве в проводнике при протекании по нему электрического тока выделяется тепловая энергия Q определимая по закону Джоуля-Ленца (I ‑ сила тока протекающая через проводник, R ‑ активное сопротивление, t ‑ время)
а) 
б) 
,
в) 
г) 
5. Какой из перечисленных источников нагрева относится к лучевым
а) лазерный
б) омический,
в) высокочастотный,
г) плазменный
6. Какой из перечисленных источников нагрева относится к нелучевым
а) плазменный
б) электронно-лучевой,
в) лазерный
г) оптический.
7. Действие термопары основано на
а) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников различного состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при разных температурах.
б) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников различного состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при одинаковых температурах.
в) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников одинакового состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при разных температурах.
г) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников одинакового состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при одинаковых температурах.
8. Отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и характеризующийся анизотропией свойств, называется
а) монокристалл
б) поликристалл
в) кристаллит
9. Переход вещества из жидкой в твердую фазу называется
а) кристаллизацией
б) конденсацией
в) сублимацией
г) возгонкой
10. Длина свободного пробега частицы – это
а) средний путь между двумя последовательными соударениями
б) средний путь за единицу времени
в) максимальный путь, пройденный за единицу времени
г) полный путь за единицу времени
11. С точки зрения зонной теории проводимости материалы подразделяются на (указать неверное утверждение):
а) диэлектрики,
б) полупроводники,
в) проводники,
г) сверхпроводники.
12. Пирометр — прибор для
а) бесконтактного измерения температуры тел
б) измерения степени вакуума
в) измерения абсолютного давления
г) высокоточных измерений наружных и внутренних размеров
13. Значение критерия Кнудсена для высокого вакуума:
а) K>>>1;
б) К<<<1;
в) K=1;
г) K=2.
14. Наибольшее рабочее давление вакуумного насоса Pб это
а) максимальное давление, при котором насос длительное время сохраняет номинальную быстроту действия.
б) минимальное давление, при котором насос длительное время сохраняет номинальную быстроту действия
в) максимальное давление во входном сечении насоса, при котором он может начать работу.
г) минимальное давление, которое может обеспечить насос, работая без откачиваемого объекта
15. Сколько насосов наиболее часто включает вакуумная установка для получения низкого и среднего вакуума:
а) один;
б) два;
в) три;
г) четыре.
Тесты для промежуточного контроля
Тема 1. Введение. Современные инфракрасные матричные ФПУ, модули и ИК-камеры
1. В полупроводниках с собственной проводимостью концентрация свободных электронов
-может быть меньше концентрации дырок;
- равняется концентрации дырок;
-может быть больше концентрации дырок
2. Как связана длина волны максимума излучения АЧТ с температурой:
-законом Релея-Джонса;
-законом Вина;
- законом Ньютона
3. Удельная обнаружительная способность фотоприемника в режиме ОФ:
- пропорциональна η0,5;
- не зависит от квантовой эффективности η;
- пропорциональна η
4. Проводимость полупроводника:
-не зависит от температуры;
- увеличивается с повышением температуры;
- уменьшается с повышением температуры
Тема 2. Фотоэлектрические приемники оптического и ближнего ИК-диапазона спектра
1. С ростом ширины запрещенной зоны полупроводника:
- концентрация электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника увеличивается, а удельное сопротивление убывает;
- концентрация электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление возрастает;
- концентрация электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление не изменяется.
2. Как зависит фоточувствительность фоторезистора от времени жизни неравновесных носителей:
- увеличивается при увеличении времени жизни;
- не зависит;
- уменьшается при увеличении времени жизни.
3. Интегральная удельная обнаружительная способность фотоприемника характеризует:
- минимально обнаружимую мощность фотоприемника;
- уровень шума фотоприемника;
- уровень сигнала фотоприемника
4. Идеальный фотоприемник - это:
- фотоприемник, у которого нет шума;
- фотоприемник, квантовая эффективность которого не зависит от длины волны и равна единице о спектральной области его чувствительности
- фотоприемник с большой чувствительностью
Тема 3. Конструкция ФП и ФПУ, охлаждаемых микрокриогенными системами
1. Охлаждаемые ФПУ требуют наличие системы охлаждения для того, чтобы:
- обеспечить оптимальные характеристики чувствительных элементов ФПУ;
- обеспечить длительный срок службы устройства;
- было удобно его эксплуатировать
2. Замкнутая дроссельная МКС использует:
- баллон со сжатым газом;
- компрессор.
3. P-n-переход фотодиодов МФЧЭ на антимониде индия создается путем:
- имплантации ионов бериллия;
- легирования;
- в процессе выращивания
Тема 4. Конструкция и технология изготовления матричных и субматричных ФПУ
1. Активация геттера необходима для:
- для удаления с его поверхности пассивирующего слоя оксидов, которые не допускают сорбции газов, выделяющихся внутри МФПУ;
- повышения его прочности;
- увеличения его ресурса
2. Во время эксплуатации МФПУ скорость газопоглощения геттером:
- постепенно уменьшается;
- не изменяется;
- постепенно увеличивается
3. ГКМ выведет МФПУ на режим криостатирования, если:
- ее холодопроизводительность больше, чем теплоприток МФПУ;
- ее холодопроизводительность меньше, чем теплоприток МФПУ.
4. В качестве рабочего тела в ГКМ используется:
- гелий;
- азот;
- водород;
- водяной пар
Тема 5. Конструкция и технология изготовления матричных и субматричных ФЧЭ
1. Гибридный МФЧЭ состоит из:
- матричного фоточувствительного элемента и мультиплексора, соединенных между собой индиевыми микростолбиками;
- матричного фоточувствительного элемента и расположенного рядом мультиплексора;
- из фоточувствительных элементов, расположенных в мультиплексоре.
2. При гибридном исполнении МФПУ в МФЧЭ происходит:
- только детектирование излучения;
- детектирование излучения и накопление фототока;
- детектирование излучения и накопление фототока и считывание его.
3. Толщина базовой области МФЧЭ должна удовлетворять следующим условиям:
- требованиям механической прочности при изготовлении;
- быть больше глубины поглощения света, но меньше диффузионной длины неосновных носителей;
- быть больше глубины поглощения света и диффузионной длины неосновных носителей
4. Технология изготовления МФЧЭ из пластин объемного материала состоит из этапов, следующих в последовательности:
- изготовление индиевых микростолбиков - получение тонкой базовой области - изготовление МФЧЭ с толстой базовой областью;
- изготовление МФЧЭ с толстой базовой областью - получение тонкой базовой области - изготовление индиевых микростолбиков;
- изготовление МФЧЭ с толстой базовой областью - изготовление индиевых микростолбиков - получение тонкой базовой области
5. Какой способ формирования индиевых микростолбиков используется в настоящее время в технологии изготовления гибридных сборок:
-способ «мокрого» травления;
- ионно-лучевого травления:
- напыление через маску
6. БИС считывания и предварительной обработки сигнала:
- производит накопление фототока и считывание его на несколько параллельных выходов;
- производит детектирование излучения;
- только накопление фототока
7. Напряжение шума МФПУ зависит от времени накопления:
- возрастает как корень квадратный от времени накопления;
- линейно возрастает;
- не зависит
Тесты для итогового контроля
1. Идеальный фотоприемник - это:
- фотоприемник, у которого нет шума;
- фотоприемник, квантовая эффективность которого не зависит от длины волны и равна единице о спектральной области его чувствительности
- фотоприемник с большой чувствительностью
2. Удельная обнаружительная способность фотоприемника в режиме ОФ:
-не зависит от квантовой эффективности η;
-пропорциональна η0,5;
- пропорциональна η
3. Интегральная удельная обнаружительная способность фотоприемника характеризует:
-уровень шума фотоприемника;
-минимально обнаружимую мощность фотоприемника;
-уровень сигнала фотоприемника
4. В ОЭС с матричными фотоприемниками «смотрящего» типа тепловизионное изображение получается:
- с применением сканирующей системы;
- без применения сканирующей системы;
- с упрощенной сканирующей системой
5. Технология изготовления тонкой базовой области состоит из операций, следующих в последовательности:
-приклейка пластины с толстой базой на кремниевую пластину-утонение пластины-переклейка на сапфировую пластину;
- приклейка пластины с толстой базой на сапфировую пластину-утонение пластины-переклейка на кремниевую пластину;
- утонение пластины-приклейка на кремниевую подложку
6. Почему в качестве несущей подложки в МФЧЭ на антимониде индия выбрана кремниевая пластина:
- из-за кристаллического совершенства кремниевых подложек;
- для согласования коэффициентов термического расширения с мультиплексором;
- для уменьшения термомеханических влияний подложки на темновые токи фотодиодов
7. Какой способ получения толстых(до 10 мкм) индиевых слоев используется в настоящее время:
-электрохимическое высаживание;
- термическое напыление;
-катодное напыление
8. Пороговая мощность МФПУ зависит от времени накопления:
-линейно возрастает;
-уменьшается как корень квадратный от времени накопления;
-не зависит
9. Основное достоинство интегральной стыковки ГКМ с МФПУ:
- увеличение ресурса ГКМ;
- снижение массы ГКМ;
- уменьшение теплопритока МФПУ.
10. Увеличение приведенной охлаждаемой массы МФПУ, состыкованного с ГКМ постоянной холодопроизводительности, приводит к:
- уменьшению времени выхода МФПУ на режим криостатирования;
- увеличивает время выхода;
- не влияет на время выхода.
11. При раздельной стыковке ГКМ с МФПУ:
- не требуется теплопроводящая смазка для снижения контактного сопротивления между торцом охладителя ГКМ и донышком криостата;
- требуется теплопроводящая смазка для снижения контактного сопротивления между торцом охладителя ГКМ и донышком криостата
12. Блок управления ГКМ регулирует тепловое состояние МФПУ по сигналу термодатчика, установленного на:
- компрессоре ГКМ;
- корпусе МФПУ;
- растре в районе фоточувствительных элементов МФПУ
