1. КПД фотопреобразователя изменяется от степени концентрирования следующим образом:
А. Растет
Б. Растет затем убывает
В. Убывает
2. Туннельный диод в многопереходных ФП работает
А. в прямом смещении
Б. в обратном смещении
В. в зависимости от степени концентрирования
3. Увеличение радиационной стойкости ФП осуществляется за счет:
А. увеличения толщины фотодиода
Б. уменьшения толщины фотодиода
В. уменьшения толщины области пространственного заряда
4. Фактор заполнения идеальной нагрузочной характеристики при увеличении ширины запрещенной зоны материала:
А. не меняется
Б. растет
В. убывает
5. При каком механизме протекания тока фактор неидеальности вольт-амперной характеристики равен 2?
А. туннельно-ловушечный
Б. рекомбинационный
В. диффузионный
6. Для чего используются массивы квантовых ям в солнечных элементах?
А. для снижения рекомбинационных потерь
Б. для увеличения фототока среднего фотодиода
В. для уменьшения сопротивления
7. Для чего требуется текстурирование поверхности кремниевых фотопреобразователей?
А. для улучшения поглощения длинноволновых фотонов
Б. для улучшения поглощения коротковолновых фотонов
В. для снижения поверхностной рекомбинации
8. При каком механизме рекомбинации наблюдается максимальное значение фактора заполнения нагрузочной характеристики
А. излучательной
Б. примесно-ловушечной
В. Оже
9. Коротковолновый край спектральной характеристики определяется:
А. толщиной базы
Б. толщиной широкозонного окна
В. шириной запрещенной зоны широкозонного окна
10. Диффузионно-дрейфовая длина влияет на:
А. величину напряжения холостого хода, вырабатываемого фотоэлементом
Б. поглощение света в базе фотоэлемента
В. коэффициент разделения электронно-дырочных пар.
Модуль 1 «Научные основы технологий полупроводниковых наногетероструктур для концентраторных солнечных элементов»
1. Какова энергия истинно вторичных электронов, используемых в растровом электронном микроскопе для изучения топографии поверхности твердых тел?
Варианты ответа для выбора:
А) менее 50 Эв
Б) порядка 1 КэВ
2. От каких параметров зависит кинематический фактор (K = E1/Eo) в методе резерфордовского обратного рассеяния ионов (RBS)?
А) от массы налетающих частиц угла рассеяния
Б) от массы атомов анализируемого образца и угла рассеяния
3. Можно ли наблюдать фотоэффект на свободном электроне?
А) да
Б) нет
4. Электроны каких энергий формируют потенциальный контраст при исследовании полупроводниковыъх структур в растровом электронном микроскопе?
А) вторичные электроны
Б) отраженные электроны
5. Как формируется амплитудный контраст в просвечивающем электронном микроскопе?
А) за счет прошедших через образец электронов
Б) за счет изменения фаз волн де Бройля рассеянных на образце интерферирующих в плоскости изображения
6. Каков диапазон элементов анализируемых с помощью электронно - зондового микроанализатора?
А) от Be4 до U92
Б) от N11 до U92
7. Какой из современных методов дает возможность получать трехмерное изображение поверхности твердых тел с атомным разрешением?
А) зондовая микроскопия
Б) просвечивающая электронная микроскопия
8. Позволяет ли двух кристальная рентгеновская дифрактометрия в условиях симметричной и ассиметричной дифракции определять все компоненты тензоры деформаций в многослойных гетероструктурах?
А) да
Б) нет
9. Какое число матричных поправок в количественном рентгеноспектральном микроанализе?
А) четыре
Б) три
10. Кинематический коэффициент (K = E1/Eo) в методе резерфордовского обратного рассеяния ионов (RBS) рассчитывается в предположении…
А) чисто упругим
Б) неупругим
11. SEXAFS- спектроскопия изучает:
А) зависимость массового коэффициента поглощения от энергии рентгеновских фотонов,
Б) зависимость интенсивности фотоэлектронов на скачке поглощения рентгеновского излучения от энергии рентгеновских фотонов.
12. При изучении твердых тел методами электронной спектроскопии может возникать переход Костер-Кронига
А) переход излучательный
Б) переход безизлучательный.
13. Какой из источников в РЭМ, обеспечивает высокую плотность тока электронного пучка при сохранении его минимальных размеров?
А) катод LaB6
Б) катод с полевой эмиссией
14. Метод рентгеновской топографии Берга-Баррета-Ньюкирка позволяет исследовать кристаллы:
А) на прохождение рентгеновских лучей
Б) на отражение рентгеновских лучей
15. Как меняется коэффициент отражения электронов с увеличением среднего атомного номера материала (Z) при фиксированной энергии пучка первичных электронов в РЭМ?
А) увеличивается
Б) не меняется
16. С увеличением массы атома рассеивателя (исследуемый образец) в методе резерфордовского обратного рассеяния величина кинематического коэффициента К
А) увеличивается
Б) уменьшается
17. Изменяется ли угловое распределение выходы ионов с увеличением времени бомбардировки исследуемого образца в методе вторично-ионной масс-спектрометрии?
А) да
Б) нет
18. Как меняется угловое распределение вторичных электронов в РЭМ с изменением угла наклона образца?
А) значительно
Б) незначительно
19. При нормальном падении пучка первичных электронов на образец в РЭМ угловое распределение отраженных электронов близко к …
А) косинусоидальному
Б) синусоидальному
20. Какой из спектрометров к растровому электронному микроскопу или рентгеновскому микроанализатору обеспечивает высокое энергетическое разрешение?
А) полупроводниковый энергодисперсионный спектрометр
Б) спектрометр с дисперсией по длинам волн
Модуль 2 «Технология эпитаксиального выращивания полупроводниковых наногетероструктур. Проблемы фотоэлектрического преобразования в каскадных солнечных элементах и пути их технологического и конструктивного решения»
1. Что такое эпитаксиальное выравнивание?
А) ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого
Б) напыление одного вещества на другое
В) кристаллизация вещества из жидкой или газовой фазы
2. К собственным дефектам относятся:
А) вакансии и междоузельные дефекты
Б) вакансии, междоузельные дефекты и антиструктурные дефекты
В) примеси внедрения и замещения
3. Подложка epi-ready это:
А) подложка, прошедшая стадию механической полировки
Б) подложка, имеющая две химически полированных поверхности
В) подложка, имеющая хотя бы одну химички полированную поверхность
Г) монокристалл, полученный методом Чохральского или зонной плавки
4. Выберете верное утверждение.
А) гидриды являются источниками атомов III, IV или V группы
Б) МОС являются источниками атомов II, III, IV, V или VI группы
В) гидриды являются источниками V группы а МОС источниками атомов III группы
5. Газом-носителем в МОС-гидридной эпитаксии может быть:
А) водород
Б) водород или азот
В) арсин или фосфин
6. Регулятор давления необходимо использовать:
А) в МОС линиях
Б) в МОС линиях и линиях с двойным разбавлением
В) в гидридных линиях
Г) в линиях с двойным разбавлением
7. Принцип ламинарного газового потока осуществляется:
А) в реакторе горизонтального типа
Б) в горизонтальном и планетарном реакторах
В) в ректоре TurboDisk
Г) в любом реакторе установки МОС — гидридной эпитаксии
8. Скорость роста соединений А3В5 определяется
А) мольным потоком атомов III группы
Б) мольным потоком атомов V группы
В) соотношением атомов V и III группы
9. Скорость роста бинарных соединений GaAs и AlAs в независимом от температуры диапазоне определяется:
А) кинетикой поверхностных процессов
Б) скоростью поступления компонентов к поверхности подложки
В) десорбцией реактантов с поверхности осаждения
10. Как легирование влияет на степень упорядочения в GaInP?
А) при легировании степень упорядочения повышается
Б) при легировании степень упорядочения снижается
В) легирование не влияет на упорядочение
Г) влияние легирования на упорядочение зависит от типа легирующей примеси
11. Как в OMVPE соотношение V/III влияет на встраивание атомов индия в растущие слои?
А) увеличение V/III ведет в лучшему встраиванию атом индия
Б) увеличение V/III ведет в худшему встраиванию атом индия
В) вставание атомов индия в растущие слои не зависит от V/III
12. Какие особенности нужно учитывать при OMVPE росте А3В5 гетероструктур на подложках Ge?
А) возможность легирования растущих слоев атомами Ge
Б) возможность образования антифазных доменов
В) необходимость обеспечения правильной реконструкции поверхности подложки
Г) все перечисленные варианты
13. Рефлектометрия при in-situ измерениях позволяет определять:
А) скорость роста и состав выращиваемых слоев
Б) уровень легирования растущих слоев и гладкость интерфейсов
В) скорость роста, состав и тип легирования выращиваемых слоев
14. Спектр анизотропного рассеянья от поверхности кристаллов типа цинковой обманки определяется:
А) реконструкцией поверхности
Б) приповерхностным электростатическим полем
В) объемными свойствами, связанными с эффектом упорядочения
Г) суперпозицией вкладов от всех перечисленных эффектов
15. Какое последовательное сопротивление не существенно для каскадных солнечных элементов?
А) последовательное сопротивление туннельных диодов
Б) последовательное сопротивление подложки
В) сопротивление растекания
16. Использование широкозонных материалов в конструкции туннельных диодов каскадных солнечных элементов позволяет:
А) повысить максимальный пиковый ток туннельного диода
Б) снизить омические потери
В) снизить оптические потери
Г) согласовать фототок широкозонного и узкозонного элементов структуры
17. Какие оптические потери характеризуют многопереходный фотопреобразователь:
А) поглощение фотонов в слоях туннельных диодов
Б) потери, связанные с внутренним интерференционным отражением
В) оба типа потерь
Модуль 3. «Расчёт и технологии концентрирующей оптики»
1. Назовите основные особенности солнечного излучения, падающего на земную поверхность после прохождения земной атмосферы:
А) Спектральный диапазон от 200 нм до 3.5 мкм с максимальной интенсивностью в ИК-области спектра
Б) Спектральный диапазон от 200 нм до 2.7 мкм с максимальной интенсивностью в УФ–области спектра
В) Спектральный диапазон от 340 нм до 2.2 мкм с максимальной интенсивностью в видимой области спектра
2. Назовите температуру абсолютно черного тела максимально близко соответствующую спектру солнечного излучения:
А) 5100 К
Б) 5500 К
В) 5950 К
3. Назовите основные принципы работы концентратора солнечной энергии на основе линзы Френеля:
А) преломление света
Б) отражение света
В) преломление и отражение света
4. Назовите по какому принципу выбирается шаг линзы Френеля для использования в качестве концентратора солнечного излучения:
А) шаг должен быть равен 20 % от размера светочувствительной области солнечного элемента
Б) шаг должен быть равен 10% от размера светочувствительной области солнечного элемента
В) шаг определяется в процессе расчета исходя из максимальной оптической эффективности линзы Френеля и расхода материала, из которого изготавливается линза Френеля
5. Назовите основной вид аберраций, влияющий на оптическую эффективность линзы Френеля при совместном использовании с многопереходным солнечным элементом:
А) хроматическая аберрация
Б) сферическая аберрация
6. Назовите наиболее точный способ получения профиля линзы Френеля в негативной мастер-матрице:
А) литье оргстекла под давлением
Б) алмазное микроточение
В) полировка поверхности
7. Назовите технологию наиболее подходящую для изготовления негативных матриц с профилем Френеля пригодную для широкомасштабного производства:
А) копирование мастер-матрицы с помощью низкоусадочного полиуретана
Б) копирование мастер-матрицы с помощью гальванического осаждения никеля
8. Назовите основной недостаток акрилового стекла в качестве материала для изготовления линз Френеля как концентраторов солнечного излучения:
А) высокая деградация материала под воздействием солнечного излучения
Б) низкая температурная стойкость
В) высокая масса концентратора
9. Назовите тип вторичного концентратора, который позволяет получить равномерную засветку солнечного элемента:
А) сферическая линза
Б) стеклянный фокон
10. Какой оптический эффект позволяет снизить до минимума потери в элементах вторичной оптики:
А) отражение от металлических поверхностей со специальным покрытием
Б) полное внутреннее отражение
11. Перечислите элементы концентраторных фотоэлектрических модулей где применяются диэлектрические покрытия:
А) фронтальная поверхность линзвоых панелей
Б) отражающая поверхность элементов вторичной оптики
В) светочувствительная поверхность фотоэлектрических преобразователей
12. Перечислите основные методы нанесения диэлектрических покрытий:
А) Термическое нанесение
Б) Осаждение пленок диэлектриков в магнетронных распылительных системах
В) Осаждение и травление пленок с помощью автономных ионных источников
Г) Осаждение пленок из газовой фазы при пониженном давлении с плазменной и фотонной стимуляцией
13. Назовите спектральный диапазон в котором должны работать диэлектрические покрытия используемые в концентраторных фотоэлектрических модулях с использованием многопереходных фотопреобразователей:
А) 290-1400нм
Б) 340-2000нм
В) 450-2500нм
Модуль 4 «Постростовые технологии наногетероструктурных солнечных фотопреобразователей»
1. Какое излучение называют актиничным?
А) Излучение к которому чувствителен шаблон
Б) Излучение к которому чувствителен растворитель в резисте
В) Излучение к которому чувствителен резист
2. Выберете компоненты фоторезиста
А) растворитель
Б) комплексообразователь
В) светочувствительный компонент
Г) окислитель
Д) сенсибилизатор
Е) смола (полимер)
3. Продолжите предложение. При экспонировании позитивного резиста, засвеченные области становятся:
А) растворимыми в проявителе
Б) нерастворимыми в проявителе
В) не изменяют своих свойств
4. Продолжите предложение. Иммерсионная жидкость имеет коэффициент преломления схожий с коэффициентом преломления
А) воды
Б) стекла
В) воздуха
5. Выберете неверное утверждение. Задубливание позволяет:
А) удалить излишки растворителя
Б) улучшить адгезию
В) уменьшить стойкость резиста к агрессивным факторам
6. Выберете верное утверждение.
А) при взрывной фотолитографии сначала создается маска из фоторезиста, а затем на нее напыляют слой металла или диэлектрика
Б) при взрывной фотолитографии сначала напыляют слой металла или диэлектрика, а затем создается маска из фоторезиста
В) последовательность этих операций не имеет принципиального значения
7. К какой категории опасных газов относится моносилан?
А) Огнеопасный
Б) Пирофорный (самовоспламеняющийся) и токсичный
В) Токсичный
8. Применение вакуумных шлюзов в вакуумном технологическом оборудовании позволяет:
А) Исключить необходимость напуска атмосферы и откачки рабочей камеры позволяя тем самым сократить время технологической операции и понизить уровень загрязнения в рабочей камере
Б) Исключить необходимость изготовления ежедневно эксплуатируемых устройств доступа в вакуумную камеру позволяя тем самым сократить стоимость вакуумного технологического оборудования
В) Повысить уровень вакуума в рабочей камере за счет отказа от использования ежедневно эксплуатируемых уплотнителей по периметру устройств доступа в вакуумную камеру.
9. Когда необходимо использовать форвакуумные насосы?
А) Только для разгона турбомолекулярного насоса
Б) Для разгона турбомолекулярного насоса и для создания предварительного вакуума в рабочей камере перед откачкой турбомолекулярным насосом.
10. Необходимо ли проводить калибровку для каждого газа при использовании контроллеров массового расхода?
А) да
Б) нет
В) необходимо только для не инертных газов
11. Сколько времени длится быстрый термический отжиг при вжигании омических контактов?
А) единицы миллисекунд
Б) доли секунд
В) единицы секунд
12. Какие металлы используются для создания омического контакта к арсениду галлия n - типа?
А) Золото, цинк
Б) Золото, германий
В) Хром, никель
13. Какой метод нанесения слоев платины наиболее подходит при промышленном производстве?
А) Термическое вакуумное испарение
Б) Метод Ленгмюра-Блоджет
В) Электронно-лучевое испарение
14. Какая модификация метода магнетронного распыления должна использоваться при распылении диэлектрической мишени?
А) Высокочастотное магнетронное распыление
Б) Магнетронное распыление на постоянном токе
В) Реактивное магнетронное распыление на постоянном токе
15. Каков порядок величины энергии ионов и нейтральных частиц в плазме при проведении технологических процессов
А) Единицы и десятки эВ
Б) Единицы кэВ
В) Сотни кэВ
16. При проведении «сухого» травления какой метод создает наименьшее количество радиационных дефектов?
А) Травление пучком ионов аргона
Б) Плазмохимическое травление с индуктивно связанной плазмой
В) Плазмохимическое травление с емкостной связью
18. Какой диапазон давлений используется при плазмостимулированных технологических процессах
А) 1-10 кПа
Б) 0.1-10 Па
В) 10-3-10-2 Па
17. Какой травитель необходимо использовать для селективного травления слоя арсенида галлия?
А) Раствор плавиковой кислоты
Б) Перекисно-аммиачный раствор
В) Раствор соляной кислоты
19. Возможно ли совмещать вытяжки для паров органических и неорганических соединений в чистых комнатах?
А) Возможно, при правильных настройках потоков воздуха
Б) Возможно, если воздуховоды вытяжек выполнены из коррозийностойкого материала
В) Категорически запрещено
20. При дисковой резке полупроводниковых пластин наклеенных на адгезионную пленку глубина реза должна:
А) Быть меньше толщины пластины
Б) Точно соответствовать толщине пластины
В) Быть больше толщины пластины, но меньше суммы толщин пластины и адгезионной пленки
Модуль 5 «Основы конструирования фотоэлектрических модулей, фотоэнергоустановок и солнечных электростанций»
1. Спектральное распределение плотности солнечного излучения определяется:
а) Уровнем температуры излучающей поверхности Солнца
б) Законом Планка для излучения абсолютно черного тела
в) Равновесным излучением фотосферы
г) Вспышками на Солнце
2. Солнечное излучение в околоземном космосе отличается от излучения, уходящего с поверхности Солнца:
а) Спектральным составом
б) Плотностью
в) Наличием в его составе рассеянного излучения
г) Непостоянством поступления на лучевоспринимающую поверхность
3. Солнечное излучение, поступающее из околоземного космоса на Землю:
а) Полностью поглощается атмосферой, поверхностью Земли и океана
б) Расходуется для обеспечения кругооборота воды в природе и движения атмосферных масс
в) Частично отражается обратно в космос и обеспечивает осуществление всех природных процессов на Земле
г) Используется для осуществления процессов фотосинтеза
4. Солнечное излечение – это источник энергии:
а) Ограниченный по запасам (ресурсу)
б) Практически неограниченный по запасам (ресурсу)
в) Низкого количества
г) Высокой плотности.
5. Низкая среднегодовая плотность солнечного излучения на поверхности Земли обусловлена:
а) Поглощением и рассеянием излучения в атмосфере.
б) Климатическими факторами.
в) Ограниченной деятельностью светового дня.
г) Комплексным влиянием географических, астрономических и физических факторов.
6. Поглощение прямого солнечного излучения в чистой атмосфере приводит к:
а) Уменьшению среднесуточной плотности солнечного излучения.
б) Изменению спектра солнечного излучения.
в) Непрерывному изменению плотности и спектра солнечного излучения в течение дня.
г) Появлению диффузного излучения.
7. Рассеяние прямого солнечного излучения в чистой атмосфере обусловлено:
а) Взаимодействием излучения с молекулами воздуха.
б) Взаимодействием излучения с твердыми микрочастицами пыли и дыма.
в) Взаимодействием излучения с микромолекулами жидкости.
г) Молекулярным и аэрозольным механизмами рассеяния.
8. Уменьшение плотности и изменение спектра прямого солнечного излучения зависит от:
а) Времени дня.
б) Угла падения лучей на поверхность.
в) Длины пути, проходимого излучением в атмосфере.
г) Атмосферной массы.
9. Диффузная солнечная радиация при чистой атмосфере возникает в результате:
а) Рассеяния прямого солнечного излучения.
б) Отражением солнечного излучения от земной поверхности.
в) Рассеяния прямого и отраженного от земли излучения.
г) Вторичного рассеяния отраженного от Земли излучения.
10. Плотность диффузного излучения возрастает:
а) С увеличением угла высоты Солнца над горизонтом.
б) С уменьшением угла высоты Солнца над горизонтом.
в) С уменьшением поглощения отраженного от Земли излучения.
г) С уменьшением длины пути, проходимого излучением в атмосфере.
11. Диффузная радиация:
а) Максимальна в длинноволновой части солнечного спектра.
б) Максимальна в коротковолновой части солнечного спектра.
в) Равномерно распределена во всем спектральном диапазоне солнечного излучения.
г) Не зависит от длины волны солнечного излучения.
12. Атмосферная масса:
а) Зависит от высоты Солнца над горизонтом.
б) Не зависит от высоты Солнца над горизонтом.
в) Определяется высотой расположения места над уровнем моря.
г) Не связана с углом падения лучей на горизонтальную поверхность.
13. Реальная наблюдаемая плотность солнечного излучения зависит от:
а) Расположения места наблюдения на поверхности Земли.
б) Метеорологических и техногенных факторов.
в) Климатических условий.
г) Методов и средств наблюдения.
Модуль 7 «Конструкции, технологии и особенности эксплуатации концентраторных фотоэлектрических модулей»
1. В каком из типов оптических концентраторов отсутствует хроматическая аберрация.
А – Линзы Френеля
Б – Зеркальные концентраторы
2. Какие максимальные значения КПД концентраторного фотоэлектрического модуля с многопереходными солнечными элементами достигнуты в настоящее время.
А – 22%
Б – 28%
В – 55%
2. Какие значения концентрации солнечного излучения оптимальны для концентраторных фотоэлектрических модулей с многопереходными солнечными элементами и линзами Френеля
А – 50х
Б – 500-1000х
В – 5000-10000х
4. Наиболее близкая область современных технологий, оборудование которой может быть использовано в производстве электрогенерирующих плат
А – силовая электроника
Б - светодиодная промышленность и микроэлектроника
В – производство радиотехнических приборов
5. Материалы используемые для монтажа чипов солнечных элементов на теплоотводящее основание
А – паяльная паста для поверхностного монтажа
Б – эпоксидная смола
В – теплопроводящая пленка
6. Методы коммутации верхнего контакта солнечного элемента и печатной платы.
А – Термокомпрессионная сварка
Б – Ультразвуковая сварка золотой или алюминиевой проволокой
В – Сварка роботизированным паяльным комплексом
7. Какая толщина теплоотводящего медного основания размером 45х45мм достаточна для теплоотвода 1 ватта тепловой энергии и обеспечения разницы температур солнечного элемента и окружающей среды не более 30 градусов.
А-0.5-1мм
Б-0.05мм
В-3мм
8. Основной показатель, характеризующий эффективность концентраторного фотоэлектрического модуля.
а) КПД в точке оптимальной нагрузки
б) Напряжение холостого хода
в) Ток короткого замыкания
9. Длительность светового импульса на лампе имитатора солнечного излучения, в течении которого измеряется вольт-амперная характеристика фотоэлектрического модуля
а) 10мс
б) 1мс
в) 50 мс
Модуль 8 «Метрология солнечных элементов, модулей и фотоэнергоустановок»
1. Как отличить однопереходный элемент из GaAs или Si от многопереходного GaInP/GaAs/Ge солнечного элемента?
Варианты ответа для выбора:
А) по величине тока короткого замыкания.
Б) по толщине.
В) по величине напряжения холостого хода.
2. Стандартные условия для измерений солнечных элементов наземного применения в лабораторных условиях:
Варианты ответа для выбора:
А) спектр излучения АМ0, плотность потока 1366.1 Вт/м2.
Б) спектр излучения АМ1.5G, плотность потока 1000 Вт/м2.
В) спектр излучения АМ1.5D, плотность потока 850 Вт/м2.
Г) спектр излучения АМ1.5D LAOD, плотность потока 1000 Вт/м2.
3. Назовите важнейшие измеряемые фотоэлектрические параметры солнечного элемента:
Варианты ответа для выбора:
А) Плотность фототока
Б) Напряжение холостого хода
В) Ток короткого замыкания
Г) Коэффициент полезного действия
Д) Фактор заполнения ВАХ
4. Источники света для моделирования спектрального состава излучения на имитаторах излучения при измерениях многопереходных СЭ:
Варианты ответа для выбора:
А) Лампы накаливания. При этом температура источника света составляет приблизительно 3200К, в то время как поверхность солнца имеет температуру около 5800К. Недостатком ламп накаливания является большая яркость в красной и инфракрасной областях спектра и маленькая яркость в синей и ультрафиолетовой областях спектра.
Б) Металогалогенные лампы. Эти источники позволяют получить излучение в видимом диапазоне очень близкое к натуральному свету. Но спектр таких ламп имеет ряд линий, которые очень трудно отфильтровывать.
В) Непрерывные ксеноновые дуговые лампы. Этот тип источника дает спектральное распределение в видимом диапазоне наиболее близкое к натуральному свету, но также необходимо некоторые линии в ИК-области. При облучении больших поверхностей оптическая система сильно усложняется и приходится компенсировать нагрев тестируемого образца.
Г) Импульсные ксеноновые лампы. Эти лампы имеют спектральное распределение близкое к АМ0, а использование дополнительных фильтров позволяет легко получить спектр АМ1,5. Нагрев образца во время вспышки пренебрежительно мал.
5. Воспроизведение каких параметров солнечного излучения на имитаторах Солнца является достаточным при измерениях?
Варианты ответа для выбора:
1. ВАХ солнечных элементов:
А) Плотности потока излучения;
Б) Спектрального состава излучения;
В) Угловой расходимости светового потока;
Г) Спектрального состава излучения и угловой расходимости светового потока;
Д) Плотности потока, спектрального состава и угловой расходимости излучения.
2. Оптико-энергетических характеристик линзовых концентраторов солнечного излучения:
А) Плотности потока излучения;
Б) Спектрального состава излучения;
В) Угловой расходимости светового потока;
Г) Спектрального состава излучения и угловой расходимости светового потока;
Д) Плотности потока, спектрального состава и угловой расходимости излучения.
6. При увеличении освещенности солнечного элемента происходит:
Варианты ответа для выбора:
А) Пропорциональное увеличение фототока.
Б) Снижение напряжения холостого хода.
В) Изменение фактора заполнения ВАХ.
Г) Рост коэффициента полезного действия.
7. Выберите комплект калиброванных приборов для настройки имитатора солнечного излучения при измерении трехпереходного СЭ:
Варианты ответа для выбора:
А) Si СЭ и GaSb СЭ.
Б) GaInP СЭ, GaAs СЭ, Ge СЭ.
В) GaInP СЭ и GaInAs СЭ.
Г) GaInP/GaAs СЭ и Ge СЭ.
Д) Актинометр.
Е) Спектрорадиометр.
8. Эффект хроматической аберрации в линзовом концентраторе излучения приводит к:
Варианты ответа для выбора:
А) Изменению направления распространения света.
Б) Перераспределению спектрального состава излучения в фокальной плоскости линзы;
В) Перераспределению освещенности на поверхности солнечного элемента.
9. Установка для измерения спектральной зависимости внешней квантовой эффективности СЭ в обязательном порядке должна быть оснащена:
Варианты ответа для выбора:
А) Источником светового смещения с длиной волны излучения в диапазоне 1900-2000 нм;
Б) Двумя источниками светового смещения с длиной волны излучения в диапазоне 400-600 нм и 750-850 нм;
В) Источником смещения по напряжению в диапазоне +/- 1 В;
Г) Источником смещения по напряжению в диапазоне +/- 5 В;
Д) Модулятором света;
Е) Источником монохроматического излучения.
Модуль 9 «Трекеры и системы слежения за Солнцем. Концентраторные фотоэлектрические установки»
Модуль 10 «Системы мониторинга фотоэлектрических установок»
1. На основе какого минимального количества фотодиодов должен быть построен датчик слежения за Солнцем, для обеспечения слежения за Солнцем по двум осям:
А) 2
Б) 4
В) 8
2. Преимуществом пассивной системы электронной нагрузки является:
А) Защищённость модуля от протекания обратного тока.
Б) Возможность снятия ВАХ в диапазонах отрицательных напряжений.
3. Для расчета КПД концентраторного модуля система мониторинга должна быть оснащена:
А) Пиранометром
Б) Альбедометром
В) Пиргелиометром
Г) Датчиком скорости и направления ветра
4. Для расчета внутреннего сопротивления концентраторного модуля необходимо измерить:
А) Темновую вольт-амперную характеристику
Б) Световую вольт-амперную характеристику
В) И темновую и световую вольт-амперные характеристики
5. Какая величина не может быть измерена с помощью пассивной электронной нагрузки?
А) Uхх
Б) Iкз
В) Uопт
Г) Iопт
6. Какой из датчиков обязательно должен быть установлен на следящей за Солнцем поверхности?
А) Пиранометр
Б) Альбедометр
В) Пиргелиометр
Г) Датчик скорости и направления ветра
7. При построении фотоэлектрической установки на основе концентраторных модулей необходимо и достаточно обепечить точность слежения по двум осям не хуже, чем:
А) 0.1 º
Б) 1 º
В) 2 º
8. Систему долговременного мониторинга концентраторных фотоэлектрических модулей удобней строить на основе:
А) Активной электронной нагрузки
Б) Пассивной электронной нагрузки
9. При введении фотоэлектрической установки в эксплуатацию необходимо сначала:
А) настроить и запустить систему слежения за Солнцем.
Б) Произвести юстировку модулей.
10. Система слежения за положением Солнца построена на принципе:
А) затемнения фотодиодов, которое вызывает дисбаланс токов.
Б) расчета положения Солнца по алгоритму, запрограммированному в микроконтроллер.
В) Возможны оба варианта ответа.
Г) Нет правильного варианта ответа.
Модуль 11 «Солнечные электростанции»
1. При каком варианте соединения элементов в фотоэлектрическом модуле он полностью потеряет свою мощность при частичном затенении его лучевоспринимающей поверхности?
Варианты ответа для выбора:
А) Последовательном;
Б) Параллельном;
В) Последовательно-параллельном.
2. Какой тип затенения при функционировании систем электроснабжения на основе солнечных фотоэнергоустановок практически невозможно избежать?
Варианты ответа для выбора:
А) Временное затенение;
Б) Затенение зданиями;
В) Взаимное затенение.
3. В каком направлении расстояние между установками в солнечных электростанциях обычно принимают максимальным?
Варианты ответа для выбора:
А) С севера на юг;
Б) С запада на восток.
4. Влияет ли сокращение диффузной составляющей солнечного излучения при взаимном затенении фотоэнергоустановок на их мощность?
Варианты ответа для выбора:
А) Да;
Б) Нет.
5. Какой фактор оказывает основное влияние на выработку электроэнергии солнечной фотоэнергоустановкой?
Варианты ответа для выбора:
А) Плотностью потока солнечного излучения;
Б) Угол падения лучей на поверхность установки;
В) Эффекты затенения;
Г) Температурные эффекты.
6. К каким системам предъявляются повышенные требования к устойчивости электроснабжения потребителя и качеству вырабатываемой ими электроэнергии?
Варианты ответа для выбора:
А) Автономным системам электроснабжения;
Б) Системам, работающим параллельно с сетью.
7. Какое аккумулирование вырабатываемой электроэнергии является предпочтительным в автономных системах электроснабжения на основе солнечных фотоэнергоустановок?
Варианты ответа для выбора:
А) Гидроаккумулирование;
Б) Электрохимические батареи;
В) Инерционные накопители энергии;
Г) Пневмо-воздушное аккумулирование;
Д) Тепловое аккумулирование.
8. Ветровые воздействия на конструкцию следящей за Солнцем фотоэнергоустановки максимальны?
Варианты ответа для выбора:
А) В утренние и вечерние часы дня;
Б) В дневные часы.
9. В каком режиме эксплуатации аккумуляторная батарея быстрее выходит из строя?
Варианты ответа для выбора:
А) В буферном режиме;
Б) В режиме пиковых нагрузок.
10. В чем основное различие автономных систем электроснабжения от систем, соединенных с сетью?
Варианты ответа для выбора:
А) В пиковой мощности;
Б) В наличии аккумуляторных батарей;
В) В надежности электроснабжения;
Г) В ориентированности на потребителя.
