ВАРИАНТ 9

1.27. Триод имеет следующие параметры: статический коэффициент усиления = 36, крутизна = 4 мА/В. При анодном напряжении = 150 В и напряжении сетки = -3 В анодный ток = 3 мА. На сколько вольт нужно изменить: а) напряжение сетки , чтобы при данном анодном напряжении анодный ток увеличился вдвое? б) анодное напряжение, чтобы при постоянном напряжении анодный ток достиг исходного значения?

2.9. Для идеального р-n-перехода определить: а) при каком напряжении обратный ток будет достигать 90% значения обратного тока насыщения при Т =300 К; б) отношение тока при прямом напряжении, равном 0,05 В, к току при том же значении обратного напряжения.

3.7. Кремниевый мощный транзистор имеет = 45; = =А и = А. Требуется начертить: а) входные характеристики транзистора в активном режиме при изменении тока базы от 0 до 100 мА; б) выходные характеристики транзистора в активном режиме для = 5, 10, 15 и 20 мА.

Примечания к задачам 3.2 – 3.8:

, ,

где - обратный ток эмиттера при ;

- обратный ток коллектора при ;

- обратный ток эмиттера при замкнутых накоротко выводах базы и коллектора;

- обратный ток коллектора при замкнутых накоротко выводах базы и эмиттера.

4.9. Структура и принцип действия МДП-транзистора со встроенным каналом.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Некоторые физические постоянные


Постоянная Больцмана Дж/К.

Заряд электрона Кл.

Диэлектрическая проницаемость свободного пространства Ф/м.

Параметры германия и кремния


Параметр

Ge

Si

Относительная диэлектрическая проницаемость

16

12

Ширина запрещенной зоны, эВ

при Т= 0 К

при Т= 300 К

0,785

0,72

1,21

1,12

Подвижность электронов, см2/(В⋅с)

3900

1400

Подвижность дырок, см2/(В⋅с)

1900

500

Собственная концентрация носителей при 0°С, см-3

Собственное удельное сопротивление, Ом⋅см (Т= 293 К)

68

Коэффициент диффузии электронов Dn, см2/с

99

34

Коэффициент диффузии дырок Dp, см2/с

47

13