Способ контроля качества кристаллического кварца— SU 693182
Номер патента: SU 693182
Авторы: Данчевская, Корнеева, Целебровский, Шехобалова
Дата опубликования описания 30.10.1979
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. М. В. ЛОМОНОСОВА
База патентов СССР
Способ контроля качества кристаллического кварца
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 693182
Авторы: Данчевская, Корнеева, Целебровский,Шехобалова
Скачать ZIP файл.
Текст
Союз Советских Социалистических Республик. Авторы изобретения: Данчевская, Целебровский, Корнеева, Шехобалова, заявитель Московский ордена Ленина и ордена Трудового Красного знамени государственный университет им. М. В, Ломоносова. Способ контроля качества кристаллического кварца после механической обработки, используемый для массового контроля глубины нарушенного слоя кварцевых изделий. Наиболее близким к предлагаемому изобретению является способ контроля качества кварца, заключающийся в облучении образца ультрафиолетовым светом и наблюдении его поглощения в области 240 нм. Коэффициент поглощения уменьшается при улучшении качества кварца. Недостатком этого способа является невозможность определения глубины нарушенного поверхностного слоя кристаллического кварца. Целью настоящего изобретения является обеспечение возможности определения глубины нарушенного поверхностного слоя кристаллического кварца. Это достигается тем, что регистрируется изменение интенсивности люминесценции поверхности образца в диапазоне 480-510 нм, возникшей под действием светового излучения в диапазоне 250 - 380 нм. Сравнивают ее с люминесценцией эталонных образцов с известной толщиной нарушенного поверхностного Настоящее изобретение относится к области люминесцентной дефектоскопии и, в частности, к контролю нарушенного поверхностного слоя кристаллического кварца после механической обработки, что особенно необходимо при изготовлении кварцевых резонаторов, пьезодатчиков и т, д. Известен способ определения глубины нарушенного поверхностного слоя кварцевых изделий с помощью метода химического травления, например, в плавиковой кислоте или бифториде аммония. При этом кварцевые изделия на определенный промежуток времени помещаются в травитель. Затем кварцевые изделия промываются и высушиваются. Глубина стравленного слоя определяется по убыли веса кварцевых изделий после травления. Контроль над состоянием поверхности ведется с помощью визуальных наблюдений. Однако этот метод очень трудоемкий и связан с разрушением образцов, что затрудняет его применение в технологи кварцевых изделий.
Пример: Кварцевые пластины АТ-среза, диаметром 13 мм, толщиной 0,15 мм, , обработанные микропорошками М 14 и М 7 и имеющие, по данным химического травления, глубину нарушенного поверхностного слоя 33 мкм и 14 мкм, соответственно, использовались в качестве эталонных изделий.
Кварцевые пластины АТ-среза, обработанные микропорошком М 10, использовались в качестве исследуемых образцов.
Для всех кварцевых пластин измерялась интенсивность люминесценции, возбуждаемая УФ – облучением их поверхности. В качестве источника УФ – света использовалась лампа СВД – 120 А. Из спектра излучения лампы с помощью фильтра выделялся спектральный интервал 254 -370 нм. Выделенный световой поток УФ - света направлялся на поверхность кварцевой пластины. Из возбужденного люминесцентного излучения, с помощью оптических фильтров выделялась полоса пропускания 480 – 510 нм. Люминес
с помощью химического травления и имеющие по данным хи - дала значение 21 мкм, что в пределах мического травлейия глубину нарушенйого экспериментальной ошибки совпадает соповерхностного слоя, значением, полученным люминесцентным"соответственно, Кварцевые йласти О Настоящий способ прост, не требуетны АТ"среза, обработанные микропорош - работы с веществами, вредными для эдоком М 10, йспольэовались в качестве " ровья обслуживающего персонала. Опреисследуемых,.;,"деление глубины нарушенного поверхностДля всех кварцевых нластий измеря : ного слоя кристаллического кварца этимлась йнгенсивйость " люминесцентного из способом составляет около двух минут и, лученкя, возбужденного Уф облучениемследовательно, он может бытьиспользованих поверхности, В качестве нсгочникакакэкспресс-методмассовогоконтроляглуУФ-света использоваласьртутно-кварце - бины нарушенного слоя кварцевых изделийвая лампа СВДА, Из спектра излу-любой формы в промышленности и применячения лампы с "помощью фильтра выделял ется для автоматической сортировки парся спектральный интервал 254-370 нм, тий кварцевых йзделий. Выделенный световой поток УФ-света на - Ф о р м у л а и з о б р е т е н и яправлялся на поверхность кварцевой плас - Способ контроля качествакристаллитины, Возбужденйое люминесцентное из-ческого кварца, заключающийся в облучелучение от кварцевой пластины выделялось нии образца ультрафиолетовым светом,25с помощью системы фильтров, имеющих о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сполосу пропускания только в областйцелью обеспчениявоэможности определе 480-510 нм. Люмийесцентн 6 е излучение,. ния глубины его йарушенного поверхностйрошедшее через систему фильтров; регист - ного слоя, измеряют интенсивность люмиЗОрировалось с помощью ФЗУА. несценцйи поверхности образца в диапазоИнтенсйвность люминесцентного иэлу - не 480-510 нм - и сравнивают ее с люмиченяя составляла 0,67 отн. ед., 0;52 несценцией эталонных кварцевых изделий. отн, ед. и 0,44 отн. ед, для кварцевых. Источники информации, пластин, обработанных"микропорошкомпринятые во внимание при экспертизеМ 14, М 10 и М 7 1. Мошковский А, С. Исследование де 35фектного слбя марна методрм травления, На чертеже представлена градуироюч - .Электюн ая техника, серия 1 Х, Радиоком йЯ йр 1 ййая зависимости йнтенсивностй лю-енты 1969 вып. 2, с. 35-46,минесценции от глубины нарушенного по"дп 10%р. з, аль ЙоЬоНов 3,ТЬе Мпе верхвостного слоя эталонных кварцевых 40.Ысз о Ье соогИ 1 ол ана 1 ив 1 незсенсе опластйн. Сравнивая"ййтенсивность люминесуйгеаиз Шса ли(нее Ъу багга 1 абоъ ъ И хцентного йэлучения исследуемой кварцеапй - гауз, жИЬ оЪзеь. чаИонз ол ге 1 а 1 ейвой пластины, обработанной микролорош - п 1 Г УЬелоеена ТганзасНонз оГ 1 Ие Гагадауком М 10, с интейсивностями эталонных Ф он тКварцевых пластин и используя градуиро - ф 5 зосе 1 у, 1954,чо 1,5 Р, р. 480-493 (про";вочй;ю"прЫую находим, что глубина ее тотип),693 182 аеволесникова абурина едактор Подписно к итета СССРткрытий кая наб., д. 4/5 я Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. П 6065/12ЦНИИПИ Государстпо делам изоб113035, Москва, Ж тираж 10енного ком теннй и о
Заявка
2508361, 07.07.1977
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. М. В. ЛОМОНОСОВА
ДАНЧЕВСКАЯ МАРИНА НИКОЛАЕВНА, КОРНЕЕВА НИНА ИВАНОВНА, ЦЕЛЕБРОВСКИЙ АЛЕКСЕЙ НИКОЛАЕВИЧ, ШЕХОБАЛОВА ВАЛЕНТИНА ИВАНОВНА
