БАЗА НАУЧНЫХ ПРИБОРОВ БГУ

И ОРГАНИЗАЦИЯ ДОСТУПА К НИМ МОЛОДЫХ УЧЁНЫХ

Ниже находится список научного оборудования химического, биологического и физического факультетов БГУ.

Для получения доступа к оборудованию необходимо связаться с ответственным лицом на соответствующем факультете. Список ответственных  лиц и контактные телефоны приведены ниже.


Химический факультет:   (029)6384939 Биологический факультет:   (017) 2095863, (029)3256468 Физический факультет:   (017) 2095480

СПИСОК ОБРУДОВАНИЯ



НИИ ФХП БГУ и химический факультет.
Атомно-эмисионный спектрометр, атомно-абсорбционный спектрометр ЯМР-спектрометр, ЭПР-спектрометр, ИК-спектрометр. Дифференциальный сканирующий калориметр Сканирующий электронный микроскоп LEO 1420 с вакуумным постом для напыления золота, просвечивающий электронный микроскоп LEO 906E Рентгеновский дифрактометр ДРОН – 2. Просвечивающий электронный микроскоп ПЭМ-4, Универсальный вакуумный пост ВУП 2.

Биологический факультет
Инвертируемый микроскоп Световой микроскоп Спектрофотометр (измерения в режиме кинетики, сканирования) Планшетный ридер Амплификатор для количественной ПЦР Амплификатор Низкотемпературный морозильник (-75) СО2-инкубатор Ламинарный бокс Центрифуги (до 10 000 оборотов/мин) Паровые стерилизаторы
ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ(БМЦ)

Сведения об оборудовании и приборах БМЦ


№

п/п

Наименование прибора, установки или экспериментального комплекса. Производитель, страна

Год выпуска/ модернизации или создания

Назначение

Основные технические характеристики

1

Растровый электронный микроскоп  LEO 1455 VP с рентгеноспектральным микроанализатором (Сarl Zeiss, Германия) и дифракционной приставкой (Oxford Instruments, Англия).

2001 г./модер-низирован дифракционной приставкой в 2009 г.

для исследования микроструктуры,  элементного и фазового состава и текстуры кристаллических материалов

Увеличение до 300 тыс. раз, разрешающая способность в высоковакуумном режиме 3,5 нм, в низковакуумном режиме – 5 нм.

Микроанализ элементов от B до U

2

Просвечивающий электронный микроскоп ПЭМ-100

ПО «Электрон»,

Украина

1990 г., модернизирован системой компьютерного управления в 2005 г.

для  исследования структуры и фазового состава тонких слоев

Увеличение до 300 тыс. раз, разрешаемое расстояние по точкам – 0,5 нм,

по кристаллической решетке – 0,35 нм

3

Сканирующий зондовый микроскоп Solver P47 PRO.

«НТ-МДТ», Россия

2005

для исследования топографии и локальных магнитных, механических и электрических свойств поверхности

Максимальный размер области сканирования – 12х12 мкм, минимальный шаг сканирования 0,001нм, разрешение: по X-Y 0,2 нм, по Z - 0,001 нм

4

Рентгеновские дифрактометры ДРОН 4.13,

ДРОН 4-13,

ДРОН 4-07,

«Буревестник», Россия

1992

1992

1990

для исследования фазового состава и кристаллической структуры материалов

Скорость съемки дифрактограмм от 1/32 град/мин до 16 град/мин в Cu и Co-излучении, пакет программ по обработке полученных данных

5

Динамический микротвердомер

Shimadzu DUH-202,

Shimadzu Corporati, Япония

1999

для измерения динамической твердости и микротвердости

тонких пленок и покрытий

Измерения в области малых нагрузок от 0,1 мН и тонких слоев –  от 10 нм,

глубина индентирования до 10 мкм

6

Виброзащитный голографический стенд в составе:

виброзащитный стенд 1НТ12-24-20, SNANDA, Литва; гелий-неоновые лазеры ГН-25-1 – 2 шт., аргоновый лазер ЛГ-106М4,

,  Россия;

лазер LS-2134,

СП «ЛОТИС - ТИИ», Беларусь

2004

для голографических исследований

Вертикальная резонансная частота 4,2 Гц, горизонтальная резонансная частота 2,2 Гц, автоматическая точность

выравнивания 3 мм, вертикальный диапазон регулировки 12 мм, переходное время задержки возбуждения 50 мс

7

Фурье - спектрометр VERTEX 70,

«Bruker», Германия

2005

для регистрации инфракрасных спектров различных веществ

спектральное разрешение лучше, чем 0.5 см-1 (с аподизацией), фотометрическая точность лучше, чем 0,1 %

8

Лабораторный комплекс CFHF

на базе рефрижератора замкнутого цикла,

компания Cryogenics Ltd, Англия

2006

для автоматизированного измерения электрических свойств на постоянном и переменном токе, магнитных свойств, а также термоэдс и теплопроводности различных материалов

диапазон температур 1,6 – 300 К, магнитные поля до 8 Тл, область частот от 20  Гц  до 30 МГц

9

Комплекс оборудования для пробоподготовки,

«Struers A/S», Дания

2006

для резки, шлифовки, полировки, электролитического утонения

При резке:

скорость отрезания 110-420 об/мин,

точность 0,01 мм.

При полировке:

скорость вращения полировального диска 40-600 об/мин, давление 10- 400 Н.

При электролитическом утонении:

одно - и двухстороннее утонение,

диаметр образца 3 мм

10

Лаборатория клеточных технологий

2007

Ведение культур клеточных линий,

исследование клеток методом patch-clamp

Степень очистки воздуха: не хуже 99,99% (0,3 мкм),

инкубация: t= 5-50 C, CO2= 0-20 %, O2= 3-90 %, Hum= 60-95 % rH.

Взвешивание: 0-1 кг, точность 0,1 мкг.

Скорость центрифугирования: 15000 оборотов

Манипулирование: не хуже 2 мкм.

Фиксация тока: не хуже 10 мкА.

Фиксация потенциала: не хуже 1 мВ

Внутриклеточный потенциал: 0-10 кГц, 0-1 В, шум: <5 мкВ

Внеклеточный потенциал: 0-10 кГц, 0-10 мВ, шум: <5 мкВ

11

Пикосекундный комплекс на базе лазера LS-2151,

СП «ЛОТИС-ТИИ», Беларусь

2008

для динамической голографии

Длительность импульса в режиме мод. добротности  10-15 нс, в режиме пассивной синхронизации мод  30-40 пс, частота повторения импульсов 1-10 Гц

12

Установка ионного утонения, полировки, очистки PECS 682,

Gatan, США

2009

Для препарирования образцов для РЭМ и ПЭМ

Энергия ионов от 1 до 10 кэВ; плотность тока до 10 мА/см2; диаметр ионного пучка до 5 мм; скорость утонения для W 3 мкм/ч; угол наклона образца 0-90 град