Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
ОСНОВНЫЕ ВОПРОСЫ (требующие развернутого ответа) |
| Основные этапы изготовления подложек для будущих микросхем. Требования к качеству подложек. Изобразить структуру интегрального биполярного транзистора, изолированного p-n-переходом. Указать преимущества и недостатки такого способа изоляции. Изобразить структуру интегрального биполярного транзистора, изолированного диэлектриком. Указать преимущества и недостатки такого способа изоляции. Изобразить структуру интегрального биполярного транзистора с комбинированной изоляцией. Указать преимущества и недостатки такого способа изоляции. Изобразить структуру интегрального МОП транзистора. Проблемы формирования МОП-транзисторов и способы их решения. Изобразить структуру интегрального КМОП транзистора. Проблемы формирования КМОП-транзисторов и способы их решения. КНС-технология. Примеры реализации интегральных транзисторов. Преимущества и недостатки технологии. Интегрально-инжекционная логика. Принцип построения ИИЛ и структура элементов ИИЛ в микросхемах. Преимущества и недостатки ИИЛ. Эффект памяти в МОП-структурах. Привести примеры структур МОП-ячеек памяти и пояснить принцип их работы. Понятие динамической памяти и способы ее реализации (изобразить и пояснить структуры ячеек динамической памяти). |
ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ (краткий ответ с необходимыми пояснениями и рисунками) |
Понятие интегрально-группового метода производства микросхем. Назначение скрытого коллекторного слоя в интегральных биполярных транзисторах. Эффект поля в полупроводниках. Принцип работы МДП-транзистора. Способы борьбы с паразитными МОП-структурами. Способы борьбы с плохим теплоотводом от интегрального транзистора. Преимущества КМОП-логики (на примере работы КМОП-инвертора). Понятие ТТЛШ-логики и способ ее реализации (изобразить и пояснить структуру). Принцип работы и способ реализации ПЗУ на транзисторных матрицах с плавкими перемычками. Требования к подзатворному диэлектрику в МОП-транзисторах. Назначение самосовмещающей технологии изготовления МОП-транзисторов. |
ЛИТЕРАТУРА |
| Ваши конспекты лекций и мои презентации (можно взять) |
| Черняев производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.,Радио и связь,1987. |
| , Филинюк микросхемы и основы их проектирования.-М.,1992. |
| Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 Кн. Кн.1. Общая технология. – М.:Высш. шк., 1989. |
| Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 Кн. Кн.4. Механическая и химическая обработка. – М.:Высш. шк., 1989. |
| Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 Кн. Кн.9. Сборка. – М.:Высш. шк., 1989. |


