Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто

  • 30% recurring commission
  • Выплаты в USDT
  • Вывод каждую неделю
  • Комиссия до 5 лет за каждого referral


ОСНОВНЫЕ ВОПРОСЫ

(требующие развернутого ответа)

Основные этапы изготовления подложек для будущих микросхем. Требования к качеству подложек. Изобразить структуру интегрального биполярного транзистора, изолированного p-n-переходом. Указать преимущества и недостатки такого способа изоляции. Изобразить структуру интегрального биполярного транзистора, изолированного диэлектриком. Указать преимущества и недостатки такого способа изоляции. Изобразить структуру интегрального биполярного транзистора с комбинированной изоляцией. Указать преимущества и недостатки такого способа изоляции. Изобразить структуру интегрального МОП транзистора. Проблемы формирования МОП-транзисторов и способы их решения. Изобразить структуру интегрального КМОП транзистора. Проблемы формирования КМОП-транзисторов и способы их решения. КНС-технология. Примеры реализации интегральных транзисторов. Преимущества и недостатки технологии. Интегрально-инжекционная логика. Принцип построения ИИЛ и структура элементов ИИЛ в микросхемах. Преимущества и недостатки ИИЛ. Эффект памяти в МОП-структурах. Привести примеры структур МОП-ячеек памяти и  пояснить принцип их работы. Понятие динамической памяти и способы ее реализации (изобразить и пояснить структуры ячеек динамической памяти).

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

(краткий ответ с необходимыми пояснениями и рисунками)


Понятие интегрально-группового метода производства микросхем. Назначение скрытого коллекторного слоя в интегральных биполярных транзисторах. Эффект поля в полупроводниках. Принцип работы МДП-транзистора. Способы борьбы с паразитными МОП-структурами. Способы борьбы с плохим теплоотводом от интегрального транзистора. Преимущества КМОП-логики (на примере работы КМОП-инвертора). Понятие ТТЛШ-логики и способ ее реализации (изобразить и пояснить структуру). Принцип работы и способ реализации ПЗУ на транзисторных матрицах с плавкими перемычками. Требования к подзатворному диэлектрику в МОП-транзисторах. Назначение самосовмещающей технологии изготовления МОП-транзисторов.

ЛИТЕРАТУРА

Ваши конспекты лекций и мои презентации (можно взять)
Черняев производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.,Радио и связь,1987.
, Филинюк микросхемы и основы их проектирования.-М.,1992.
Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 Кн.  Кн.1. Общая технология. – М.:Высш. шк., 1989.
Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 Кн.  Кн.4. Механическая и химическая обработка. – М.:Высш. шк., 1989.
Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 Кн.  Кн.9. Сборка. – М.:Высш. шк., 1989.