Приложение
Таблица открытых данных информации о субъектах инновационной инфраструктуры
ИНЖИНИРИНГОВЫЙ ЦЕНТР - лаборатории тонких пленок
Содержание информации | Пояснение | |
1. Общие сведения о субъекте инновационной инфраструктуры и контактная информация | ||
1.1 | Полное наименование. | Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московской области «Университет «Дубна» |
1.2 | Сокращенное наименование. | Государственный университет «Дубна» |
1.3 | Юридический адрес. | 141982, Московская область, г. Дубна, ул. Университетская д. 19 |
1.4 | Фактическое местонахождение. | 141982, Московская область, г. Дубна, ул. Университетская д. 19 |
1.5 | Почтовый адрес. | 141982, Московская область, г. Дубна, ул. Университетская д. 19 |
ИНЖИНИРИНГОВЫЙ ЦЕНТР | ||
1.6 | Номера контактных телефонов. | 8-496-216-60-68, доб. 1364 |
1.7 | Номер факса. | |
1.8 | Адрес электронной почты. | *****@***ru philipp. *****@***com |
1.9 | Адрес сайта. | www. in-cub. ru |
1.10 | Контактные данные руководителя (заместителей руководителя). | |
1.10.1 | ФИО руководителя. | |
1.10.2 | Должность руководителя. | Директор |
1.10.3 | Номера контактных телефонов руководителя. | 8-495-798-4884 |
1.10.4 | Номер факса руководителя. | - |
1.10.5 | Адрес электронной почты руководителя. | *****@***ru |
Контактные данные начальника лаборатории тонких пленок | ||
ФИО руководителя. | ||
Должность руководителя. | Заведующий лабораторией | |
Номера контактных телефонов руководителя. | 8-496-216-60-68, доб. 1364 8-916-355-7482 | |
Номер факса руководителя. | ||
Адрес электронной почты руководителя. | philipp. *****@***com | |
ФИО руководителя. | ||
Должность руководителя. | ||
Номера контактных телефонов руководителя. | 8-496-216-60-68, доб. 1364 8-905-716-7729 | |
Номер факса руководителя. | ||
Адрес электронной почты руководителя. | *****@***ru | |
1.11 | Краткое описание субъекта инновационной инфраструктуры и наиболее значимые общие сведения о нем. | Выполнение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по разработке, созданию и исследованию новых материалов. Получение функциональных покрытий и сборка готовых устройств на их базе. |
1.11.1 | Научная / технологичная / отраслевая принадлежность субъекта инновационной инфраструктуры, специализация субъекта инновационной инфраструктуры | Нанотехнологии, тонкие пленки |
1.11.2 | Информация о текущих резидентах субъекта инновационной инфраструктуры. | Информация указывается отдельно по каждому резиденту субъекта инновационной инфраструктуры |
1.12 | Информация о нормативных правовых актах, на основании которых действует и функционирует субъект инновационной инфраструктурыi. | |
1.12.1 | Информация о стратегических документах Российской Федерации / субъекта Российской Федерации / муниципального образования, связанных с деятельностью субъекта инновационной инфраструктурыi. | Заполняется отдельно по стране и (или) региону и (или) муниципальному образованию в зависимости от принадлежности субъекта инновационной инфраструктуры. |
2. Описание основных направлений деятельности субъект инновационной инфраструктуры и предоставляемых им услуг | ||
2.1 | Информация о предоставляемых услугах. | Информация о предоставляемых услугах формируется по форме, указанной в приложении № 2 к настоящим методическим рекомендациям. |
2.2 | Информация об условиях доступа и характеристиках высокотехнологичного оборудования. | Информация о высокотехнологичном оборудовании формируется по форме, указанной в приложении № 3 к настоящим методическим рекомендациям. |
2.3 | Информация о программе (стратегии) развития на среднесрочный (не менее трех лет) плановый периодi. | |
2.4 | Годовые отчеты о деятельности субъекта инновационной инфраструктурыi. | В отчете целесообразно отразить информацию о расходовании предоставленных средств; о получателях финансовой и нефинансовой поддержки и результатах, достигнутых ими благодаря полученной поддержке; о реализованных проектах в отчетном году, другую актуальную информацию. |
3. Дополнительные сведения о субъекте инновационной инфраструктуры с учетом специфики его деятельности и оказываемых им услуг | ||
3.1 | Информация об информационно-коммуникационных мероприятиях, вебинарах, круглых столах, конференциях, форумах, образовательных программах, бизнес-миссиях и других значимых мероприятиях. | Информация об информационно-коммуникационных мероприятиях формируется по форме, указанной в приложении № 4 к настоящим методическим рекомендациям. |
Приложение
Форма представления информации об услугах субъекта инновационной инфраструктуры
Порядковый номер услуги | Наименование услуги | Описание услуги | Регламент предоставления услугиi | Форма типового договора на предоставление услугиi | Стоимость предоставления услуги по прейскуранту цен | Сроки выполнения |
1 | Вакуумное напыление с использованием вакуумной полуавтоматической системы резистивного напыления на платформе VSR300 | Формирование многослойной структуры из тонких плёнок напылением металлических, диэлектрических и полупроводниковых материалов – как простых веществ, так и сложных соединений, с заданными толщинами каждого слоя. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 1550 руб/час | |
2 | Вакуумное напыление с использованием вакуумной полуавтоматической системы с протяженными магнетронами на платформе VSR300 | Формирование многослойной структуры из тонких плёнок напылением металлических, диэлектрических и полупроводниковых материалов – как простых веществ, так и сложных соединений, с заданными толщинами каждого слоя. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 1835 руб/час | |
3 | Вакуумное напыление с использованием вакуумной полуавтоматической системы с круглыми магнетронами на VSR300 для напыления слоев металлов, полупроводников и оксидов | Формирование многослойной структуры из тонких плёнок напылением металлических, диэлектрических и полупроводниковых материалов – как простых веществ, так и сложных соединений, с заданными толщинами каждого слоя. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 1925 руб/час | |
4 | Сборка аккумуляторных батарей кнопочного типа (coin cell) | Проведение технологического процесса по сборке источников тока кнопочного типа (coin cell). | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 1078 руб/час | |
5 | Сборка аккумуляторных батарей планарного типа (pouch cell) | Проведение технологического процесса по сборке источников тока планарного типа (pouch cell). | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 1179 руб/час | |
6 | Электрохимическое исследование источников тока на восьмиканальном анализаторе источников питания | Проведение электрохимических исследований в области определения коррозионных изменений, возобновляемых источников энергии, фундаментальной электрохимии, сенсоров и т. д. Тестирование портативных аккумуляторов, а также исследование ресурса электродных материалов. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 631 руб/час | |
7 | Электрохимическое исследование источников тока на потенциостате/гальваностате BIO-LOGIC SP200 | Проведение электрохимических исследований в области определения коррозионных изменений, возобновляемых источников энергии, фундаментальной электрохимии, сенсоров и т. д. Тестирование портативных аккумуляторов, а также исследование ресурса электродных материалов. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 773 руб/час | |
8 | Нанесения тонких слоёв методом электростатического распыления | Создание тонких слоёв на подложке при помощи контролируемого по скорости распыления образца под действием электростатических сил. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 1706 руб/час | |
9 | Синтез и термическая обработка материалов | Синтез и обработка материалов при высоких температурах путём нагрева, обжига, прокалки и других видов термической обработки различных материалов в контролируемой газовой атмосфере. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 833 руб/час | |
10 | Проведение химических процессов синтеза в реакторе | Проведение химических процессов в модульно расширяемом лабораторном реакторе, разработанном для воспроизведения и оптимизации химических реакций, а также перемешивания и гомогенизации в лабораторных масштабах. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 950 руб/час | |
11 | Получение сверхтонких плёнок на жёстких подложках методом спин-коатинга. | Проведение очистки подложки и дальнейшее нанесение сверхтонких слоёв методом спин-коатинга. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 838 руб/час | |
12 | Микрокапельная печать. | Прецизионное контролируемое нанесение на подложку раствора при помощи микропечати с бесконтактным нанесением. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 1720 руб/час | |
13 | Лазерная гравировка. | Лазерная обработка поверхностных слоёв материала изделий с нанесением графических и текстовых изображений. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 960 руб/час | |
14 | Прецизионная резка пластин. | Резка алмазным диском пластин из керамики, кремния и других материалов. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 917 руб/час | |
15 | Измерение вязкости. | Определение реологических характеристик жидкостей и пастообразных смесей. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 641 руб/час | |
16 | Микропрофилометрия поверхности. | Измерение топографии, шероховатости и волнистости поверхностей с 3D изображением при точности 20 нм и разрешении в плоскости 1 мкм. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 1012 руб/час | |
17 | Измерение поверхностного электрического сопротивления. | Измерение удельного поверхностного электрического сопротивления п/п, резистивных и металлических плёнок, на плоской подложке. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле | 844 руб/час | |
18 | Спектрофотометрические измерения. | Исследование спектральных характеристик растворов и материалов на спектрофотометре. | Проект приказа с приложением регламента работ формы типового договора и тарифа предоставления услуги | Форма типового договора представлена в отдельном файле |
Приложение
Форма представления информации об условиях доступа и характеристиках высокотехнологичного оборудования субъекта инновационной инфраструктуры.
Порядковый номер единицы высокотехнологичного оборудования | Наименование единицы высокотехнологичного оборудования | Информация о технических характеристиках высокотехнологичного оборудования | Описание возможностей единицы высокотехнологичного оборудования | Регламент работы с применением единицы высокотехнологичного оборудованияi | Форма типового договора единицы высокотехнологичному оборудованиюi | Стоимость предоставления единицы высокотехнологичного оборудования (за час / иной промежуток времени по прейскуранту цен) |
1 | Вакуумная полуавтоматическая система резистивного напыления на платформе VSR300 | Количество резистивных испарителей (из них один одновременно работающий): 3 шт. Мощность блока питания резистивного испарителя: 2,5 кВт Режим непрерывной работы на токе более 200А: 10 (перерыв 20) мин Длина лодочек для резистивного испаримм Предельное давление (достигается при откачке чистой камеры, при предварительном вентилировании сухим азотом и прогреве камеры до 200°С в течении трёх часов): 3,5х10-7 мбар Максимальный нагрев камеры ТЭНами: 250 °С Скорость откачки турбомолекулярным насосом: 700 л/с Скорость откачки форвакуумным насосом: 20 м3/ч Количество термопар (вид термопары К): 2 шт. Карусельный механизм вращения подложки (образцов): да | Оборудование предназначено для вакуумного напыления на образцы тонких слоёв материалов. Комплекс оборудования размещен в чистой комнате «Ламинар-С», создающей 6 класс чистоты воздуха. Система настроена на один из методов напыления: метод вакуумного термического испарения, метод магнетронного распыления, метод ВЧ магнетронного распыления, метод ионно-лучевого распыления. Система позволяет создавать электрооптические, многослойные однородные и градиентные покрытия с заданными толщинами каждого слоя | По согласованию с заказчиком | ||
2 | Вакуумная полуавтоматическая система с протяженными магнетронами на платформе VSR300 | Максимальный нагрев подложки: 800 °С Максимальный расход регулятора расхода газа (РРГ): 100 ст. см3/мин Количество РРГ: 2 шт. Количество одновременно подаваемых газов: 2 шт. Ионный источник для очистки 100х400мм: 1 шт. Количество магнетронов: 2 шт. Размер мишени: 100х400 мм Толщина мишени: 10 мм Тип материала мишени: не ферромагнетик Предельное давление (достигается при откачке чистой камеры, при предварительном вентилировании сухим азотом и прогреве камеры до 200°С в течении трёх часов): 3,5х10-7 мбар Максимальный нагрев камеры ТЭНами: 250 °С Скорость откачки турбомолекулярным насосом: 700 л/с Скорость откачки форвакуумным насосом: 20 м3/ч Количество термопар (вид термопары К): 2 шт. Карусельный механизм вращения подложки (образцов): да | Оборудование предназначено для вакуумного напыления на образцы тонких слоёв материалов. Комплекс оборудования размещен в чистой комнате «Ламинар-С», создающей 6 класс чистоты воздуха. Система настроена на один из методов напыления: метод вакуумного термического испарения, метод магнетронного распыления, метод ВЧ магнетронного распыления, метод ионно-лучевого распыления. Система позволяет создавать электрооптические, многослойные однородные и градиентные покрытия с заданными толщинами каждого слоя | По согласованию с заказчиком | ||
3 | Вакуумная многофункциональная полуавтоматическая система с круглыми магнетронами на платформе VSR300 для формирования слоев металлов, полупроводников и оксидов. | Максимальный нагрев подложки: 800 °С Максимальный расход регулятора расхода газа (РРГ): 100 ст. см3/мин Количество РРГ: 2 шт. Количество одновременно подаваемых газов: 2 шт. Ионный источник для очистки Ш50мм: 1 шт. Количество магнетронов: 2 шт. Размер мишени: Ш50 мм Толщина мишени Ш50мм: 6 мм Тип материала мишени: не ферромагнетик Предельное давление (достигается при откачке чистой камеры, при предварительном вентилировании сухим азотом и прогреве камеры до 200°С в течении трёх часов): 3,5х10-7 мбар Максимальный нагрев камеры ТЭНами: 250 °С Скорость откачки турбомолекулярным насосом: 700 л/с Скорость откачки форвакуумным насосом: 20 м3/ч Количество термопар (вид термопары К): 2 шт. Карусельный механизм вращения подложки (образцов): да | Оборудование предназначено для вакуумного напыления на образцы тонких слоёв материалов. Комплекс оборудования размещен в чистой комнате «Ламинар-С», создающей 6 класс чистоты воздуха. Система настроена на один из методов напыления: метод вакуумного термического испарения, метод магнетронного распыления, метод ВЧ магнетронного распыления, метод ионно-лучевого распыления. Система позволяет создавать электрооптические, многослойные однородные и градиентные покрытия с заданными толщинами каждого слоя | По согласованию с заказчиком | ||
4 | Система из двух перчаточных боксов | Общее количество перчаток: 4 Габариты каждого бокса (ДхШхВ, мм): 1200х800х900 Т-образный переходной шлюз диаметром 400 м Большой шлюз из нержавеющей стали, диаметр 400мм, длина 600мм Инструментальный шлюз из нержавеющей стали диаметр 110мм, длина 300мм Анализатор воды (0-1000ppm) Анализатор кислорода (0-1000ppm) Автоматическое удаление воды и кислорода (O2,H2O: <= 1 ppm) Модуль автоматической регенерации системы очистки (регенерационная смесь: H2 5-10% + рабочий газ) Система тонкой очистки инертного газа от влаги и О2 на основе молекулярных сит и медного катализатора Система (HEPA-фильтры не менее 2 шт., до 0.3 мкм) очистки газа от механических примесей Система очистки инертного газа от органики | Система из двух перчаточных боксов предназначена для работы в высокочистой газовой среде с контролируемым содержанием кислорода и воды. | |||
5 | Восьмиканальный анализатор источников питания MTI-BST8-MA | Количество каналов: 8 Диапазон тока: 0.02 мA – 10мA, точность: ±0.05% Диапазон напряжения: 0.5 – 5В, точность: ±0.05% Количество циклов измерений: 9999 Особенность работы: Восемь независимых каналов с возможностью раздельного программирования разных режимов работы | Устройство предназначено для тестирования портативных аккумуляторов, а также исследования ресурса электродных материалов. Наличие 8 обособленных каналов, а также держателя для источников питания «кнопочного» типа (CR2016, CR2025, CR2032) позволяет проводить измерения одновременно 8 источников питания. | |||
6 | Потенциостат/гальваностат BIO-LOGIC SP-200 | Максимальное напряжение: ±12 В Диапазон изменения потенциала: ±10 В EIS измерение: 3 МГц (1%, 1°) 1 МГц 7 МГц (3%, 3°) Диапазон тока: от 500 мA до 1 мкA Разрешение тока: 760 фA Низкий ток: 6 диапазонов от 100 нA до 1 пA с разрешением 76 фA Режим измерений без заземления прибора Аналоговая фильтрация Плата калибровки Режим полного контроля стабильности (9 диапазонов) Ультранизкий ток: диапазон до 1 пA Встроенный EIS анализатор: 10 мкГц до 7 МГц Генератор линейной развертки до 1 МВ/с | Устройство позволяет проводить исследования в области определения коррозионных изменений, возобновляемых источников энергии, фундаментальной электрохимии, сенсоров и т. д. | |||
7 | Установка электростатического спреевого осаждения ESPRAYER ES-2000S2A | Модуль высокого напряжения от 3 кВ до 30 кВ Величина потока от 0,1 мкл/мин до 1000 мкл/мин Ток на форсунке – до 30 мкА Напряжение на форсунке – до 30 кВ Объем шприца – 5 мл Максимальное количество шприцов - 2 Расстояние от шприца подложки до форсунки – от 50 мм до 250 мм Запыляемая область подложки не более 200 x 200 мм Движение распылителя (X, Y) – в диапазоне 200 Ч 200 мм Контролируемое движение распылителя (по оси Z) - от 50 до 200 мм Движение столика со скоростью от 0.1 мм/с до 100 мм/с Возможность контролируемого создания трафарета на поверхности подложки из не более 99 точек Возможность нагрева до температуры в диапазоне от 20˚С до 60˚С Измерение температуры в диапазоне от 0˚С до 99˚С с точностью не хуже 2˚С Измерение влажности в диапазоне от 2 % до 100 % с точностью не хуже 5 % | Данная установка позволяет создавать тонкие слои на подложке при помощи контролируемого по скорости распыления образца под действием электростатических сил. Установка может быть использована для создания нановолокон, тонких слоёв на подложке, покрытия частиц, микроструктурирования поверхности и т. д. | |||
9 | Печь трубчатая STF 15/180/301 | Максимальная рабочая температура 1500°C Внешний диаметр используемых рабочих трубок 60 мм Нагреваемая длина рабочей трубки 180 мм Нагревательные элементы из карбида кремния Горизонтальная конструкция ПИД-контроллер Carbolite 301, с функцией линейного изменения температуры Таймер отложенного пуска и процесса | Высокотемпературная трубчатая печь позволяет проводить нагрев и отжиг материалов в контролируемой газовой атмосфере, а также в вакууме. | |||
10 | Печь муфельная SNOL 7.2/1300 | Объем: 7.2 л Диапазон автоматического регулирования температуры: 50 – 1300 °С Стабильность температуры в установившемся тепловом режиме: +/- 2 °С Размеры рабочей камеры не менее: Ш*Г*В = 200*300*130 мм | Электропечь предназначена для сушки и термообработки в воздушной среде при температуре до 1300°C | |||
11 | Лабораторный химический реактор IKA LR-2ST | Полезный объем мин.: 500 мл Полезный объем макс.: 2000 мл Рабочая температура мин.: температура окружающей среды Рабочая температура макс.: 230 °C Досягаемый вакуум: 25 мбар Вязкость: 150000 сПуаз Диапазон вращающего момента: 8 – 290 об/мин Ход телескопического штатива: 390 мм Материал в контакте со средой: Боросиликат. стекло, FFPM, PTFE, сталь 1.4571 Открытия реакторных сосудов (шт./норма): 3/NS 29/32, 2/NS 14/23 | Система LR-2.ST является модульно расширяемым лабораторным реактором, разработанным для воспроизведения и оптимизации химических реакций, а также для перемешивания и гомогенизации в лабораторных масштабах. | |||
12 | Плазменная система очистки поверхности подложек DEINER ELECTRONIC ATTO I | Камера: материал стекло, Ш 211 мм, глубина 300 мм Объем камеры: ~ 10,5 литра Подвод газа: 2 регулятора расхода газа с игольчатыми клапанами Генератор: 40 кГц /200 Вт или 13,56 мГц /50 Вт Вакуумный насос: 2 мі/час | 10,5-литровая лабораторная установка с полуавтоматическим управлением применяется для очистки, активации, а также травления поверхности. | |||
13 | Центрифуга SPIN-1200T | Толщины наносимых слоев от 1000 А до 100 мкм Размер подложек от 5х5 мм до 100 мм в диаметре Ручное дозирование фоторезиста Держатели подложек с вакуумным или механическим прижимом Скорость вращения от 300 до 10000 об/мин +/-1% для не загруженного держателя | Настольная лабораторная центрифуга для нанесения жидких материалов на планарные подложки. | |||
14 | Вискозиметр ротационный Lamy Rheology FIRST RM | Диапазон измерения динамической вязкости: от 3 до 156•106 мПа•с Количество скоростей вращения: 21 Диапазон скоростей вращения: от 0,3 до 250 об/мин Диапазон «крутящего момента» (измеряемых моментов силы сопротивления): от 0,05 до 10 мН•м Диапазон измерения температуры (встроенным датчиком): от 0 до +120 °С Пределы допускаемых значений относительной погрешности измерения вязкости с системой ASTM: ±10% Пределы допускаемых значений абсолютной погрешности при измерении температуры: ±0,5 °С | Вискозиметр ротационный Lamy Rheology First RM предназначен для измерения динамической вязкости и реологических характеристик жидкостей и пастообразных смесей в условиях лаборатории. Вискозиметр может применяться в пищевой, фармацевтической, косметической, химической, нефтехимической и других отраслях промышленности. | |||
15 | Измеритель поверхностного сопротивления JANDEL, RMS-EL-Z | вырабатываемое напряжение от 0.01 мВ до1250 мВ вырабатываемый постоянный ток от 10 нА до 99 мА диапазон измерения поверхностного сопротивления от 1 мОм/площадь до 500 Мом/площадь диапазон измерения удельного объемного сопротивления от 1 мОм*см до 1Мом*см точность измерений - 0.3% наличие встроенной памяти - 50 показаний 4-х зондовая цилиндрическая головка измерения с интервалом между иглами 0.5 мм рабочий столик для работы с образцами диаметром до 150 мм и габаритами Д не более 355 мм, Ш не более 215мм, В не более 195 мм | Система разработана для измерения сопротивления полупроводниковых пластин, слитков и напыленных пленок на различные подложки по технологии четырех точек с помощью специальной головки компании Jandel. | |||
16 | Профилометр NANOVEA PS50 | минимальное толщина при измерении прозрачных материалов – 7мкм. чувствительность перпендикулярно к поверхности – 5 нм; разрешение перпендикулярно к поверхности – 20 нм; диаметр светового пятна – 2 мкм; разрешение по плоскости – 1 мкм. | 3D бесконтактный профилометр для проведения измерения с нанометровым разрешением структуры поверхности, быстрых трёхмерных метрологических измерений, а также точного распределения толщин. |
Приложение
Форма представления информации о запланированных информационно-коммуникационных мероприятиях субъекта инновационной инфраструктуры.
Порядковый номер мероприятия | Наименование мероприятия | Краткая информация о мероприятии | Время проведения мероприятия (дата начала – дата окончания) | Место проведения мероприятия | Информация о контактных лицах – организаторах мероприятия (ФИО, телефон, факс, адрес электронной почты, сайт, посвященный мероприятию) |
1 | VIII Всероссийская научно-практическая конференция «Принципы и механизмы формирования национальной инновационной системы» | Секция «Тонкопленочные технологии и солнечная энергетика». Ведущие секции – , профессор Университета «Дубна», – генеральный директор | 28-29 сентября 2017 года | Московская область, ,ОЭЗ «Дубна» | , +7(49621)66060 IP 2194, *****@***ru www. dubna-oez. ru |
2 | Cтуденческая научно-техническая школа "Кадры будущего" | Целенаправленный и системный поиск молодых талантливых специалистов, выпускников ВУЗов Российской Федерации и стран СНГ, соотечественников за рубежом и иностранных специалистов с целью привлечения их в наукоград Дубна для работы в компаниях – резидентах особой экономической зоны «Дубна» и на предприятиях научно-производственного комплекса города; | 02-09 июля 2017 г. | Московская область, Университет Дубна Московская область, ,ОЭЗ «Дубна» | vdubnu. *****@***com www. vdubnu. ru /dubnafuture |
n |
