Тестовый материал по физике (стр. 4 )

А)Q, 2 n        Б)2 q, 2 n        В)–q, 2 n        Г)2 q, 4 n        Д)–q,3 n

55. Разность потенциалов между пластинами конденсатора уменьшили в 2 раза. Как изменится энергия электростатического поля конденсатора:

А) увеличится в 2 раза;

Б) уменьшится в 2 раза;

В) увеличится в 4 раза;

Г) уменьшится в 4 раза;

Д) не изменится.

56. В плоский конденсатор емкостью С внесли металлическую пластину толщиной d/4, где d – расстояние между пластинами конденсатора. Плоскость пластины параллельна обкладкам конденсатора. Приращение емкости конденсатора:

А)С/3                Б)–С/3                В)–С/4                Г)С/4                Д)С/2

56. В схеме (рис.) емкости конденсаторов одинаковы, разность потенциалов ϕa-ϕb=V, V=18 В. Разность потенциалов  ϕm - ϕn равна:

А)9 В                Б)12 В                В)15 В                Г)6 В                Д)3 В

57. На одной из пластин плоского конденсатора емкостью С распределен заряд q1=Q, на другой – заряд q2=4 Q. Величина разности потенциалов между пластинами конденсатора ϕ2-ϕ1:

А)3Q/C                Б)Q/3C                В)2Q/3C        Г)Q/C                Д)3Q/2C

58. В схеме (рис.) емкости конденсаторов одинаковы, сопротивления резисторов R1=4 Ом, R2=6 Ом, разность потенциалов ϕa-ϕb=V, V=30 В. Разность потенциалов ϕm - ϕn равна:

А)2 В                Б)14 В                В)16 В                Г)12 В                Д)18 В

Постоянный электрический ток

59. Два проводника, изготовленные из одного материала, равной длины, но разного сечения (S1>S2), включены последовательно в цепь. Напряженность электрического поля …

А) одинакова в обоих проводниках

Б) больше в проводнике с сечением S1

В) больше в проводнике с сечением S2

Г) в проводнике с сечением S2 может быть как больше, так и меньше

60. В схеме (рис) обозначены численные значения сопротивлений резисторов в СИ. Общее сопротивление схемы

А) 12 Ом        Б) 15 Ом        В) 18 Ом        Г) 24 Ом        Д) 6 Ом

Рисунок

61. В схеме рис. сопротивления резисторов =400 Ом, Общее сопротивление схемы между точками a и b:        

А) 100 Ом                Б) 10 Ом                В) 5 Ом                Г) 25 Ом                Д)20 Ом

62. В схеме на рис. сопротивления резисторов R1 = 5 Ом, R2 =20 Ом, R3 = Ом, R4 =6 Ом. Общее сопротивление схемы:

А) 10 Ом        Б) 20 Ом        В) 5 Ом        Г) 4 Ом        Д) 1 Ом

63. На схеме на рис. сопротивления резисторов R1= 8 Ом, R2=12 Ом, R3= 10 Ом, разность потенциалов ϕa-ϕb=V, V=60 B. Разность потенциалов между точками m и n :

А) 16 В        Б) 60 В        В) 20 В        Г) 36 В                Д) 24 В

64. На схеме (рис.) сопротивления резисторов R1= 8 Ом, R2=12 Ом, разность потенциалов  ϕa-ϕb=V, V=60 B. Разность потенциалов ϕn-ϕm равна:

А)16 В  Б)60 В  В)20 В  Г)36 В  Д)24 В

65. В схеме на рис. сопротивления резисторов R1=8 Ом, R3=10 Ом, разность потенциалов ϕa-ϕb=V, V=60 B. Разность потенциалов между точками m и n:

А)16 В  Б)60 В  В)20 В  Г)36 В  Д)24 В

68. В схеме (рис.) сопротивления резисторов R1=R2=R3=R, R=3 Ом. ЭДС батарей ɛ1=, внутренние сопротивления r1=r2=r, r= 1Ом. Сила тока I2 через резистор R2:

А)2 А                Б)0,6 А        В)3 А                Г)1, 2 А        Д)0,9 А

69. На схеме (рис.) емкости всех конденсаторов одинаковы и равны С. Эквивалентная емкость схемы между точками a и b:

А)6С                Б)2С                В)3С                Г)С                Д)5/3С

70. В схеме (рис.) сопротивления резисторов R1=R2=R3=R, R=10 Ом, ЭДС батареи ɛ=30 В, внутреннее сопротивление R = 5 Ом. Сопротивление амперметра равно нулю. Показание амперметра:

А)0,25 А                Б)0,5 А                В)0,75 А         Г)1 А                Д)1, 25 А

Магнитное поле тока

71. На рис изображены две силовые линии магнитного поля длинного проводника с током, расположенного перпендикулярно плоскости рисунка. В одной из точек А, Б, В, Г, Д вектор индукции магнитного поля направлен вправо и имеет наименьшую величину:

А) А                Б) Б                В) В                Г) Г                Д) Д

77. На рис. изображен тонкий металлический лист в плоскости у=0, по которому протекает ток постоянной плотности в положительном направлении оси х. Лист находится в постоянном однородном магнитном поле индукцией =(0, 0, ). В результате суперпозиции магнитных полей в области у>0 индукция поля =(0, 0, ), а в области у<0 индукция равна =(0, 0, ), где . Укажите правильное утверждение:

=

77. В однородном магнитном поле на горизонтальный проводник с током направленным вправо, действует сила Ампера, направленная перпендикулярно плоскости рисунка от наблюдателя. При этом линии магнитной индукции направлены…

А) вниз

Б) вправо

В) вверх.

Г) влево

78. Протон и б – частица ускоряются из состояния покоя в электрическом поле и, попадая в однородное магнитное поле, движутся по окружностям. Протон движется по окружности радиусом R, б – частица движется по окружности радиусом:

А) 2R                Б)                В) R/2                Г) 2        Д) 4R

79. Явление гистерезиса, то есть запаздывания измерения вектора индукции магнитного поля в веществе от изменения напряженности внешнего магнитного поля, имеет место в…

А) любых магнетиках

Б) диамагнетиках

В)ферромагнетиках

Г) парамагнетиках