| ПАСПОРТ |
1. Полное наименование проекта: МИКРОЧИПОВЫЙ ЛАЗЕР С ГРАДИЕНТНЫМ АКТИВНЫМ ЭЛЕМЕНТОМ И МОДУЛЯМИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЧАСТОТЫ | |
2. Краткое описание (аннотация) проекта Данная разработка призвана поддержать сразу несколько основных современных тенденций развития твердотельных лазеров с диодной накачкой. Наибольшую практическую значимость имеют исследования методов повышения эффективности генерации, снижения стоимости производства и компактификации используемых деталей и элементов. Другой важной и актуальной задачей является создание универсальных лазерных систем, способных менять рабочий диапазон и режим генерации без глубоких изменений в конструкции. На сегодняшний день технические проекты, соответствующие указанным требованиям, реализованы в малых количествах экземпляров, т. к. обычно содержат компоненты, которые сложны для серийного производства. Для решения этих задач в данном проекте предлагается применение нового типа миниатюрных лазерных кристаллов, имеющих заданный профиль распределения редкоземельных ионов, а также модульный подход к выбору внутрирезонаторных элементов, определяющих характеристики выходного излучения. В качестве активного элемента предполагается использовать кристалл алюмоиттриевого граната с градиентным профилем легирования иттербием (Yb3+:YAG, Nd3+:YAG, Er3+:YAG). Для достижения генерации на длинах волн, соответствующих ближнему УФ, видимому, ближнему и среднему ИК-диапазонам будут применяться модули, содержащие PPLN на кристаллах ниобата лития с необходимыми параметрами. Предлагаемая лазерная система рассматривается как эффективная замена широкому ассортименту современных компактных твердотельных лазеров, работающих в диапазоне от среднего ИК до ближнего УФ. Помимо градиентных лазерных кристаллов в данном проекте не предполагается использование нестандартных элементов и материалов, поэтому внедрение в серийное производство теоретически осуществимо в короткие сроки. Инновационность идеи заключается в том, что градиентные активные элементы впервые будут использоваться в микрочиповых лазерах с целью повышения квантовой эффективности генерации | |
3. Продукт(ы) | Генерационные блоки микрочиповых лазеров с градиентными активными элементами и сменными модулями нелинейного преобразования частоты. Коды |
4. Уровень зрелости | – НИОКР; – модернизация технологии производства |
5. Финансировались ли работы заявителя по данному направлению ранее | ФЦП, СТАРТ, УМНИК |
6. Какие предприятия могут быть заинтересованы в результатах проекта | Предлагаемый продукт может рассматриваться как отдельный мультимедийный продукт, так и как компонент сложных лазерных систем, использующихся в области телекоммуникаций, медицине и косметологии. На Российском рынке могут быть заинтересованы приборы», , . |
7. Патентная защита | – имеется правовая защита – имеется патент - имеются свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ |
8. Проводилась ли ранее экспертиза проекта | Да. |
9. Предполагаемое место реализации проекта | |
10. Срок реализации | – длительность инвестиционной стадии (мес) 12-24 месяцев; – срок возврата инвестиций – от даты начала проекта (мес) – 24-36 |
11. Полная стоимость (бюджет) проекта, (руб.) | 2 млн руб. |
12. Наличие соинвестора | Нет |
13. Основные соинвесторы проекта и объем (руб.) их участия | Нет |
14. Прогнозируемые риски проекта | Не традиционная для Краснодарского края область инвестиций и, как следствие, отсутствие предприятий с достаточными промышленными мощностями, способных запустить экспериментальное производство. Таким образом, единственный вариант – это запуск производства в малом бизнесе высокотехнологического сектора. Поэтому сроки возврата инвестиций могут быть увеличины. |
15. Уровень | – продольные размеры используемых лазерных кристаллов не будут превышать нескольких миллиметров, что позволяет получать большое количество активных элементов из одной заготовки, ускоряя и снижая себестоимость производства активных элементов; - итоговая стоимость сменно-модульной схемы установки нелинейных преобразователей окажется ниже, чем суммарная стоимость цельных лазерных систем, заменяемых каждым из модулей; - в число преимуществ PPLN на LiNbO3 - преобразователей входят относительно невысокая цена, широкая полоса прозрачности (330-5500 нм) и рабочий диапазон температур, масштабируемость, что обеспечивает высокую эффективность нелинейных процессов. |
16. Сведения | ФГБОУ ВПО «Кубанский государственный университет» Адрес: 350040, 49 Авторы: – к. ф.-м. н., доцент – к. ф.-м. н, доцент – лаборант НИЧ, студент - лаборант НИЧ, студент - лаборант НИЧ, студент - лаборант НИЧ, студент Контактная информация: 350040, , физико-технический факультет. кафедра оптоэлектроники, тел./, e-mail: *****@***kubsu. ru |
Микрочиповый лазер с градиентным активным элементом и модулями преобразования частоты
НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?



