Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого»

Институт электронных и информационных систем

Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Реферат по  учебной дисциплине

«Физические основы электроники»

по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника

Доцент кафедры ФТТМ

___________

«____»____________20  г.

Студент группы _______

___________

«____»____________20  г.

Содержание

Введение        3

1 Параметры полупроводниковых диодов        4

1.1 Полупроводниковый диод        4

1.1.1 Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов        4

1.1.2 Конструкция полупроводниковых диодов        4

...

Заключение..........................................................................................................

Список использованных источников................................................................

ольт-амперная характеристика полупроводникового диода....................................................................................................................

Введение


Электроника - это область науки и техники, охватывающая исследования, разработку и применение электронных приборов. Микроэлектроника - это раздел электроники, охватывающий исследования, разработку и применение качественно новых электронных приборов - интегральных микросхем.  Физические законы, лежащие в основе принципов создания дискретных и интегральных приборов, одинаковы, поэтому их изучение в лабораторных условиях ведется совместно.

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

Данный реферат посвящен изучению статических характеристик полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов.

1 Параметры полупроводниковых диодов


1.1 Полупроводниковый диод


1.1.1 Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов

Полупроводни­ковым диодом называется устройство, состоящее из кристалла полупроводника, содержа­щее обычно один p-n переход и имеющее два вывода. Классификация диодов производится по следующим признакам.

а) По конструкции:

– плоскостные диоды;

– точечные диоды;

– микросплавные диоды.

б) По мощности:

– маломощные;

– средней мощности;

– мощные.

в) По частоте:

– низкочастотные;

– высокочастотные;

– СВЧ.

г) По функциональному назначению:

– выпрямительные диоды;

– импульсные диоды;

– стабилитроны;

– варикапы;

– светодиоды;

– туннельные диоды и так далее.

1.1.2 Конструкция полупроводниковых диодов

Основой плоскостных и точечных диодов яв­ляется кристалл полупроводника n-типа проводимости, который называется базой транзистора. База припаивается к металлической пластинке, которая называется кристаллодержателем. Для плоскостного диода на базу накладывается материал акцепторной примеси и в вакуумной печи при высокой температуре (порядка 500 °С) происходит диффузия акцеп­торной примеси в базу диода, в результате чего образуется область p-типа проводимости и p-n переход большой плоскости (отсюда название).

Вывод от p-области называется анодом, а вывод от n-области – катодом (рисунок 1).

Рисунок 1 – Схематичное изображение плоскостного диода

Большая плоскость p-n перехода плоскостных диодов позволяет им работать при больших прямых токах, но за счёт большой барьерной ёмкости они будут низкочастотными.

...

Прямое и обратное статическое сопротивление диода при заданных прямом и обратном напряжениях вычисляется по формулам:

  (1.1)

...

Значения коэффициента приведены в таблице 1.1.

Таблица 1.1 – Значения коэффициента в зависимости от количества наблюдений n

n

n

n

1

1,253

10

1,025

19

1,013

2

1,128

11

1,023

20

1,012

3

1,085

12

1,021

25

1,010

...

Заключение

В ходе подготовки к данному реферату были собраны теоретические сведения об основных полупроводниковых приборах и изучены методические рекомендации по выполнению измерений их статических параметров и характеристик.

...

Список использованных источников

1        Антипов электронной техники: Задачи и вопросы: учеб. для студентов вузов. – 3-е изд., стер. – СПб.; М.; Краснодар: Лань, 2003. – 206 с.

2        Епифанов твердого тела: учеб. пособие / . – 3-e изд., испр. – СПб.; М.; Краснодар: Лань, 2010. – 287 c.

3        Пасынков приборы: учеб. пособие для вузов. – 8-е изд., испр. – СПб.: Лань, 2006 (2003, 2002, 2001). – 478с.

4        Старосельский полупроводниковых приборов микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / . – М.: Юрайт, 2011. – 463 c.

Приложение А

(обязательное)

Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода

1 – ВАХ полупроводникового диода