2. ОБОСНОВАНИЕ МЕТОДА РАСЧЕТА
Для применимости формулы (1) необходимо, чтобы
, где
характерное значение квазиимпульса электрона,
его эффективная масса. Для случайных потенциалов, спадающих с расстоянием быстрее, чем кулоновский, классический угол рассеяния убывает с ростом
быстрее, чем
. Поэтому всегда найдется прицельный параметр
, для которого
. Следовательно, поправки к транспортному сечению рассеяния для прицельных параметров рассеяния, больших
, нуж - но рассчитывать методами квантовой теории рассеяния, а не формулой (1). Оценим температуру перехода к квантовому расчету
. Основной вклад в интеграл (1) дает окрестность точки
и для «случайных» потенциалов
(
), по порядку величины, этот интеграл равен
, где
, (
«боровский радиус» мелкой примеси, порядка десятков анг - стрем);
.
Следовательно
, откуда имеем оценку
. Оценим величину возмущающего потенциала:
; (
cм,
эВ,
).
В итоге, для температуры перехода к квантовому расчету, получаем оценку
K, которая довольна близка к критическому значению
K, при которой
[2, с. 361-362].
Таким образом, при температурах
, формула (1) не применима.
Из оценок следует, что формула (1) наиболее приспособлена для водородо - подобной примеси, сохраняющей черты центрально-симметричного поля.
Становится понятным тот факт, что для описания сечения рассеяния но - сителей на глубоких примесях, метод Конуэлл-Вайскопфа, вообще говоря, малоэффективен. Как уже отмечалось, данный метод, сохраняет лишь кулоно - вскую структуру центрально-симметричного поля иона примеси, что позво - ляет эффективно воспользоваться интегралами движения, для расчета поп - равок к транспортному сечению рассеяния электронов на ионах примеси [9].
3. МЕТОДИКА РАСЧЕТА
Для описания кинетических эффектов в полупроводниках транспорт - ное сечение имеет более важное значение, чем полное сечение рассеяния. Это понятно, если учесть, что
взвешивает процессы рассеяния, на разные уг - лы. Как следует из формулы
, малые углы рассеяния не
вносят заметного вклада в транспортное сечение, и могут быть учтены лишь в качестве поправок к основному сечению. Обычно, такие поправки малы, и в ряде случаев ими пренебрегают [7], [8]. Они, однако, становятся ощутимы - ми, если учесть то обстоятельство, что пространственно коррелированные за - ряженные примеси (в пределе заряженные дислокации), рассеивают электро - ны слабее, чем разупорядоченные заряженные центры [4], [11].
Зная структуру потенциала взаимодействия в области
, предста - вим транспортное сечение
в перенормированном виде

; (
). (2)
Варьируя
в качестве функционала от
, получим

;
(3)
где
определяется формулой (1). Для конкретизации расчета
требует - ся задать «случайное» поле
; допустим что
(такой потен - циал, характерен, например, для взаимодействия электрона с двухатомными полярными молекулами примеси (типа
), которые всегда присутствуют в полупроводниках [12]). Простая оценка дает
. Расчет с исполь - зованием интегралов движения приводит к формуле (для определенности, мы приняли, что
)
;
эрг·см,
эрг·см 2. (4)
Подставляя (4) в (3), приходим к формуле
. (5)
Интеграл (5) выражается через элементарные функции (см. приложение).
Поскольку минимальный угол отклонения определяется из условия
[2, стр. 359], то соотношение (5) можно представить так
. (6)
Так как
, то выражение (6) можно предста - вить также в виде (
)
; (
). (7)
Для неполярных молекул (типа
), внедренных в междоузлия атомов матрицы, в качестве примесей замещения [12], поправку к
следует учесть в квадрупольном приближении:
.Ориентировочно
. Соответствующий расчет на основе формулы (1) приводит в этом слу - чае к выражению (напомним, что
)
;
эрг·см 3. (8)
Подставляя (8) в общую формулу (3), получаем
. (9)
При очень низких температурах (
K), пролетающий на малых рас - стояниях (
,
см) электрон, может индуцировать дипольный момент атома примеси:
.Соответственно энергия взаимодействия ди - польного момента с электроном при расстояниях
равна
. Вопрос заключается лишь в том, можно ли такой потенциал, рассматривать в качестве поправки, к кулоновскому потенциалу? Простая оценка показывает, что
(для мелкой примеси;
K).
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 |


