CИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА
ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 9001-2001
КТ3189А9-B9 | NPN КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО – ПЛАНАРНЫЙ СОСТАВНОЙ |
ТРАНЗИСТОР |
АДБК.432150.531ТУ
ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В УСИЛИТЕЛЯХ,
ГЕНЕРАТОРАХ, ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ ЧАСТОТЫ.
* Заpубежные аналоги BC847
- Изготавливается в корпусе КТ-46А (Sot-23).
ПРЕДЕЛЬНО - ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ
Параметры | Обозна-чение | Единица измер. | Значение |
Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 50 |
Напpяжение коллектоp-эмиттеp | Uкэ max | В | 45 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 6 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | mА | 100 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | Вт | 0,225 |
Температура перехода | Тj | °С | 150 |
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр. ср.=25°C )
Паpаметpы | Обозна-чение | Ед. измеp | Режимы измеpения | Min | Max |
Обратный ток коллектора | Iкбо | мкА | Uкб=30В Uкб=50В | - - | 0,015 100 |
Обратный ток эмиттера | Iэбо | мкА | Uкб=6В | - | 100 |
Статический коэффициент передачи тока КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9 | h21э | Uкэ=5B, Iк=2мA | 110 200 420 | 220 450 800 | |
Емкость коллекторного перехода | Ск | пФ | Uкб=10В, f=1МГц | - | 6 |
Напряжение насыщения база - эмиттер | Uбэ нас | В | Iк=100мA, Iб=5мA | - | 1,1 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=100мA, Iб=5мA | - | 0,8 |
220108 г. Минск ул. УП "Завод Транзистор"
Отдел маркетинга: тел./
http:// E-mail: *****@***
