Техническая спецификация закупаемых Товаров


№ п/п

Наименование Товара

Характеристика

1

Транзистор КТ934A

Транзистор КТ934A. Полярность: NPN, Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7.5 W, Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V, Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V, Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A, , Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C, Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz, Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5, Тип корпуса КТ17.

2

Транзистор КТ934Б

Транзистор КТ934Б. Полярность: NPN, Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W, Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V, Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V, Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A, , Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C, Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz, Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5, Тип корпуса КТ17.

3

Транзистор КТ970А

Транзистор КТ970А. Структура транзистора: n-p-n; Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 170 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц; Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм); Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В, Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 13 А;  Ку. р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ;  Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 400 МГц; Тип корпуса КТ-56.

4

Транзистор КТ971А

Структура транзистора: n-p-n; Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 200 Вт;  fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 220 МГц;  Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм); Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 17 А; Ку. р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;  Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 175 МГц; Тип корпуса: КТ-56.

5

Транзистор КТ983А

Транзистор КТ983А. Структура транзистора: n-p-n;  Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8,7 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1200 МГц; Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,01кОм);  Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;  h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; Ку. р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,5 Вт на частоте 860 МГц, Тип корпуса: КТ-17

6

Транзистор BU 508 AF

Транзистор BU 508 AF. npn, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В -1500, Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В - 700, Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) - 5, Статический коэффициент передачи тока h21э мин - 6 , Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц - 4, Максимальная рассеиваемая мощность, Вт - 125, Корпус - sot199

7

Транзистор IRF 7105

Транзистор IRF 7105. MOSFET, Полярность: NP, Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2, Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25, Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20, Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5,  Тип корпуса: SO8

8

Транзистор IRFP 360

Транзистор IRFP 360. Тип транзистора: MOSFET, Полярность: N, Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W, Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V, Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V, Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 23 A, Максимальная температура канала (Tj): 150 °C, Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm, Тип корпуса: TO3

9

Транзистор IRFP 460

Транзистор IRFP 460. Тип транзистора: MOSFET Полярность: N, Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W, Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V, Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V, Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A, Максимальная температура канала (Tj): 150 °C, Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm, Тип корпуса: TO3P

10

Транзистор КТ 819 Г

Транзистор КТ 819 Г. Структура n-p-n, Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В, Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В, Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(15000) Ма, Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1.5(60) Вт, Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 12-225, Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220)

11

Транзистор КТ 973 А

Транзистор КТ 973 А. Структура транзистора: p-n-p;  Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт;  fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм); Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;  Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А, Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).

12

Транзистор КТ930А

Транзистор КТ930А. Структура транзистора: n-p-n; Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 450 МГц;  Iк max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А; h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40; Ку. р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5 дБ; Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц; Тип корпуса: КТ-32.

13

Транзистор КТ930Б

Транзистор КТ930Б. Структура транзистора: n-p-n; Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт; fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 450 МГц;  Iк max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50; Ку. р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5 дБ; Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц; Тип корпуса: КТ-32.

14

Кулер F90T12MS1Z7-64A01B3, DC12V, 0.20A

Кулер F90T12MS1Z7-64A01B3, DC12V, 0.20A.

15

Микросхема 7815

Микросхема 7815. Мин. входное напряжение, В - 17,  Макс. входное напряжение, В - 35, Выходное напряжение, В (фикс. выход) -15. Полярность включения - положительная, Номин. выходной ток, А - 1.5, Корпус - TO220

16

Микросхема 7805 СТ

Микросхема 7805 СТ. Мин. входное напряжение, В - 7,5,  Макс. входное напряжение, В - 35, Выходное напряжение, В (фикс. выход) -5. Полярность включения - положительная, Номин. выходной ток, А - 1, Корпус - TO220

17

Микросхема 7812 СТ

Микросхема 7812 СТ. Мин. входное напряжение, В - 14,8,  Макс. входное напряжение, В - 35, Выходное напряжение, В (фикс. выход) -12. Полярность включения - положительная, Номин. выходной ток, А - 1, Корпус - TO220

18

Микросхема 7912 CT

Микросхема 7912 CT. Мин. входное напряжение, В - (-14,8),  Макс. входное напряжение, В - (- 35), Выходное напряжение, В (фикс. выход) - ( -12). Полярность включения - отрицательная, Номин. выходной ток, А - 1, Корпус - TO220

19

Микросхема ERA-5

Микросхема ERA-5. Широкополосный кремниевый усилитель, корпус пластиковый, тип: VV105

20

Микросхема HELA 10

Микросхема HELA 10. Сверхвысокочастотный широкополосный  50 МГц - 1000 МГц усилитель средней мощности. Корпус  CASE STYLE: CM624.

21

Микросхема LM 7824

Микросхема LM 7824. Линейный стабилизатор напряжения 7824,Напряжение стабилизации: 24в, Максимальный ток нагрузки: 1.5а, Максимальное входное напряжение : 40в, Корпус - TO220

22

Микросхема MAX 411

Микросхема MAX 411. Входной ток = 50 мА ; Спектральная плотность входного шумового тока = 0,01 Гц^1/2; Напряжение смещения: LF411 = 0,5 мВ (max), Температурный дрейф напряжения смещения = 10 мкВ/C ; Ток потребления по одному каналу = 1,8 мА; Произведение коэффициента усиления на полосу частот = 3 МГц (min) ; Внутренняя частотная коррекция ; Скорость нарастания выходного напряжения = 10 В/мкс ; Входное сопротивление = 10^12 Ом, Корпус  SOP-8.

23

Микросхема MAX 5722

Микросхема MAX 5722. ЦАП, Корпус – uMAX8, Тmin,°C – (-40), Тмакс,°C – ( +85), Интерфейс обмена данными –Serial, SPI, Тип выхода – Voltage Разрешение, бит -12, Количество каналов -2.

24

Микросхема MMB 3771

Микросхема MMB 3771.

25

Резистор 50ом 250вт баластный

Резистор 50ом 250вт баластный. Сопротивление 50 Ом +-5%, Рабочая частота  0-1  ГГц, ,Мощность 250 Вт, Корпус SMD

26

Резистор 75ом 250вт баластный

Резистор 75ом 250вт баластный. Сопротивление 75 Ом +-5%, Рабочая частота  0-1  ГГц, ,Мощность 250 Вт, Корпус SMD

27

Резистор 75ом 25вт баластный

Резистор 75ом 25вт баластный. Сопротивление 50 Ом +-5%, Рабочая частота  0-1 ГГц,, Мощность 25 Вт, Корпус SMD

28

Симистор ВТА 16-600

Симистор ВТА 16-600. Максимальное обратное напряжение Uобр.,В – 600, Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс. повт. макс.,В -  600, Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос. ср. макс.,А – 16, Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр. макс.,А -  168, Макс. напр. в открытом состоянии Uос. макс.,В  - 1.5, Рабочая температура, С  -  -40…125, Корпус  to220ab

29

Транзистор MRF9045

Транзистор MRF9045. Высокочастотный  МОП-транзистор с высоким коэффициентом усиления..  Предназначен для широкополосных коммерческих и промышленных устройств с частотами  до  1ГГц. Корпус CASE 1337-03, STYLE 1 TO-272 DUAL LEADPLASTIC  MRF9045MBR1

30

Транзистор BU 2508 AX

Транзистор BU 2508 AX. NPN, Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W, Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V, Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V, Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V. Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A. Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C. Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf. Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7. Корпус транзистора: SOT199

Поставщик обязуется обеспечить срок поставки Товаров в течении 45 (сорока пяти) календарный дней со дня подписания Договора.