Вариант 3

Задача 1. Определить напряжение на каждом сопротивлении электрической цепи, ЭДС источника и электрическую энергию, потребляемою цепью за 5 часов работы, если известно: R1 = 4 Oм, R2 = 6 Oм, R3 = 4 Oм, R4 = 3 Oм, R5 = 3 Oм, R6 = 1 Oм, R7 = 2 Oм, R0 = 0,4 Oм. Через сопротивление R2 проходит ток 0,5 А. Составить баланс мощностей.

Дано:

R1 = 4 Oм

R2 = 6 Oм

R3 = 4 Oм

R4 = 3 Ом

R5 = 3 Oм

R6 = 1 Oм

R7 = 2 Oм

R0 = 0,4 Oм

I2 = 0,5 A

t = 5 час =18 000 c

Найти: U1, U2, U3,U4,U5,U6,U7, Е, А.

Решение:

1. Составляем систему уравнений цепи по методу непосредственного применения законов Кирхгофа.

Решим полученную систему уравнений методом Гаусса:

Подставим в систему уравнений исходные данные и проведем преобразования:

Определяем напряжение на каждом сопротивлении электрической цепи по формулам:

ЭДС источника равна Е = 6,8 В.

Определяем электрическую энергию, потребляемою цепью за 5 часов по формуле:

       Составляем баланс мощностей:

9+1,5+1+1/3+1/6+1,6=13,6 => 13,6 = 13,6

Баланс верен.

Ответ: U1=6В; U2=3В; U3 = 2В; U4= 1В; U5= 0,5В; U6 = 1/6 В; U7=1/3 В

  Е=6,8 В; А =244,8 кДж

Задача 2. Виток круглого сечения с диаметром d= 8 см помещен в однородное магнитное поле перпендикулярно линиям этого поля. При линейном изменении магнитной индукции на ДВ = 1,2 Тл наведенная в витке ЭДС Е= 24 мВ. Определить время изменения потока.

Дано:

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

d = 8 cм

ДB = 1,2 Tл

Е = 24 мВ

Найти: Дt.

Решение:

1. Приведем единицы измерений значений исходных данных к единицам СИ:

d = 8 cм = 0,08 м; Е=24 мВ =0,024 В.

2. В соответствии с законом Фарадея о электромагнитной индукции можно записать

3. Определяем изменение магнитного потока с учетом условий задачи

где S - площадь поверхности, ограниченной витком.

Тогда

4. Определяем время изменения потока (будем считать, что изменение потока отрицательное):

5.  Подставим значения исходных данных

Ответ: Дt =0,2512 c

Задача 3. В цепь переменного тока включены последовательно активное сопротивление 50 Ом, катушка с индуктивностью 127,4 мГн и конденсатор с емкостью 160 мкФ. К цепи приложено напряжение 120В, частота 100 Гц. Определить: ток в цепи; активную, реактивную и полную мощности; частоту, при которой наступает резонанс. Построить векторную диаграмму. Записать выражения для мгновенных значений тока в цепи и напряжений на входе цепи, активном, индуктивном и емкостном сопротивлениях, если начальная фаза тока  шi = р/6.

Дано:

R1 = 50 Oм

L1 = 127,4 мГн

С1 = 160 мкФ

f = 100 Гц

U =120В

шi = р/6

Найти: I, Р, Q, S, fрез

Решение:

       1. Определяем значение угловой частоты:

2. Определяем полное сопротивление цепи:

индуктивное сопротивление:

       емкостное сопротивление:

реактивное сопротивление цепи

полное сопротивление цепи:

Запишем комплексное полное сопротивление цепи в показательной форме. Его модуль вычисляем по формуле

Угол сдвига фазы

Тогда

3. Определяем ток в цепи

в показательной форме

4. Определяем мощности

полная мощность

Подставим полученные значения и определим:

  значение активной мощности

  значение реактивной мощности

  значение полной мощности

5. Определяем частоту, при которой в цепи наступает резонанс.

Условие возникновения резонанса:

Из условия возникновения резонанса получаем

Тогда

6. Построим векторную диаграмму

7. Записываем выражение для мгновенных значений напряжения

на входе цепи:

на активном сопротивлении:

на индуктивном сопротивлении:

Тогда

на емкостном сопротивлении:

Тогда


Ответ:

Задача 4. Верхний предел измерений амперметра Iн=5А, число делений шкалы 150, сопротивление прибора 0,1 Ом. Определить цену деления прибора, если его включить с шунтом, сопротивление которого 0,02 Ом.

Дано:

Iн=5А

N= 150

rпр = 0,1 Ом

rш = 0,02 Ом

Найти: цену деления прибора С

Решение:

1. Определим номинальное напряжение на сопротивлении прибора

2. Определим общее сопротивление при подключении шунта

Тогда

3. Определим предельное значение тока измеряемое амперметром при установке шунта.

4. Определяем цену деления прибора для нового диапазона измерения

Ответ: цена деления прибора при установке шунта стала 0,2 А.

Задача 5.  Трехфазный двигатель, соединенный "звездой", подключенный к сети с линейным напряжением 380В, потребляет мощность 10 кВт при коэффициенте мощности 0,8. Определить ток двигателя. Построить векторную диаграмму токов и напряжений.

Дано:

Трехфазный двигатель, соединенный "звездой"

Uлин = 380В

P = 10 кВт

cosц= 0,8

Найти: Iдв

Решение:

1. Определяем потребляемый двигателем ток

2. Векторная диаграмма токов и напряжения

Ответ: Iдв = 19А

Задача 6. Объясните образование электронно-дырочного (p-n) перехода полупроводников, его свойства и вольт-амперную характеристику.

Электронно-дырочным переходом (р-n переходом) называется граница соприкосновения двух полупроводников, имеющих различные типы проводимостей: один - электронную, другой - дырочную.

Электронная проводимость полупроводника возникает при добавлении к чистому полупроводнику примесей вещества, имеющих на внешнем электронном слое своих атомов электронов больше, чем у чистого полупроводника. Например, примеси фосфора (Р) или мышьяка (As) (элементы V группы таблицы Менделеева) для чистых полупроводников кремния (Si) или германия (Ge) (элементы IV группы таблицы Менделеева). Такие примеси называют донорными, так как они повышают в полупроводниках  концентрацию электронов.

Дырочная проводимость полупроводника возникает при добавлении к чистому полупроводнику примесей вещества, имеющих на внешнем электронном слое своих атомов электронов меньше, чем у чистого полупроводника. Например, примеси индия (In) или галлия (Ga) (элементы III группы таблицы Менделеева). Такие примеси называют акцепторными, так как они понижают в полупроводниках  "концентрацию" электронов. "Вакансии" электронов на внешнем электронном слое атомов называют дырками.

Практически р-n переход осуществляется внесением донорных и акцепторных примесей в разные части чистого полупроводника.

       При соприкосновении друг с другом двух полупроводников с р - и n - типом электропроводности начинается переход (диффузия) электронов из n - области, где их много, в р - область, где их мало, и перемещение дырок в обратном направлении. Так как дырки и электроны являются заряженными частицами, то вследствие их диффузии появится контактная разность потенциалов между р - и n - областями. Создается запирающий слой, поле которого препятствует дальнейшему диффузионному переносу носителей заряда.

       Если к данной системе двух полупроводников приложить внешнее электрическое поле, напряженность которого будет совпадать по направлению с полем запирающего слоя, то область запирающего слоя будет расширяться. Система полупроводников будет вести как диэлектрик. В этом случае электрический ток через р-n переход практически не проходит.

       При изменении направления внешнего электрического поля изменяется направление движения электронов и дырок на противоположное. В области р-n перехода они рекомбинируют. При этом ширина запирающего слоя и его сопротивление уменьшаются. В этом направлении электрический ток проходит сквозь р-n переход от р-полупроводника к n-полупроводнику.

       Ширина р-n перехода - десятые доли микрона.

       

Свойства р-n перехода

       1. Односторонняя проводимость.

       2. Температурные. Под действием температуры изменяется сопротивление р-n перехода, т. к. увеличивается генерация носителей заряда, что приводит к увеличению как прямого, так и обратного тока.

       3. Частотные свойства р-n перехода показывают как он работает при подаче на него переменного напряжения высокой частоты. Они зависят от двух видов емкостей перехода: барьерной емкости (емкость, обусловленная неподвижными зарядами ионов донорной и акцепторной примеси) и диффузионной емкости (емкость, обусловленная диффузией подвижных носителей заряда через  р-n переход при прямом включении)

Вольт-амперная характеристика p-n перехода