Краткие результаты исследования процесса электрического разряжения химического источника тока, после облучения его минусового и плюсового полюсов внешним структурирующим неэлектромагнитным воздействием.
Ранее были рассмотрены варианты облучения минусового полюса химического источника тока (ХИТ) деструктурирующим неэлектромагнитным воздействием (НВ). Было показано, что при этом увеличивается физическая активность носителей заряда на полюсе ХИТ подверженном такому НВ. Результатом этого является формирование эффекта притяжения носителей зарядов, характеризующихся различными степенями физической активности. Однако, существует вопрос, каким образом будет проявляться ход электрического процесса, при условии, что минусовой полюс ХИТ будет подвержен не деструктурирующему, а структурирующему неэлектромагнитному воздействию? Структурирующее НВ приводит к снижению физической активности носителей заряда, как это будет проявляться в конкретном электрическом процессе разрядки ХИТ, через некоторое активное сопротивление. Для этого была выбрана, уже ставшей классической в наших экспериментах, схема разрядки ХИТ (9 Вольт) через резистор в 1 Ком. Рисунок 1.
ВИДЕО: https://www. /watch? v=j3qOaEPdh-M&feature=youtu. be
Вертикальная ось графика соответствует напряжению на ХИТ. Горизонтальная ось представляет собой ось времени, каждое деление которой является одной секундой. На начальном этапе эксперимента наблюдается снижение напряжения на ХИТ, в соответствии с классической электродинамической схемой. Со значения 7,71 Вольта до 7,68, верхний красный участок рисунка 1. Далее, на двестисороковой секунде эксперимента, минус используемого ХИТ был подвержен структурирующему НВ. Мы наблюдаем резкое снижение напряжения на ХИТ до значения 7,58 В. Данный экспериментальный факт является проявлением структурирующего НВ снижающего физическую активность носителей заряда, принимающих участие в рассматриваемом электрическом процессе. В классической электродинамической схеме подобная картина попусту невозможна, т. к. любой дополнительны ток, протекающий по активному сопротивлению, всегда увеличивает падение напряжения на нем и, следовательно, вызывает увеличение напряжения на рассматриваемом участке электрической цепи. Снижение падения напряжения на ХИТ, находящийся в процессе разрядки, является типичным следствием снижения физических свойств носителей заряда, подверженных внешнему структурирующему НВ.
Особо необходимо подчеркнуть, что за период оказания внешнего НВ, полностью отсутствует снижение напряжения, в ходе продолжающегося процесса разрядки исследуемого ХИТ. Синий участок, рисунка 1. Это говорит о присутствии в этот момент явления самозарядки ХИТ вызванного «плюсовым током». Имеющаяся градация в величинах физических свойств носителей заряда на различных полюсах ХИТ приводит к явлению их взаимопритяжения, т. к. они могут рассматриваться как разноименно заряженные.
Особо важно, что возникновение «плюсового тока» самозарядки ХИТ не зависит от знака, оказываемого на него внешнего НВ, важен сам факт привнесения различий в физические свойства носителей заряда, на различных полюсах ХИТ, то каким образом и каким знаком НВ это будет достигнуто - не имеет особого значения.
Рисунок 1
Далее, черный участок рисунка 1 показывает дальнейший характер процесса разрядки рассматриваемого ХИТ. Видно, что он лежит выше нижней части красного участка, представляющего из себя классический электродинамический процесс. Из этого можно сделать вывод о том, что после процесса внешнего структурирующего НВ, механизм «плюсового тока» реально существует, но степень его интенсивности недостаточна, для компенсации потери электрического заряда, обусловленной существующим током разрядки через резистор. Иными словами, снижение физических свойств носителей заряда в минусе ХИТ, привнесенное структурирующим внешним НВ, является менее продуктивным действием относительно противоположного деструктурирующего НВ, приводящего, в свою очередь, к увеличению рассматриваемых физических свойств. Это главный вывод данного эксперимента!
Подобные исследования позволяют выработать наиболее предпочтительные условия для формирования процесса самоперезарядки ХИТ, внешним неэлектромагнитным воздействием, прямым следствием этого является разработка технологической схемы наиболее продуктивного использования явления реверса электрического процесса.
В описанном выше эксперименте исследовалась реакция электрического процесса разряжения ХИТ, после оказанного на его минусовой полюс структурирующего НВ. Было выяснено, что подобная схема достижения эффекта самоперезарядки ХИТ уступает в эффективности технологии передачи этому же полюсу деструктурирующего НВ. Однако, существует возможность и с помощью структурирующего воздействия добиться интенсивного эффекта перезарядки ХИТ, как прямого следствия интенсивного «плюсового тока». Речь идет о возможности оказания структурирующего внешнего НВ на плюсовой полюс ХИТ. Если приложить структурирующее НВ не к минусовому полюсу ХИТ, а к его плюсу, то ситуация кардинально изменится… Рисунок 2 является красноречивым подтверждением данного утверждения. В этом эксперименте использован аналогичный ток разрядки ХИТ, однако, если в предыдущем эксперименте тока зарядки оказалось недостаточно для обеспечения его доминирования над током разряжения, то сейчас ситуация кардинально иная.
ВИДЕО: https://www. /watch? v=fRijocjeKdM
Рисунок 2
Синий участок рисунка 1 соответствует структурирующему НВ. Как следует из данных графически представленных на этом рисунке, наблюдается длительное увеличение напряжения на ХИТ подверженном процессу разрядки. Следует сделать однозначный вывод о том, что структурирующее НВ, оказанное на плюсовой полюс ХИТ, способно вызвать интенсивный «плюсовой ток» самозарядки. Это является прямым следствием изменения физической активности носителей заряда в плюсе ХИТ. Кроме того, следует особо отметить, что внешнее структурирующее НВ оказанное на минусовой полюс ХИТ, приводит к уменьшению напряжения на источнике тока, а в случае приложения подобного воздействия к его плюсовому полюсу, вызывает увеличение напряжения питания. И, это очень важно, поскольку характеризует суть процесса.
Таким образом, наиболее технологичной схемой обеспечения тока самозарядки ХИТ, подвергаемых внешнему НВ, является одновременное формирование двух обратных по знаку НВ. Причем, основное, деструктурирующее НВ направляется на минусовой полюс ХИТ, а дополнительное, структурирующее НВ, направляется на его плюсовой полюс.
