Псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью 2D-электронов в канале (pHEMT) Курсовая работа (стр. 6 )

При Vg = -1.4B	15а	При Vg = -1.2B	15б
При Vg = -0.7B	15в	При Vg = -0.3B	15г
При Vg = 0B	15д	При Vg = 0.3B	15е

Второй вариант разработанных флеш-анимаций приведенных на рисунке 16 (а-е), показывает изменение вольтамперных характеристик HEMT транзистора при изменении напряжения на затворе от порогового напряжения (16а) до максимально возможного (16е).

При Vg = -1.4B	16а	При Vg = -1.2B	16б
При Vg = -0.7B	16в	При Vg = -0.3B	16г
При Vg = 0B	16д	При Vg = 0.3B	16е

Выводы

1. В ходе выполнения курсовой работы было найдено 50 полнотекстовых статей из научных журналов (перечислить ресурсы и название журналов) описывающих характеристики транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Поскольку основные результаты в этой области получены за последние 4-5 лет и в учебных пособиях они не отражены, я воспользовалась Internet Explorer. Всего было просмотрено свыше 50 Интернет-ресурсов, включая полнотекстовые издания.

2. Было рассчитано значение энергетических уровней в потенциальной яме, построен график зависимости уровня Ферми от концентрации электронов в потенциальной яме и показано, что эта зависимость и аппроксимальная кривая DasGupta практически совпадают, те  можно утверждать, что нелинейная модель, предложенная DasGupta, является вполне подходящей для аналитической модели pHEMTs AlGaAs/InGaAs/GaAs.

3. Созданиы flash – анимации, иллюстрирующие изменение концентрации носителей в потенциальной яме при приложении напряжения и демонстрация их ВАХ.

Список литературы:

1. Remashan K. A compact analytical I–V model of AlGaAs/InGaAs/GaAs p-HEMTs based on non-linear charge control model / K. Remashan and K. Radhakrishnan // Microelectronic Engineering, Volume 75, Issue 2, August 2004. - p. 127-241.

2. Chia-Shih Cheng. A modified Angelov model for InGaP/InGaAs enhancement - and depletion-mode pHEMTs using symbolic defined device technology / Chia-Shih Cheng, Yuan-Jui Shih,  Hsien-Chin Chiu // Solid-State Electronics, Volume 50, Issue 2, February 2006. - p. 254-258.

3. Soetedjo H. Current–voltage behavior of AlGaAs/InGaAs pHEMT structures and the effect of optical illumination / H. Soetedjo, O. Mohd Nizam, Idris Sabtu, J. Mohd Sazli, Ashaari Yusof, Y. Mohd Razman, A. F. Awang Mat //Microelectronics Journal, Volume 37, Issue 6 , June 2006. - p. 480-482.

4. Yahyazadeha R. The effects of depletion layer on negative differential conductivity in AlGaN/GaN high electron mobility transistor / R. Yahyazadeha, A. Asgarib, M. Kalafib // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Volume 33, Issue 1, June 2006 - p. 77-82.

5. Delagebeaudeuf D. Metal – (n)AlGaAs-(p)GaAs Two-Dimensional Electron Gas FET / D. Delagebeaudeuf, N. T. Linh.  //IEEE Transactions on Electron Devices ED-29, (1982). - p. 955–960.

6. DasGupta N. An analytical expression for sheet carrier concentration vs gate voltage for HEMT modeling / N. DasGupta, A. DasGupta //Solid State Electronics № 36 (1993). - p. 201–203.

7. Chen J. Optimization of gate-to-drain separation in submicron gate-length modulation doped FET’s for maximum power gain performance / J. Chen, M. Thurairaj and M. B. Das //IEEE Transactions on Electron Devices № 41 (1994). - p. 465–475.

8. P. Chao DC and microwave characteristics of sub-0.1 µ-m gate-length planar-doped pseudomorphic HEMT’s / P. Chao, M. S.Shur, R. C.Tiberio, K. H.George Duh, P. M.Smith, J. M.Ballingall, P. Ho and A. A.Jabra. // IEEE Transactions on Electron Devices № 36 (1989). -  p. 461–473.

9. вердотельные СВЧ-приборы и технологии: состояние и перспективы.// Электроника: Наука, Технология, Бизнес №5,2005 – С. 58-61.

10. Zee S. M. Physics of semiconductors devices / S. M. Zee, Kwok K. Ng.-3-rd edition. - Canada.: A John Willey and sons, inc., 2007. – p. 401-412.