4.Общий план работы
При составлении общего плана необходимо помнить, что он состоит из нескольких частей включающих: учебный процесс, научно-исследовательскую работу по теме магистерской диссертации, других показателей, которые характеризуют работу над магистерской диссертацией. Как правило, заполнение отдельных разделов не вызывает сложностей, а на некоторые пункты в самом разделе даются отдельные ссылки по тексту.
5.Отчет о выполнении индивидуального учебного плана
Состоит из двух отчетов: за первый и второй семестры. Необходимо помнить, что первый раздел (учебный процесс) заполняется методистом отдела студенческой науки и магистратуры. Последующие разделы заполняются магистрантом. Все данные в отчетах проверяются методистом отдела студенческой науки и магистратуры.
Научный руководитель заполняет аттестацию и рекомендации, над которыми необходимо работать магистранту, делает вывод о целесообразности дальнейшего обучения в магистратуре и т. п. Результаты учебной и научно-исследовательской работы магистранта обязательно заслушиваются и обсуждаются на заседании кафедры.
6. Практика
Данный раздел заполняется магистрантом и руководителем практики. Вносятся сведения о месте прохождения, сроках прохождения, задание на практику, а также итоги прохождения практики. По результатам прохождения практики выставляется оценка лицом, принимающим отчет о прохождения практики.
7.Итоги обучения в магистратуре
Данный раздел заполняется кафедрой по итогам предварительной защиты магистерской диссертации. Здесь же принимается решение о допуске к защите или отклонении от защиты магистерской диссертации.
7.Итоги защиты магистерской диссертации
По итогам защиты магистерской диссертации секретарь ГЭК делает соответствующие записи в данном разделе. После защиты индивидуальный учебный план магистерской подготовки вместе с протоколом ГЭК передается в отдел студенческой науки и магистратуры.
ОБОСНОВАНИЕ ТЕМЫ МАГИСТЕРСКОЙ ДИССЕРТАЦИИ
Актуальность темы магистерской диссертации: Стремление к постоянному уменьшению размеров современных устройств микро - и наноэлектроники требует разработки технологии формирования многокомпонентных соединений с улучшенными характеристиками. Большинство научных исследований по модифицированию свойств многокомпонентных полупроводниковых соединений направлены на получение данных по электрофизическим свойствам, необходимым для изготовления полупроводниковых приборов. Особенно важным является вопрос о возможности управления свойствами формируемых полупроводниковых соединений. Рассмотрение вопроса о трехмерном моделировании таких характеристик как ширина запрещенной зоны, подвижность носителей заряда и их концентрация, а также влияния технологических режимов их формирования на получаемые характеристики является актуальным.
Цель работы: состоит в исследовании влияния режимов технологических процессов формирования на электрофизические и структурно-морфологические характеристики многокомпонентных полупроводниковых соединений и построении математической модели воздействия технологических процессов на характер изменения ширины запрещенной зоны и концентрации носителей полупроводниковых соединений на основе цинка, селена и кадмия.
Задачи исследования:
1.Анализ воздействия технологических процессов формирования на структурно-морфологические характеристики полупроводниковых соединений.
2.Анализ основных положений и концепция компьютерного моделирования параметров полупроводниковых соединений.
3.Построение математической модели воздействия технологических процессов на характер изменения ширины запрещенной зоны и концентрации носителей полупроводниковых соединений на основе цинка, селена и кадмия.
Объект исследования – полупроводниковые соединения.
Предмет исследования − трехмерное компьютерное моделирование воздействия технологических процессов на структурно-морфологические и электрофизические характеристики полупроводника с целью изменения ширины запрещенной зоны и концентрации носителей полупроводниковых соединений на основе цинка, селена и кадмия.
Текст обоснования
Электрофизические свойства многокомпонентных полупроводниковых соединений на основе цинка, селена и кадмия являются основополагающими при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности тонкопленочных солнечных элементов. Изменение стехиометрического состава соединений приводит к изменению таких электрофизических параметров, как ширина запрещенной зоны, подвижность и концентрация носителей заряда. Стехиометрический состав связан с методом и технологическими режимами формирования полупроводниковых соединений.
Повышение быстродействия, снижение потребляемой мощности, уменьшение геометрических размеров элементов и повышение их эффективности предъявляют особые требования к свойствам многкомпонентных полупроводниковых соединений на основе цинка, селена и кадмия.
Таким образом, для успешного решения проблемы необходимо осуществить подбор метода осаждения для получения полупроводникового соединения необходимого состава, произвести математическое моделирование электрических параметров с учетом режимов осаждения и предложить рекомендации на основе полученной математической модели.
В диссертационной работе будут рассмотрены вопросы трехмерного компьютерного моделирования влияния технологических режимов на электрофизические свойства формируемых полупроводниковых соединений на основе цинка, селена и кадмия.
Список опубликованных работ по теме магистерской диссертации
(до зачисления в магистратуру)
1.Алексеев, и вторичные методы снижения электризации оператора / , , // Сборник материалов XVI Международной научно-технической конференции «Современные средства связи». – Минск : УО ВГКС, 2011. – С. 84.
2.Алексеев, систем измерения тока как одно из условий получения достоверных результатов при проведении испытаний радиоэлектронного оборудования на устойчивость к электростатическим разрядам / , , // Сборник материалов Международной научно-практической конференции молодых ученых «Научные стремления - 2011» Том 1.– Минск : Белорусская наука, 2011. – С. 613 – 617.
Сведения, характеризующие степень участия
в научных исследованиях по избранной специальности
(до зачисления в магистратуру)
Сведения | Результативность |
1. Выполнял(а) исследования (по ГБ, ГБЦ, в рамках хоздоговорных НИР, по гранту Министерства образования Республики Беларусь, по гранту Белорусского Республиканского Фонда фундаментальных исследований, на инициативных началах, другим грантам)1 | ГБЦ «Разработка феноменологических моделей и научно-методических основ компьютерного проектирования радиоэлектронных средств, технического обеспечения безопасности и создания электронных систем безопасности» |
2 Были получены следующие научные результаты: | |
2.1. Опубликовано научных работ | Всего 2 в том числе: статей − 2, тезисов − нет, депонированных рукописей − нет |
2.2. Сделано докладов на научных конференциях, семинарах | Всего − 3 (в том числе: Международных − 2, республиканских − нет, БГУИР −1, конференциях других вузов и организаций − нет) |
2.3. Участие в выставках | Число экспонатов − нет Годы участия ___________, Получены награды: __________________________ |
2.4. Внедрение результатов | В учебный процесс − нет В производство − нет (да, нет) (да, нет) |
2.5. Другие научные результаты (указать наличие патентов на изобретения, именные стипендии, другие результаты) |
Тема магистерской диссертации: Трехмерное моделирование электрофизических свойств многокомпонентных полупроводниковых соединений на основе цинка, селена и кадмия.
Научный руководитель _______________
(подпись) (инициалы, фамилия)
Магистрант _______________
(подпись) (инициалы, фамилия)
Тема магистерской диссертации и общий план работы рассмотрены и утверждены на заседании кафедры микро - и наноэлектроники. (указать кафедру)
(протокол № 2 от 01.01.2001).
Заведующий кафедрой МНЭ _____________
(наименование) (подпись) (инициалы, фамилия)
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 |
