Доменное структурирование электронным пучком кристаллов
ниобата лития, легированных MgO, покрытых слоем резиста
1,2, 1, 1, 1,2
1Институт естественных наук, Уральский федеральный университет, 620000 Екатеринбург, Россия
2, 620014 Екатеринбург, Россия
Исследование доменного структурирования электронным пучком кристаллов ниобата лития (ЛН), легированных MgO и покрытых слоем резиста, было проведено для различных толщин слоя и ускоряющих напряжений. Полученные доменные структуры были разделены на четыре типа. Было подтверждено увеличение качества доменной структуры при использовании слоя резиста на облучаемой поверхности. Этот эффект отнесен за счет высокой концентрации в резисте электронных ловушек, которые локализовали первичные электроны в ограниченном объеме над поверхностью ЛН и формировали эффективный электрод. Зависимость положения пространственного заряда относительно поверхности ЛН от ускоряющего напряжения была исследована методом компьютерного моделирования.
