Авторам
Количество страниц: - не более 14 ст. (в А4 формате)
Шрифт - Times New Roman
Размеры шрифта: текст - 11pt, имена авторов – 10pt (заглавные буквы, жирный), название статьи – 12pt (заглавные буквы, жирный), аннотация – 10pt (курсив), УДК – 11pt, Литература – 10pt, таблица - 9pt, интервал – 1.
Границы страниц: сверху-25 мм, снизу-20 мм, слева-35 мм и справа-15 мм.
Рисунки должны быть черно-белые.
УДК должно быть размещено в верхнем левом углу страницы
Имена авторов должны быть размещены в верхнем правом углу страницы.
Название статьи должно быть написано по центру, шрифт - 11pt, жирный
Краткая аннотация - на русском языке
В конце статьи должны быть приведены места роботы авторов
Допустимый формат файлов - .doc, .docx и. pdf
УДК 621.315.592
Ш. Махкамов1, 2, М. Каримов1, 3, 1, 1, 1, 1
Формирование радиационных дефектов в кремниевых солнечных элементах, легированных цинком
Исследовано влияние ? - облучения на фотоэлектрические характеристики солнечных элементов(СЭ), изготовленных из кремния, легированного примесью цинка.
Известно, что в полупроводниковых материалах, используемых для изготовления СЭ, в том числе и монокристаллическом кремнии, в процессе воздействия проникающей радиации изменяются концентрация, подвижность и времена жизни носителей заряда, вследствие возникновения радиационных дефектов [1].
Изучение процесса формирования радиационных дефектов в кремниевых СЭ, выявление механизма и природы радиационных дефектных состояний позволит прогнозировать деградацию параметров и характеристик различных полупроводниковых приборов и материалов при их эксплуатации в условиях наличия радиационного фона.
Среди эффективных способов стабилизации свойств кремния к внешним воздействиям особое место занимает легирование его различными химическими элементами, создающими глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне [2,3]. Следовательно, проведение комплексных исследований влияния легирующих примесей на процесс радиационного дефектообразования в кремнии и кремниевых структурах, позволит выявить и разработать новые способы модификации полупроводниковых приборов.
Рис. 1. Спектр DLTS диода из p-Si<Zn>: A – Ev+0.31 эВ; B – Ec-0.55 эВ. | Рис. 2. Зависимость изменения концентрации уровней Zn в p-Si от температуры диффузии: 1 – Ev+0.31 эВ; 2 – Ec-0.55 эВ. |
Таблица 1
Параметры энергетических уровней Zn в Si
Примесь | Положение уровня, эВ | Характер уровня | Сечение захвата носителей заряда | Источник | |
?n, см2 | ?p, см2 | ||||
Zn | Ev+0,31 Ec-0,55 | Акцептор Акцептор | 1,0?10-15 1,0?10-16 | (1?10) •10-14 1,0•10-13 | [4,11] |
Zn | Ev+0,31 Ec-0,55 | Акцептор Акцептор | - 9,2?10-15 | 1,5?10-14 9,0?10-14 | Наши данные |
Сопоставление концентрации обнаруженных уровней цинка с общей концентрацией, которая по данным [7, 9] при температуре 1250оС составляет 6•1016 см-3, показывает, что лишь 1-2 % примеси Zn являются электрически активными. Это возможно связано с тем, что основная часть атомов цинка, подобно атомам некоторых примесей [11], находится в электрически пассивном состоянии в виде скоплений вокруг дислокаций или же других нарушений кристаллической решетки кремния. Для определения природы примесно-дефектных комплексов в легированном кремнии изучались состояние, размеры и типы микродефектов, а также однородность их распределения в кристалле.
Работа выполнена в рамках гранта Ф2-ФА-Ф121 Комитета по координации развития науки и технологий при Кабинете Министров РУз.
Литература
[1] Вопросы радиационной технологии полупроводников // Под ред. , Новосибирск: Наука, 1980. 296 с. [2] Koteswara R. K., Kumar V., Premachandran S. K., Raghunath K. P. // J. Appl. Phys. 1991. V.69. N.12, pp.8205 – 8209. [3] , и др. // ФТП. 1994. Т.28. В.12. С. 2156 – 2161. [4] Lemke H. // Phys. Stat. Sol. (a). 1982. V.72. pp.177 – 187.
1Институт ядерной физики АН РУз 2Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз 3Ташкентский университет информационных технологий | Дата поступления |
